研究成果

学会発表
1 Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading Dislocations M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
2 Fabrication of Orientation Modulated GaN Template for Monolithic Integrated Full-Color InGaN Light-Emitting Diodes Y. Yasuda, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
3 Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation N. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita*, H. Murakami*, M. Tonouchi*, S. Tokita*, S. Ichikawa**, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
4 Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
5 Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation H. Honda, K. Shojiki*, H. Miyake*,**, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
6 Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic Generation S. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa*, Y. Fujiwara, K. Shojiki**, H. Miyake**,***, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
7 Fabrication of 3.3 um Periodically-Poled MgO:SLT Structure for Quantum Light Sources at 810 nm H. Nishigaki, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama 第40回電子材料シンポジウム ポスタ 2021年10月11～13日
8 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発 村田知駿、谷川智之、上向井正裕、片山竜二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 ポスタ 2021年9月10～13日
9 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製 久田雄太、亀井拓哉、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 口頭 2021年9月10～13日
10 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング 西河巴賀、塚越真悠子、後藤 健、村上 尚、熊谷義直、谷川智之、上向井正裕、片山竜二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 口頭 2021年9月10～13日
11 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計 本田啓人、梅田颯志、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 口頭 2021年9月10～13日
12 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製 梅田颯志、本田啓人、南部誠明、市川修平、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第82回応用物理学会秋季学術講演会 口頭 2021年9月10～13日
13 "Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond Laser" "N. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama" 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 口頭 2021年9月7～9日
14 Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence T. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, and R. Katayama SemiconNano2021 招待 2021年8月30～9月3日
15 窒化物半導体の波長変換デバイス応用 谷川智之 応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会 招待 2021年8月23日
16 多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術 谷川智之 日本学術振興会第R032委員会 第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」 招待 2021年8月6日
17 MgO:SLTを用いた3.3 μm周期分極反転構造の作製 野呂諒介、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
18 InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ 樋口晃大、松下就哉、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
19 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製 永田拓実、梅田颯志、隈部岳瑠、安藤悠人、出来真斗、本田善央、天野 浩、トーマスポージン、山田和輝、岩谷素顕、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
20 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製 本田啓人、永田拓実、市川修平、藤原康文、正直花奈子、三宅秀人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
21 AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討 南部誠明、矢野岳人、永田拓実、田辺 凌、梅田颯志、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
22 GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価 横山尚生、村田知駿、本田啓人、市川修平、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
23 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長 田辺 凌、吉田 新、安田悠馬、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
24 GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析 谷川智之、足立真理子、寺田陸斗、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二 第68回応用物理学会春季学術講演会（Zoom） 口頭 2021年3月16～19日
25 Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama SPIE Photonics West 2021 (On demand) 招待 2021年3月3～6日
26 Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa SPIE Photonics West 2021 (On demand) 招待 2021年3月3～6日
27 Core structure of threading dislocations in GaN T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) (Zoom) 口頭 2021年3月1～3日
28 Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) (Zoom) 口頭 2021年3月1～3日
29 Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) (Zoom) 口頭 2021年3月1～3日
30 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 谷川智之 2021年2月24日新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom） 口頭 2021年2月24日
31 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 片山竜二 2021年1月13日新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会（Zoom） 口頭 2021年1月13日
32 ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生 片山竜二、上向井正裕、谷川智之 2020年11月18日 応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会　紫外材料 ・デバイス開発の最前線　～物性の理解 とデバイス開発～ 招待 2020年11月18日
33 Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering Y. Onishi, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
34 Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding N. Yokoyama, R. Tanabe, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
35 Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler T. Murata, N. Yokoyama, T. Komatsu, Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
36 Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High Power Second Harmonic Generation R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
37 Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
38 Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
39 Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4 S. Yoshida, N. Ryoki, K. Miyano, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
40 First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure A. Higuchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
41 Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation H. Honda, N. Yokoyama, A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
42 Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
43 Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
44 Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation T. Nagata, S. Umeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama 第39回電子材料シンポジウム（Zoom） ポスタ 2020年10月7～9日
45 ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用：遠UVC全固体光源 片山竜二、上向井正裕、谷川智之 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 招待 2020年9月8～11日
46 高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路 野呂諒介、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 口頭 2020年9月8～11日
47 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計 矢野岳人、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 口頭 2020年9月8～11日
