研究成果

　　
学会発表
1AlGaN/AlN歪超格子を有する分極電界誘起第二高調波発生デバイス谷川 智之，Shahzeb Malik，正直 花奈子，伊藤 雅晃，百崎 怜，本田 啓人，三宅 秀人，上向井 正裕，片山 竜二第72回応用物理学会春季学術講演会口頭2025/03/14～
　2025/03/17
2ワイドギャップ半導体光集積プラットフォーム開発と 光コンピューティング応用片山竜二光産業技術振興協会マンスリーセミナー招待2025/03/11
3AlGaN-Based Wavelength Converters with Structural Singularities: Multiple Polarity Inversion and Strained-Layer SuperlatticesRyuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TanikawaSPIE Photonics West 2025招待2025/01/25～
　2025/01/30
4Novel Wavelength Conversion Device Structures based on GaN and AlNRyuji KatayamaUK Nitrides Consortium Winter Meeting 2025, UKNC2025招待2025/01/08～
　2025/01/09
5Demonstration of 230nm far-UV second harmonic generation in a vertical non-inverted AlN/AlGaN superlattice strained multilayers channel waveguideShahzeb Malik, Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)口頭2024/11/03～
　2024/11/08
6Far Ultraviolet Second Harmonic Generation in Polarity Inverted AlN Bilayer Channel Waveguide Pumped by CW LaserHiroto Honda, Akinori Asai, Kento Tome, Keiji Morishita, Shin Kato, Hiroyasu Fujiwara, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024)口頭2024/11/03～
　2024/11/08
7Remote Ferroelectric Doping for Monolayer MoS2: Unveiling the Impact of h-BN Spacer ThicknessKAIPENG RONGInternational Conference on Recent Progress in Graphene and 2D materials Research口頭2024/07/17～
　2024/07/20
8199 nm VUV coherent light emission from ultracompact SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laserTomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji KatayamaAdvanced Solid State Lasers Conferenceポスタ2024/10/20～
　2024/10/24
9Study on AlN Surface Oxidation for Polarity-Inverted Stacking StructuresTomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Ryota Akaike, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto MiyakeThe 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS2024口頭2024/10/13～
　2024/10/17
10Pulsed Sputtering Growth of GaN film using Sintered TargetKohei Nomura, Koo Bando, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa andRyuji Katayama第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
11199 nm Second Harmonic Generation from SrB4O7 Vertical Microcavity DeviceHaruki Matsumoto, Tomoaki Nambu, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
12Fabrication of LiNbO3/GaN Transverse Quasi-Phase-Matched SPDC Device for Integrated Photonic Quantum DevicesT.Einaga, R.Sugano,M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
13Demonstration of Second Harmonic Generation using 4-Layer Polarity Inverted AlN WaveguideE.Sato, H.Honda, R.Momosaki, T.Tamano, K.Shojiki, H.Miyake, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
14Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation from AlN Polarity Inverted Rib Waveguide by Patterned Wafer BondingRyo Momosaki, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
15GaN p-i-n Structure Electric-Field Driven Mach-Zehnder Interferometer for High-Speed ModulationR.Sugano,M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
16Linear/Nonlinear Quasi-Phase Matched Photon Pair Generation Device Using InGaN Laser Epitaxial WaferT. Wada, H. Ogawa, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
