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谷 川 智 之(たにかわ ともゆき)
准 教 授
博士(工学)(名古屋大学)
博士論文題目:加工シリコン基板上半極性・無極性面窒化物半導体の選択MOVPE成長に関する研究(リンク)
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経 歴
- 平成19年(2007年)3月 名古屋大学 工学部 電気電子情報工学科 卒業
- 平成21年(2009年)3月 名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 博士課程前期課程 修了
- 平成24年(2012年)3月 名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 博士課程後期課程 修了
- 平成24年(2012年)4月 東北大学 金属材料研究所 電子材料物性学研究部門 助教(平成28年12月まで)
- 平成29年(2017年)1月 東北大学 金属材料研究所 電子材料物性学研究部門 講師(平成31年3月まで)
- 平成31年(2019年)4月 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授(現在に至る)
講義担当
- 令和元年度,春~夏学期,月4限,学問への扉
- 令和元年度~,春~夏学期,木1限,数学解析演習
- 令和2年度~,春~夏学期,月4限,計測基礎
- 令和2年度~,春~夏学期,金3限,先端エレクトロニクスデバイス工学特論
- 令和4年度~,秋~冬学期,金1限,量子力学演習
受 賞(本 人)
- 第22回(2023年度)応用物理学会論文誌編集貢献賞,公益社団法人 応用物理学会,2024年3月22日.
- 2021年度日本結晶成長学会賞 第19回奨励賞,日本結晶成長学会,2021年10月28日.
- CGCT Young Scientist Award, The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology,2021年3月3日.
- 第41回(2019年度)応用物理学会論文賞,公益社団法人 応用物理学会,2019年9月18日.
- 第47回結晶成長国内会議 講演奨励賞,日本結晶成長学会,2018年11月30日.
- 第7回(2018年度)研究開発奨励賞優秀賞,一般財団法人エヌエフ基金,2018年11月16日.
- 第42回(2017年春季)応用物理学会 講演奨励賞,公益社団法人 応用物理学会,2017年9月5日.
- EMS賞,電子材料シンポジウム,2016年7月8日.
- ポスター発表アワード,第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員,2016年3月14日.
- Young Scientist Award, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, 2015年11月12日.
- 第6回窒化物半導体結晶成長講演会 研究奨励賞,日本結晶成長学会,2014年7月26日.
- Young Researcher's Paper Award, Conference on LED and its industrial application '14 (LEDIA'14),2014年4月25日.
- 第126回金属材料研究所講演会 秀ポスター賞,東北大学金属材料研究所,2013年11月28日.
- 第17回応用物理学会東北支部講演奨励賞,応用物理学会東北支部,2012年12月6日.
- 応用物理学会・結晶工学分科会発表奨励賞,応用物理学会・結晶工学分科会,2010年12月17日.
- 学生研究奨励賞,電子情報通信学会,2010年6月8日.
- 第2回 窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞,日本結晶成長学会ナノエピ分科会,2010年5月15日.
- 第一回 名古屋大学学術奨励賞,名古屋大学,2010年3月24日.
研究プロジェクト(研究代表者)
こちらもご参照ください
- 特別研究員奨励費,加工Si基板上への非極性面GaNの選択MOVPE成長に関する研究,平成22~24年
- 低炭素社会基盤材料融合研究事業(東北大金研),緑色高輝度LEDやレーザ、および、高効率太陽電池を可能にする窒化物半導体のエピタキシャル成長技術の研究,平成24~25年
- 村田学術振興財団 研究助成,窒化物半導体を用いた分極電界支援型太陽電池の開発,平成25~27年
- 科研費 若手研究(B),窒化物半導体デバイスに印加される分極電界の観測と制御,平成28~31年
- 科研費 新学術領域研究(研究領域提案型)公募研究,分極効果の能動的作用による窒化物半導体の伝導制御,平成28~31年
- 産総研-東北大 マッチング研究支援事業,多光子励起フォトルミネッセンスによるSiC結晶欠陥の非破壊・三次元観察,平成30~31年
- 科研費 新学術領域研究(研究領域提案型)公募研究,多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察,令和1~3年
- 科研費 挑戦的研究(萌芽),ハイパーラマン散乱による貫通転位の深部イメージング,令和1~3年
- マッチングファンド方式産学連携共同研究(阪大COiRE),多光子顕微鏡を用いた次世代半導体材料の三次元評価技術の開発,令和1年
- 科研費 基盤研究(B),多光子励起過程を用いた次世代半導体材料の新しい深部イメージング,令和2~4年
- 木下基礎科学研究基金助成事業,人体に無害でその場殺菌可能な遠紫外光源の開発,令和3~4年
共同研究:産総研、JAXA、名古屋大未来研、東北大多元研ほか、企業数社
研究業績
こちらをご参照ください
連絡先
メールアドレス: tanikawa.tomoyuki.eei.eng[at]osaka-u.ac.jp([at]を@に変換してください.)
電話番号: 06-6879-7771
住所: 〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-1 E2-422