48 周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ 樋口晃大、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 口頭 2020年9月8～11日
49 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶の貫通転位の観察と分類 (2) 塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 口頭 2020年9月8～11日
50 グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス 横山尚生、森岡佳紀、森川隆哉、藤原康文、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第81回応用物理学会秋季学術講演会（Zoom） 口頭 2020年9月8～11日
51 多光子励起フォトルミネッセンス測定における 集光スポットサイズを考慮したGaN結晶中の貫通転位の判別 塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二 日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」（Zoom） ポスタ 2020年7月30～31日
52 多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別 谷川智之、塚越真悠子、上向井正裕、片山竜二 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第118回研究会「最先端評価技術を用いたワイドギャップ半導体結晶中の転位評価」（Zoom） 招待 2020年7月3日
53 Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2020（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年4月21～23日
54 Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2020（アブストラクトのみ公開） ポスタ 2020年4月21～23日
55 Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2020（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年4月21～23日
56 Fabrication of Annealed ProtonExchanged Waveguide in PeriodicallyPoled MgO:s-LiTaO3 for High Power Second Harmonic Generation R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第9回 先端レーザーと光源技術 ALPS2020（Zoom） 口頭 2020年4月21～23日
57 Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laser A. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2020（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年4月21～23日
58 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類 塚越真悠子、谷川智之、上向井正裕、片山竜二 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
59 表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング 横山尚生、田辺凌、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
60 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発 小松天太、彦坂年輝、布上真也、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
61 高出力第二高調波発生に向けた周期分極反転MgO:s-LiTaO3アニールプロトン交換導波路の作製 野呂諒介、岡﨑雅英、溝端一国雄、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
62 AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計 梅田颯志、永田拓実、彦坂年輝、布上真也、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
63 GaN縦型p-nダイオードにおける2光子吸収光電流の測定 川崎晟也、安藤悠人、田中敦之、塚越真悠子、谷川智之、出来真斗、久志本真希、新田州吾、本田善央、天野浩 第67回応用物理学会春季学術講演会（アブストラクトのみ公開） 口頭 2020年3月12～15日
64 ワイドギャップ材料における貫通転位と量子井戸構造の解析 木口賢紀, 兒玉裕美子, 白石貴久, 今野豊彦, 谷川智之 大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点 微細構造解析プラットフォーム 2019 年度 第 2 回地域セミナー デバイス開発に資する微細構造解析 - 次世代エレクトロニクスを支える先端デバイス開発を目指して -（千里ライフサイエンスセンター） 招待 2020年1月16～16日
65 量子光応用に向けた酸化物・窒化物ハイブリッド半導体ヘテロ構造の実現 小島一信、窪谷茂幸、谷川智之、片山竜二 2019年12月18日 東北大学 若手アンサンブルP・リコレクションシンポジウム 口頭 2019年12月18日
66 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 片山竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館） 口頭 2019年11月27～28日
67 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 谷川智之 科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第５回領域全体会議（金沢商工会議所会館） 口頭 2019年11月27～28日
68 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 片山竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館） 口頭 2019年11月27～28日
69 Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device T. Nagata, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019 (沖縄科学技術大学院大学） 口頭 2019年11月10～15日
70 Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Syojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019 (沖縄科学技術大学院大学） ポスタ 2019年11月10～15日
71 Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphotonexcitation photoluminescence T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019 (沖縄科学技術大学院大学） 招待 2019年11月10～15日
72 Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R Katayama 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019 (沖縄科学技術大学院大学） ポスタ 2019年11月10～15日
73 Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第9回 ワイドギャップ半導体に関するアジア太平洋ワークショップ APWS2019 (沖縄科学技術大学院大学） ポスタ 2019年11月10～15日
74 Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai and Tomoyuki Tanikawa 中韓日特異構造プロジェクトワークショップ (三重大学) 招待 2019年10月18日
75 Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
76 Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG Device Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
77 GaN Waveguide Directional Coupler and Wavelength Filter for Quantum Optical Application M. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
78 Pulsed DC sputtering growth of Mg-doped GaN thin film Y. Onishi, S. Imai, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
79 Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
80 Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
81 Fabrication of Periodically-Poled Structure in MgO:s-LiTaO3 by Voltage Application with SiO2 Insulation Layer R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama 第38回電子材料シンポジウム (EMS-38）（橿原ロイヤルホテル） ポスタ 2019年10月9～11日
82 Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, and R. Katayama 第7回半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎特性に関する国際ワークショップ SemiconNano2019（神戸大学） ポスタ 2019年9月24～27日
83 InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices M. Uemukai, S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara and R. Katayama 第7回半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎特性に関する国際ワークショップ SemiconNano2019（神戸大学） 招待 2019年9月24～27日
84 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価 田辺 凌、横山尚生、上向井正裕、谷川智之、片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
85 ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発 －極性反転導波路と微小共振器－ 片山竜二、上向井正裕、谷川智之 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 招待 2019年9月18～21日
86 [優秀論文賞受賞記念講演] Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence 谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 招待 2019年9月18～21日
87 多光子励起フォトルミネッセンスによる格子不整合系逆成長InGaAs単一接合太陽電池のバッファ層内における転位の観察 (II) 小倉暁雄，谷川智之, 高本達也，大島隆治，菅谷武芳，今泉 充 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
88 量子光学応用のためのGaN導波路型波長フィルタの開発 小松天太，紀平将史，上向井正裕，谷川智之， 彦坂年輝，布上真也，片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
89 AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器 森岡佳紀, 上向井正裕, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 森川隆哉, 藤原康文, 谷川智之, 片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
90 横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証 山内あさひ，山口修平，小野寺卓也，林 侑介, 三宅秀人，彦坂年輝，布上真也，塩見圭史，藤原康文，芹田和則，川山 巌，斗内政吉，上向井正裕，片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
91 2層極性反転積層AlN導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計 山内あさひ，小松天太，池田和久，上杉謙次郎，正直花奈子, 三宅秀人, 彦坂年輝，布上真也，森川隆哉, 藤原康文, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