17Design of GaN-based Vertical External Cavity Surface Emitting Laser for Far-Ultraviolet Second Harmonic GenerationM. Ito, H. Matsumoto, T. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
18Design Semi-polar (1-101) InGaN Quantum Well Structure for High-Efficiency Red Light-Emitting DiodesK. Uchihara, Y.Sano, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama,第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
19Large-Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyY. Sano, K.Uchihara, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama第43回電子材料シンポジウムポスタ2024/10/02～
　2024/10/04
20ワイドギャップ半導体多層構造のマルチスケール評価谷川 智之, 石井 由也. 山﨑 順, 田中 敦之, 本田 善央, 上向井 正裕, 片山 竜二第85回応用物理学会秋季学術講演会招待2024/09/16～
　2024/09/20
21多層極性反転積層構造の作製に向けたN極性GaN/Ga極性GaNエピタキシャル極性反転プロセス池田 和久，上田 佳奈子，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第85回応用物理学会秋季学術講演会口頭2024/09/16～
　2024/09/20
22強誘電リモートドーピングによる単層MoS2のキャリア変調およびh-BN中間層による遮蔽効果栄　凱蓬, 野呂　諒介, 西垣　颯人, 丁 明达, 姚 瑶, 井ノ上　泰輝, 片山　竜二, 小林　慶裕, 松田　一成, 毛利　真一郎第85回応用物理学会秋季学術講演会口頭2024/09/16～
　2024/09/20
23AlN積層構造における極性反転への酸化プロセスの影響玉野 智大，正直 花奈子，赤池 良太，中村 孝夫，佐藤 栄希，本田 啓人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人第85回応用物理学会秋季学術講演会口頭2024/09/16～
　2024/09/20
24焼結体ターゲットを用いたGaN薄膜のパルススパッタ成長野村 航平, 板東 廣朗, 上岡 義弘, 楠瀬 好郎, 召田 雅実, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二第85回応用物理学会秋季学術講演会口頭2024/09/16～
　2024/09/20
252層極性反転AlN導波路を用いたCW半導体レーザ励起による230 nm帯遠紫外第二高調波発生本田 啓人，浅井 昭典，當銘 賢人，森下 桂嗣，加藤 伸藤，藤原 弘康, 正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二第85回応用物理学会秋季学術講演会口頭2024/09/16～
　2024/09/20
26強誘電体を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドへのキャリアドーピングにおけるh-BN中間層の効果栄 凱蓬, 于 沛杉, 野呂 諒介, 西垣 颯人, 丁 明達, 姚 瑶, 井ノ上 泰輝,片山 竜二, 小林 慶裕, 松田 一成, 毛利 真一郎日本物理学会 秋季大会口頭2024/09/16～
　2024/09/19
27AlN系光導波路型波長変換デバイスの開発：遠紫外第二高調波発生とスクイーズド光源応用本田 啓人国際光デーシンポジウムポスタ2024/07/25
28新規波長変換デバイスによる遠紫外光発生と量子情報処理・機械学習応用片山 竜二，三宅 秀人，吉村 政志，上向井 正裕，谷川 智之多元技術融合光プロセス研究会口頭2024/07/24
29高速変調に向けたGaN p-i-n構造電界印加型マッハツェンダ干渉計に関する研究菅野竜輝，上向井正裕，谷川智之，片山竜二日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会口頭2024/07/20
30SrB4O7垂直微小共振器からの199nm第二高調波発生松本知季，南部誠明，上向井正裕，谷川智之，片山竜二日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会口頭2024/07/20
31パターンウエハ接合を用いたAlN極性反転リブ導波路による遠紫外第二高調波発生百崎怜，本田啓人，古川裕也，旭雄大，岡山芳央，上向井正裕，谷川智之，片山竜二日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会口頭2024/07/20
32N極性GaN薄膜の有機金属気相成長におけるInサーファクタント効果池田和久，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会ポスタ2024/05/30～
　2024/06/01
33−c-ZnO/+c-GaN横型擬似位相整合チャネル導波路の設計と作製谷川智之，畠中祐喜，本田啓人，阿部友紀，上向井正裕，片山竜二第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会ポスタ2024/05/30～
　2024/06/01
34周期スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ上向井 正裕, 楠井 大晴, 和田 拓巳, 谷川 智之, 片山 竜二第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会招待2024/05/30～
　2024/06/01
35Interlayer-Free GaN Epitaxial Polarity Inversion by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyKazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)口頭2024/05/12～
　2024/05/17
36Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Multiple Quantum Wells (MQWs) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic GenerationShahzeb Malik, Masaaki Ito , Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)口頭2024/05/12～