92 GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作 永田拓実，上向井正裕，彦坂年輝，布上真也，森川隆哉，藤原康文 ，谷川智之，片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
93 界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価 塩島謙次，谷川智之，片山竜二，松岡隆志 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
94 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2) 小島一信，谷川智之，粕谷拓生，秩父重英，田中敦之，本田善央，天野 浩，上向井正裕，片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
95 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1) 谷川智之，小島一信，粕谷拓生，秩父重英，田中敦之，本田善央，天野 浩，上向井正裕，片山竜二 第80回応用物理学会秋季学術講演会（北海道大学） 口頭 2019年9月18～21日
96 ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー 片山 竜二 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学・札幌キャンパス) 招待 2019年9月18～21日
97 Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities 片山 竜二 固体素子と材料に関する国際会議 SSDM2019 (名古屋大学・東山キャンパス) 招待 2019年9月2～5日
98 Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology T. Tanikawa and T. Matsuoka 第19回結晶成長とエピタキシに関する国際会議／第19回有機金属気相成長に関する米国ワークショップ ICCGE-19/OMVPE-19（キーストン会議場） 招待 2019年8月28日～9月2日
99 Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 (Bellevue, USA) 口頭 2019年7月7～12日
100 Demonstration of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide SHG Device Fabricated by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal S. Yamaguchi, A. Yamauchi, T. Onodera, M. Uemukai, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 (Bellevue, USA) 口頭 2019年7月7～12日
101 Optically Pumped GaN-based Laterally-coupled Distributed-feedback GaN Lasers with 3rd-order Surface Grating Grown on Pendeo-epitaxy GaN T. Ando, K. Takagi, Y. Morioka, M. Uemukai, R. Katayama, D. Imai and T. Miyajima 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 (Bellevue, USA) 投稿済 2019年7月7～12日
102 Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi, T. Sugaya 第46回IEEE太陽光発電専門会議 PVSC 46（シカゴ） ポスタ 2019年6月16～21日
103 窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー 片山 竜二 第11回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (広島大学・西条キャンパス) 招待 2019年6月13～15日
104 多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価 谷川智之, 松岡隆志 第145委員会，第161委員会　合同研究会 「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」（明治大学 紫紺館） 招待 2019年5月8日
105 Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities R. Katayama Workshop on Nitride Semiconductor Lasers (厦門大学, 中国) 招待 2019年5月6～7日
106 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 谷川智之 科学研究費補助金 新学術領域研究 「特異構造の結晶科学」第４回領域全体会議（金沢商工会議所会館） 口頭 2019年4月27～28日
107 First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal Structure M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 招待 2019年4月23～25日
108 Design of ZnO/ZnMgO Multiple Quantum Well Microcavity for Quantum Entangled Photons Generation T. Yano, Y. Matsui, M. Uemukai and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 口頭 2019年4月23～25日
109 Design of GaN-waveguide-based Mach-Zehnder Interferometer Compatible to the Optical Waveguide-based Quantum Computer T. Komatsu, M. Kihira, A. Tomibayashi, M. Uemukai and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 口頭 2019年4月23～25日
110 Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal A. Yamauchi, S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 口頭 2019年4月23～25日
111 Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 口頭 2019年4月23～25日
112 Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) 口頭 2019年4月23～25日
113 Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration S. Imai, Y. Onishi, T. Onodera, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, N. Takahashi, Y. Honda, H.J. Cheong, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 (パシフィコ横浜) ポスタ 2019年4月23～25日
114 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 片山 竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (ホテル＆リゾーツ長浜) 口頭 2019年4月19～20日
115 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 谷川 智之 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (ホテル＆リゾーツ長浜) 口頭 2019年4月19～20日
116 多光子励起PLマッピングによるGaN系特異構造の3次元マッピング 谷川智之, 松岡隆志 第66回応用物理学会春季学術講演会（東京工業大学　大岡山キャンパス） 招待 2019年3月9～12日
117 ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価 田辺 凌, 小野寺 卓也，上向井 正裕, 彦坂 年輝, 布上 真也，正直 花奈子，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
118 AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器 森岡 佳紀, 山口 修平, 正直 花奈子, 林 侑介, 三宅 秀人,塩見 圭史, 藤原 康文, 上向井 正裕, 片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
119 周期的スロット構造を用いたInGaN単一モードレザの作製プロセス の検討 田附 大貴, 楠本 壮, 樋口 晃大, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 上向井 正裕, 片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
120 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発： 電界印加型位相変調器の設計 小松 天太, 紀平 将史，上向井 正裕，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
121 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発： GaN/n-AlGaN方向性結合器の設計 紀平 将史，三輪 純也，小松 天太，上向井 正裕，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
122 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発： GaNストリップ導波路型方向性結合器の作製 三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，彦坂 年輝，布上 真也，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
123 Si台座構造上 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 南部 誠明，永田 拓実，塩見 圭史，藤原 康文，大西 一生，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
124 量子相関光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計 矢野 岳人，松井 裕輝，上向井 正裕，片山 竜二 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
125 Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製 高木 健太，安藤 壮，森岡 佳紀，上向井 正裕，片山 竜二，今井 大地，宮嶋 孝夫 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 口頭 2019年3月9～12日
126 波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御 林 侑介, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 片山 竜二, 三宅 秀人 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 (東京工業大学・大岡山キャンパス) 招待 2019年3月9～12日
127 GaN waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems J. Miwa, M. Kihira, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama SPIE Photonics West 2019 (San Francisco, USA) 口頭 2019年2月2～7日
128 Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si trapezoidal structure T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama SPIE Photonics West 2019 (San Francisco, USA) 口頭 2019年2月2～7日
129 量子コンピュータ開発と結晶技術 片山 竜二 日本学術振興会 第161委員会 第109回研究会 (ホテル＆リゾーツ 京都 宮津) 招待 2019年1月25～26日
130 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 上向井 正裕, 楠本 壮, 田附 大貴, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 片山 竜二 電子情報通信学会 電磁界理論研究会 (大阪大学 中之島センター) 口頭 2019年1月17～18日
131 Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Substrate T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 (石川県立音楽堂 ANAクラウンプラザホテル金沢) 口頭 2018年11月11～16日
132 Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser S. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, M. Uemukai, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 (石川県立音楽堂 ANAクラウンプラザホテル金沢) 口頭 2018年11月11～16日
133 Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature T. Onodera, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 (石川県立音楽堂 ANAクラウンプラザホテル金沢) 口頭 2018年11月11～16日
134 Design of ZnO-Based Microcavities with SiO2/ZrO2 Distributed Bragg Reflectors for Entangled Photon Pair Generation Y. Matsui, T. Yano, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
135 Implementation of GaN Monolithically Integrated Optical Circuit for Scalable Quantum Computation in Loop-Based Architecture T. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
136 Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake,K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
137 GaN Strip Waveguide Directional Coupler for Optical Quantum Information Processing Systems M. Kihira, J. Miwa, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
138 Input Grating Coupler for AlN Channel Waveguide Wavelength Conversion Device Y. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake,K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
139 Fabrication Process of InGaN Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure D. Tazuke, S. Kusumoto, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
140 Temperature Dependence of Structural and Optical Properties of GaN Film Grown by Pulsed Sputtering Deposition S. Imai, T. Onodera, M. Uemukai, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, Y. Takahashi, Y. Honda, H. Cheong, H. Amano and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
141 Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
142 Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
143 Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser S. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
144 Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature T. Onodera, R. Tanabe, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 (ホテル＆リゾーツ長浜) ポスタ 2018年10月10～12日
145 Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama IEEE Photonics Society Kansai Chapter 第4回フォトニクス英語発表会 (京都工芸繊維大学 松ヶ崎キャンパス) 口頭 2018年9月29日
146 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計 山口 修平，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人，塩見 圭史，藤原 康文，片山 竜二 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 口頭 2018年9月18～21日
147 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢 ，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介， 三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 口頭 2018年9月18～21日
148 InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討 楠本 壮，田附 大貴 , 池田 和久 , 上向井 正裕 ，片山 竜二 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 (名古屋国際会議場) 口頭 2018年9月18～21日
149 横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源 片山 竜二，山口 修平，小野寺 卓也，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人 電子情報通信学会 2018年ソサイエティ大会 (金沢大学・角間キャンパス) 招待 2018年9月11～14日
150 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 片山竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (東京大学・駒場第Ⅱキャンパス) 口頭 2018年9月7日
151 深紫外SHGに向けたウェハ接合型AlN極性反転構造 林 侑介, 片山 竜二, 三宅 秀人 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (名古屋大学・東山キャンパス) 招待 2018年7月12～13日
152 ZnO系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計 矢野 岳人，上向井 正裕，片山 竜二 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (名古屋大学・東山キャンパス) ポスタ 2018年7月12～13日
153 表面活性化接合とSi基板除去によるGaN極性反転構造の作製 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田　善央，天野 浩，片山 竜二 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (名古屋大学・東山キャンパス) ポスタ 2018年7月12～13日
154 Design and Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama 第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX (奈良春日野国際フォーラム) 口頭 2018年6月3～8日
155 GaN Rib Waveguide Directional Coupler for Waveguide Mach-Zehnder Interferometer J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama 第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX (奈良春日野国際フォーラム) 口頭 2018年6月3～8日
156 Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide for Deep UV Second Harmonic Generation S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 (パシフィコ横浜) 口頭 2018年4月25～27日
157 Fabrication of Polarity-Inverted GaN Heterostructure by Surface-Activated Wafer Bonding and Silicon Removal T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 (パシフィコ横浜) 口頭 2018年4月25～27日
158 GaAsP Tunable Single-Mode Semiconductor Laser using Periodically Slotted Structure with Simplified Fabrication Process S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 (パシフィコ横浜) 口頭 2018年4月25～27日
159 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 片山竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (沖縄科学技術大学院大学) 口頭 2018年4月23～24日
160 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ 楠本 壮，上向井 正裕，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
161 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
162 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計 紀平 将史，三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
163 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価 三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
164 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
165 ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計 山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 (早稲田大学・ベルサール高田馬場) 口頭 2018年3月17～20日
166 Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguide R. Katayama SPIE Photonics West 2018 (San Francisco, USA) 招待 2018年1月31日～2月2日
167 深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー 上向井 正裕，片山 竜二 第38回 レーザー学会 学術講演会 (京都市勧業館みやこめっせ) 招待 2018年1月24～26日
168 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 片山 竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (三重大学) 口頭 2018年1月5日
169 ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発 片山 竜二 日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会 (ホテル富士見ハイツ) 招待 2017年12月15～16日
170 Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 林 侑介, 三宅 秀人, 平松 和政, 秋山 亨, 伊藤 智徳, 片山 竜二 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 LQE (名古屋工業大学) 口頭 2017年11月30～12月1日
171 Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3 T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama 紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017 (九州大学) ポスタ 2017年11月14～18日
172 Abrupt Polarity Inversion of AlN for Second Harmonic Generation in DUV Region Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama 紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017 (九州大学) 口頭 2017年11月14～18日
173 GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
174 Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
175 Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
176 Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
177 Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3 T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
178 GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structure S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 (長浜ロイヤルホテル) ポスタ 2017年11月8～10日
179 光導波路型マッハツェンダ干渉計のためのGaN方向性結合器 三輪 純也 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 口頭 2017年9月13～15日
180 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイス 山口 修平 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 口頭 2017年9月13～15日
181 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN極性反転構造の作製 林 侑介 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 招待 2017年9月13～15日
182 量子井戸DBRレーザを用いたモノリシック光集積デバイス 上向井 正裕 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 招待 2017年9月13～15日
183 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製 林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス) 口頭 2017年9月5～8日
184 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計 山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス) 口頭 2017年9月5～8日
185 AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，片山 竜二 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス) 口頭 2017年9月5～8日
186 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計 南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス) 口頭 2017年9月5～8日
187 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製 三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 (福岡国際会議場・国際センター・福岡サンパレス) 口頭 2017年9月5～8日
188 Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka 第12回 窒化物半導体国際会議 ICNS12 (Strasbourg, France) ポスタ 2017年7月24～28日
189 Face to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製と評価 林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二 第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 (北海道大学) 口頭 2017年7月13~15日
190 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 片山 竜二 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 (ロワジールホテル豊橋) 口頭 2017年7月1日
191 GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structures M. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto and R. Katayama 第5回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17 (パシフィコ横浜) 口頭 2017年4月19～21日
192 極性ワイドギャップ半導体の量子光学応用 片山 竜二 電子情報通信学会合同研究会 IEEE Photonics Society Kansai Chapter 特別講演会 (伊勢市観光文化会館) 招待 2017年1月18～19日
193 InGaN growth on AlN protection layer deposited ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy J. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka 2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center (東北大学) ポスタ 2017年3月21日
194 AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討 髙橋 一矢, 篠田 涼二, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智,服部 友一, 赤﨑 勇, 上向井 正裕, 片山 竜二 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 口頭 2017年3月14～17日
195 GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ 山下 諒大，上向井 正裕，片山 竜二 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 口頭 2017年3月14～17日
196 ワイドギャップ半導体の量子光学素子応用 片山 竜二 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 シンポジウム 金属酸化物の結晶物性に迫る (パシフィコ横浜) 招待 2017年3月14～17日
197 窒化物半導体の量子光学応用 片山 竜二 マテリアルズサイエンス研究の最先端～柏キャンパス発全世界行の切符を片手に～ (東京大学・柏キャンパス) 招待 2016年10月22日
198 Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka 第9回 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2016 (Orlando, USA) 口頭 2016年10月2～7日
199 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 片山 竜二 第77回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～ (朱鷺メッセ) 招待 2016年9月13～16日
200 GaAsP Quantum Well Tunable Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure" M. Uemukai and T. Furusawa 第25回 半導体レーザ国際会議 ISLC2016 (神戸メリケンパークオリエンタルホテル) 口頭 2016年9月12～15日
201 ワイドギャップ半導体の量子光学応用 片山 竜二 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 招待 2016年8月29～30日
202 イオンスライスLiNbO3結晶光導波路における微細周期分極反転構造の形成と波長変換デバイス応用に関する研究 井口 稜太 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 口頭 2016年8月29～30日
203 GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザと2波長集積レーザへの応用に関する研究 山下 諒大 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ (立命館大学・びわこ・くさつキャンパス) 口頭 2016年8月29～30日
204 ワイドギャップ半導体研究の新展開 量子光学デバイス・システム開発 片山 竜二 第1回 電子材料若手研究会（ISYSE） (広島大学・西条キャンパス) 招待 2016年8月26日
205 MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu and T. Matsuoka Compound Semiconductor Week CSW2016 (富山国際会議場) 口頭 2016年6月29日
206 Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka 第4回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'16 (パシフィコ横浜) 口頭 2016年5月18～20日
207 N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性 谷川 智之, 正直 花奈子, 野々田 亮平, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 高宮 健吾, 矢口 裕之, 秋山 英文 第８回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学・桂キャンパス) ポスタ 2016年5月9～10日
208 N 極性(000-1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性 野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志 第８回 窒化物半導体結晶成長講演会 (京都大学・桂キャンパス) ポスタ 2016年5月9～10日

原著論文
 1 Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windows S. Yoshida, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama Jpn. J. Appl. Phys. 61, 030904 (2022).
2 Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopy A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, T. Sugaya, and M. Imaizumi Appl. Phys. Express 14, 111002 (2021).
 3 Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure T. Nambu, T. Nagata, S. Umeda, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, A. Mannan, F. R. G. Bagsican, K. Serita, I. Kawayama, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama Appl. Phys. Express 14, 061004 (2021).
4 Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, T. Yamada, M. Imanishi, Y. Mori, M. Uemukai, R. Katayama Appl. Phys. Express 14, 055504 (2021).
5 Multiphoton Microscopy T. Tanikawa Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices, edited by Tetsuo Narita and Tetsu Kachi (AIP Publishing, Melville, New York, 2020), Chapter 7, pp. 7-1–7-22.
6 多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN 結晶中の転位の非破壊・三次元観察 谷川智之 応用物理，89, 524-529 (2020)
7 Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi, T. Sugaya 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), pp. 0273-0276 (2020).
8 多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN 結晶中の転位の非破壊・三次元観察 谷川智之 まてりあ，58, 144-149 (2019)
9 Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth S. Fujimoto, H. Itakura, T. Tanikawa, N. Okada, K. Tadatomo Jpn. J. Appl. Phys. 58, pp. SC1049-1-6 (2019)
10 Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon-excitation photoluminescence T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Mukai, T. Matsuoka Appl. Phys. Express 11 (3), 031004-1-4 (2018)
11 Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding Y. Hayashi, R. Katayama, T. Akiyama, T. Ito and H. Miyake Appl. Phys. Express 11 (3), 031003-1-4 (2018)
12 Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells K. Takamiya S. Yagi H. Yaguchi H. Akiyama K. Shojiki T. Tanikawa R. Katayama phys. stat. sol. (b) , 1700454-1-4 (2017)
13 Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using a Cu-Zn-Sn-O amorphous precursor and supercritical fluid sulfurization Y. Nakayasu, T. Tomai, N. Oka, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, L. Sang, M. Sumiya, and I Honma Thin Solid Films 638, 244-250 (2017)
14 Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces T. Iwabuchi, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama,T. Fukuda, and T. Matsuoka phys. stat. sol. (a) 214 (9), 1600754-1-8 (2017)
15 Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, T. Matsuoka, Y. Honda, and H. Amano Appl. Phys. Express 10 (8), 082101-1-4 (2017)
16 GaAsP tunable distributed Bragg reflector laser with indium tin oxide thin-film heater M. Uemukai, and T. Suhara Jpn. J. Appl. Phys. 55 (8S3), 08RH01-1-4 (2016)
17 Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes T. Tanikawa, K. Shojiki, S .Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 55 (5S), 05FA04-1-4 (2016)
18 Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 55 (5S), 05FJ03-1-5 (2016)
19 Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane K. Shojiki, T. Hanada, T. Tanikawa, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S.Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 55 (5S), 05FA09-1-8 (2016)
20 Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 55 (5S), 05FE01-1-4 (2016)
21 Electrical Characteristics of N-polar (000-1) p-type GaN Schottky Contacts T. Aoki, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, and K. Shiojima Jpn. J. Appl. Phys. 55 (4S), 04EJ09-1-5 (2016)
22 Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy K. Shojiki, T. Tanikawa, J.H.Choi, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Appl. Phys. Express 8 (6), 061005-1-4 (2015)
23 Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy K. Shojiki, J.H.Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya,T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Appl. Phys. Lett. 106 (22), 222102-1-4 (2015)
24 Improvement of Surface Morphology of Nitrogen-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 53 (8), 085501-1-4 (2014)
25 Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000-1) GaN/sapphire T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL05-1-4 (2014)
26 Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy J.H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka J. Nanosci. and Nanotechnol. 14 (8), 6112-6115 (2014)
27 Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN K. Shojiki, J.H. Choi, H. Shindo, T. Kimura,T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL07-1-5 (2014)
28 Key Factors for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of InGaN Films with High InN Molar Fraction Y.H. Liu, F. Wang, W. Zhang, S.Y. Yang, Y.T. Zhang, R. Katayama, and T. Matsuoka Appl. Mechanics and Mater. 341-342, 204-207 (2013)
29 RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabe J. Cryst. Growth 378, 307-309 (2013)
30 Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates R.G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi J. Cryst. Growth 378, 85-87 (2013)
31 AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu phys. stat. sol. (c) 10 (5), 790-793 (2013)
32 Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE J.H. Choi, K. Shojiki,?T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka phys. stat. sol. (c) 10 (3), 417-420 (2013)
33 Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vaporphase epitaxy Y.T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertsuk, T. Iwabuchi, S. Kumar, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka Thin Sol. Films 536, 152-155 (2013)
34 A novel material for laser diodes of optical fiber communication F. Wang, W. Zhang, Y.H. Liu, S.Y. Yang, Y.T. Zhang, R. Katayama, and T. Matsuoka Adv. Mater. Res. 760-762, 45-49 (2013)
35 Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films J.H. Choi, S. Kumar, S.Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka Key Eng. Mater. 508, 193-198 (2012)
36 Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH01-1-4 (2012)
37 Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN T. Iwabuchi, Y.H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanebe, N. Usami, R. Katayama, and T. Matsuoka Jpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH02-1-4 (2012)
38 Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen d-Doped GaAs K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi Appl. Phys. Express 5 (11), 111201-1-3 (2012)
39 Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi Mater. Sci. Forum 706?709, 2916-2921 (2012)
40 Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure K. Watanabe, M. Ichikawa, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe J. Vac. Sci. Technol. B 30 (2), 021802-1-6 (2012)
41 Phase Diagram on Phase Purity of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE T. Kimura, K. Prasertsuk, Y.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka phys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 654-657 (2012)
42 Relationship between Residual Carrier Density and Phase Purity in InN Grown by Pressurized-Reactor MOVPE K. Prasertsuk, M. Hirata, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, and T. Matsuoka phys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 681-684 (2012)
43 Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies K. Watanabe, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and M. Ichikawa Jpn. J. Appl. Phys. 50 (8S3), 08LB18-1-4 (2011)
44 Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE S. Kuboya, M. Kuroda, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 323 (1), 26-29 (2011)
45 Lateral patterning of GaN polarity using wet etching process Y. Fukuhara, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 1922-1924 (2010)
46 Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy Y.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuk, S.Y. Ji, R. Katayama, and T. Matsuoka phys. stat. sol. (c) 8 (2), 482-484 (2011)
47 Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs Substrate S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami, and K. Nakajima Jpn. J. Appl. Phys. 49 (4R), 040202-1-3 (2010)
48 Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe Physica E 42 (10), 2529-2531 (2010)
49 Band alignment of lattice-matched InGaPN/GaAs and GaAs/InGaPN quantum wells grown by MOVPE D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe Physica E 42 (4), 1176-1179 (2010)
50 Photoluminescence Study of Type-II InGaPN/GaAs Quantum Wells D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe J. Nanosci. and Nanotechnol. 10 (11), 7154-7157 (2010)
51 MOVPE growth of high optical quality InGaPN layers on GaAs (001) substrates D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 2079-2081 (2010)
52 MOVPE growth and optical characterization of InGaAsN T-shaped quantum wires lattice-matched to GaAs P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (a) 207 (6), 1418-1420 (2010)
53 MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 311 (19), 2801-2804 (2009)
54 Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE: Growth condition and crystal structure S. Sanorpim, P. Jantawongrit, S. Kuntharin, C. Thanachayanont, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 6 (S2), S376-S380 (2009)
55 Scanning tunneling microscope?cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure K. Watanabe, Y. Nakamura, M. Ichikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe J. Vac. Sci. Technol. B 27 (4), 1874-1880 (2009)
56 Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF-MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy H. Komaki, T. Shimohara, K. Sakai, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari phys. stat. sol. (c) 5 (2), 499-502 (2008)
57 RF-MBE growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates T. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1712-1714 (2008)
58 Structural Investigation of Cubic-phase InN on GaAs (001) Grown by MBE Under In- and N-rich Growth Conditions K. Kuntharin, S. Sanorpim, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 31, 215-217 (2008)
59 Electrical conduction in cubic GaN films grown on GaAs(001) by RF-MBE M. Kohno, T. Kataoka, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1805-1807 (2008)
60 Effect of Substrate-surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPE P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 55-57, 825-828 (2008)
61 InGaPN/GaP Lattice-matched Single Quantum Wells on GaP (001) Grown by MOVPE D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 55-57, 821-824 (2008)
62 MOVPE growth window for high-Nitrogen GaAsN alloy films for long wavelength emission S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 31, 218-220 (2008)
63 A Comparison of the Structural Quality of High-In Content InGaAsN Films Grown on InGaAs Pseudosubstrate and on GaAs Substrate S. Sanorpim, P. Kongjaeng, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 31, 221-223 (2008)
64 Optical Transitions in InGaPN/GaP Single Quantum Wells on GaP(100) Substrates by MOVPE S. Sanorpim, D. Kaewket, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe Adv. Mater. Res. 31, 224-226 (2008)
65 MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs S. Kuboya, S. Takahashi, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1715-1718 (2008)
66 Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scattering S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 5 (9), 2923-2925 (2008)
67 Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Physica E 40 (6), 2110-2112 (2008)
68 Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride R. Katayama, K. Onabe, H. Yaguchi, T. Matsushita, and T. Kondo Appl. Phys. Lett. 91 (6), 061917-1-3 (2007)
69 Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructure R. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. Kondo J. Cryst. Growth 301-302, 447-451 (2007)
70 Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RF-MBE growth of nitrides R. Katayama, H. Tsurusawa, T. Nakamura, H. Komaki, and K. Onabe phys. stat. sol. (a) 204 (1), 277-281 (2007)
71 Nitrogen supply rate dependence of InGaN growth properties by RF-MBE H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. Ikari J. Cryst. Growth 305 (1), 12-18 (2007)
72 RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates T. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabe J. Cryst. Growth 301-302, 508-512 (2007)
73 Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE H. Komaki, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. Ikari J. Cryst. Growth 301-302, 473-477 (2007)
74 Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF-MBE T. Nakamura, Y. Endo, R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 4 (7), 2437-2440 (2007)
75 Structural Transition Control of Laterally Overgrown c-GaN and h-GaN on Stripe-patterned GaAs (001) Substrates by MOVPE S. Sanorpim, E. Takuma, H. Ichinose, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (b) 244 (6), 1769-1774 (2007)
76 Surface photovoltage spectroscopy characterization of InGaPN alloys grown on GaP substrates H.P. Hsu, P.Y. Wu, Y.S. Huang, S. Sanorpim, K.K. Tiong, R. Katayama, and K. Onabe J. Phys.: Condens. Matter. 19 (9), 96009-1-8 (2007)
77 MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy) F. Nakajima, W. Ono, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 103-106 (2007)
78 MOVPE and characterization of InAsN/GaAs Multiple Quantum Wells S. Kuboya, Q.T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 544-547 (2007)
79 Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs W. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 135-139 (2007)
80 Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 150-153 (2007)
81 Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 107-110 (2007)
82 Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 111-115 (2007)
83 Post-growth thermal annealing of high-N content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 140-144 (2007)
84 Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 531-535 (2007)
85 Micro-photoluminescence study of nitrogen δ-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 298, 73-75 (2007)
86 InAsN Quantum Dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE S. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (c) 4 (7), 2387-2390 (2007)
87 Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrate R. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. Kondo Appl. Phys. Lett. 89 (23), 231910-1-3 (2006)
88 Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching R. Katayama, and K. Onabe Physica E 32 (1-2), 245-248 (2006)
89 RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on GaAs T. Nakamura, K. Iida, R. Katayama,T. Yamamoto, and K. Onabe phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1451-1455 (2006)
90 Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectra of InxGa1-xN Grown by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy E. Kawano, Y. Uchibori, T. Shimohara, H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari Jpn. J. Appl. Phys. 45 (5B), 4601-4603 (2006)
91 MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrations F. Nakajima, S. Sanorpim, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (a) 203 (7), 1641-1644 (2006)
92 MOVPE growth of InAsN films on GaAs (001) substrates with an InAs buffer layer S. Kuboya, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1411-1415 (2006)
93 Growth and optical characterization of InAsN quantum dots H. Tsurusawa, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1657-1660 (2006)
94 High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy S. Sanorpim, F. Nakajima, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabe phys. stat. sol. (a) 203 (7), 1612-1617 (2006)
95 Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(001) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 278 (1-4), 431-436 (2005)
96 Growth mechanism and structural characterization of hexagonal GaN films grown on cubic GaN (111)/GaAs (111)B substrates by MOVPE S. Sanorpim, R. Katayama, K. Yoodee, and K. Onabe J. Cryst. Growth 275 (1-2), e1023-e1027 (2005)
97 MOVPE growth and optical investigations of InGaPN alloys S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 275 (1-2), e1017-e1021 (2005)
98 Excitation power dependent photoluminescence of In0.7Ga0.3As1-xNx quantum dots grown on GaAs (001) A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y.G. Hong, and C.W. Tu J. Cryst. Growth 278 (1-4), 244-248 (2005)
99 Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wells M. Kuroda, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. Onabe J. Cryst. Growth 278 (1-4), 254-258 (2005)
100 Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance Excitation R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2749-2753 (2004)
101 Highly Luminescent Cubic GaN Microcrystals Grown on GaAs(001) Substrates by RF-MBE R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2739-2743 (2004)
102 Optical characterization of InAsN single quantum wells grown by RF-MBE M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2791-2794 (2004)
103 Electrically Biased Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerface R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2597-2601 (2003)
104 Characterization of MOVPE-Grown GaN Layers on GaAs(111)B with a Cubic-GaN(111) Epitaxial Intermediate Layer S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 240 (2), 305-309 (2003)
105 MBE Growth and Photoreflectance Study of GaAsN Alloy Films Grown on GaAs(001) A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki J. Cryst. Growth 251 (1-4), 427-431 (2003)
106 RF-MBE Growth of InAsN layers on GaAs(001) Substrates using a Thick InAs Buffer Layer S. Nishio, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki J. Cryst. Growth 251 (1-4), 422-426 (2003)
107 MOVPE Growth and Characterization of High-In Content InGaPN Alloy Films Lattice-Matched to GaP S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, N. Nakadan, T. Kimura, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2773-2777 (2003)
108 Microstructures, Defects, and Localization Luminescence in InGaAsN Alloy Films F. Nakajima, S. Sanorpim, T. Yamamoto, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2778-2781 (2003)
109 Hall Effect Measurement Study of InAsN Alloy Films Grown Directly on GaAs(001) Substrates by RF-MBE M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2765-2768 (2003)
110 Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 234 (3), 877-881 (2002)
111 Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures R. Katayama, M. Kobayakawa, A. Nagayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki Compound Semicond. 170, 725-730 (2002)
112 Reduction of Planar Defect Density in Laterally Overgrown Cubic-GaN on Patterned GaAs(001) Substrates by MOVPE S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 234 (3), 840-844 (2002)
113 Structural Study on Stacking Faults in GaN/GaAs (001) Heterostructures A. Nagayama, H. Sawada, E. Takuma, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. Shiraki Compound Semicond. 170, 749-754 (2002)
114 Physical Mechanisms of Photoluminescence of InGaAs(N) Alloy Films Grown by MOVPE S. Sanorpim, F. Nakajima, S. Imura, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (b) 234 (3), 782-786 (2002)
115 Cubic-GaN Films on GaAs(001) Substrates without Deep-Level Luminescence Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy K. Onabe, J. Wu, R. Katayama, F. H. Zhao, A. Nagayama, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (a) 180 (1), 15-19 (2000)
116 Substrate Misorientation Dependence of the Hexagonal Phase Inclusion in Cubic GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy A. Nagayama, R. Katayama, N. Nakadan, K. Miwa, H. Yaguchi, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki phys. stat. sol. (a) 176 (1), 513-517 (1999)
117 Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.C. Kim, T. Watanabe, and S. Miyata Nonlinear Opt. 22, 433-436 (1999)

プロシーディング
1 Fabrication of InGaN/GaN Nanodisk Structure by using Bio-template and Neutral Beam Etching Process Y.C. Lai, A. Higo, C.Y. Lee, C. Thomas, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Kiba, P.Y. Yu, I. Yamashita, A. Murayama, and S. Samukawa Proc. 15th IEEE Int. Conf. Nanotechnol., 1278-1281 (2015)
2 Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, and T. Matsuoka Proc. SPIE 8268, 826814-1-10 (2012)
3 III-V-N alloys grown by MOVPE in H2 and N2 mixed carrier gases S. Kuboya, Q.T. Thieu, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. SPIE 8268, 826801-1-7 (2012)
4 Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi The Phys. Semicond.: Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS) 2012, 538-539 (2012)
5 Cubic III-nitrides: potential photonic materials K. Onabe, S. Sanorpim, H. Kato, M. Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S. Kuboya, and R. Katayama Proc. SPIE 7945, 794517-1-8 (2011)
6 Optical properties of narrow-bandgap dilute nitrides S. Kuboya, M. Kuroda, Q.T. Thieu, R. Katayama, and K. Onabe Proc. SPIE 7945, 794518-1-7 (2011)
7 Paving the way to high-quality indium nitride: The effects of pressurized reactor T. Matsuoka, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T.Zhang, K. Prasertsuk, and R. Katayama Proc. SPIE 7945, 794519-1-5 (2010)
8 Photoreflectance study of strained GaAsN/GaAs T-junction quantum wires grown by MOVPE P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. Int. Nanoelectron. Conf. (INEC) 2010, 402-403 (2010)
9 Visible photoluminescence from InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 695-700 (2007)
10 Characterization of MOVPE grown GaAs1-xNx/GaAs multiple quantum wells emitting around 1.3-μm-wavelength region P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 701-706 (2007)
11 Self-Assembled InAsN Quantum Dots grown on GaAs by MOVPE S. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2007), 359-364 (2007)
12 High optical quality cubic GaN microcrystals grown on a GaAs substrate by RF-MBE R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2005), 33-34 (2005)
13 The compositional and optical characterizations of InGaAsN alloy semiconductor grown by MOVPE S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 744, M10.9.1-6 (2003)
14 Electroreflectance and Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructure R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki Proc. 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2003), 170-174 (2003)
15 Surface Modification of Cubic GaN Buffer Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy A. Nagayama, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Sawada, E. Takuma, H. Ichinose, and Y. Shiraki Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G3.20.1-6 (2000)
16 Sublattice Inversion Epitaxy of Compound Semiconductor for Quadratic Nonlinear Optical Devices S. Koh, A. Ebihara, R. Katayama, T. Kondo, and R. Ito Proc. Nonlinear Opt. '98: Mater., Fund. and Appl. Topical Meeting, 230-232 (1998)