　2024/05/17
37横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証佐藤栄希，本田啓人，百崎怜，玉野智大，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第71回応用物理学会春季学術講演会口頭2024/03/22～
　2024/03/25
38AlN/SiNx水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製本田 啓人，上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二第71回応用物理学会春季学術講演会口頭2024/03/22～
　2024/03/25
39有機金属気相成長法による中間層フリーGaN極性反転積層構造の作製池田和久，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第71回応用物理学会春季学術講演会口頭2024/03/22～
　2024/03/25
40超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス南部 誠明，中原 智裕，安田 悠馬，藤原 康文，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第71回応用物理学会春季学術講演会招待2024/03/22～
　2024/03/25
41波長変換を用いた波長220 nm帯遠紫外光源の開発片山 竜二，三宅 秀人，吉村 政志，上向井 正裕，谷川 智之第71回応用物理学会春季学術講演会招待2024/03/22～
　2024/03/25
42多光子励起フォトルミネッセンス法によるワイドギャップ半導体の結晶欠陥の３次元評価谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 第 5 回研究会招待2024/03/14
43超短パルスレーザー励起におけるGaN垂直微小共振器からの青色第二高調波発生南部 誠明，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二電子情報通信学会総合大会 レーザ・量子エレクトロニクス（LQE）招待2024/03/04～
　2024/03/08
44遠紫外波長変換光源開発の進展：モノリシック微小共振器片山竜二，南部誠明，吉村政志，上向井正裕，谷川智之ワイドギャップ半導体学会 第15回研究会 ～次世代紫外光源の新展開～招待2024/03/01
45多光子吸収顕微鏡による転位の3次元計測谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二日本学術振興会・産学協力委員会 R025 先進薄膜界面機能創成委員会 第18回委員会・第17回研究会「薄膜・界面の最先端実験室系評価技術」招待2024/02/20～
　2024/02/21
46Far UV light generation by AlN-based wavelength conversion devicesRyuji KatayamaSPIE Photonics West 2024招待2024/01/27～
　2024/02/01
47InGaN 周期スロットレーザーのCW 波長可変単一モード動作実証楠井 大晴，和田 拓巳，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二レーザー学会学術講演会第44回年次大会口頭2024/01/16～
　2024/01/19
48パターンウエハ接合によるAlNAlN 極性反転横型擬似位相整合リブ導波路を用いた遠紫外第二高調波発生百崎 怜 ，本田 啓人 , 古川 裕也, 旭 雄大, 岡山 芳央, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二レーザー学会学術講演会第44回年次大会口頭2024/01/16～
　2024/01/19
49横型擬似位相整合導波路およびモノリシック微小共振器からの遠紫外第二高調波発生片山竜二，吉村政志，上向井正裕，谷川智之レーザー学会学術講演会第44回年次大会招待2024/01/16～
　2024/01/19
504層極性反転AlN薄膜のスパッタ‧アニール法による作製と界面評価玉野 智大，正直 花奈子，秋山 亨，本田 啓人，佐藤 栄希，上杉 謙次郎，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人第52回 結晶成長国内会議 JCCG-52口頭2023/12/04～
　2023/12/06
51Spatial and remote charge density modulation method for MoS2 using periodically polarization inversed MgO: LiNbO3Kaipeng Rong , Ryosuke Noro , Hayato Nishigaki , Mingda Ding , Yao Yao , Taiki Inoue , Ryuji Katayama , Yoshihiro Kobayashi , Kazunari Matsuda and Shinichiro Mouri36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023)口頭2023/11/14～
　2023/11/17
52Design of AlN/Ta2O5 Horizontally Stacked Transverse-QPM Channel Waveguide for Squeezed Light GenerationHiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tanikawa Tomoyuki, Ryuji Katayama14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
53Fabrication of transverse quasi-phase-matched channel waveguide using 4-layer polarity inverted AlN structure for second harmonic generationEiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
54Fabrication of AlN Polarity Inverted Transverse QPM Rib WaveGuide for Second Harmonic Generation Fabricated by Patterned Wafer BondingRyo Momosaki, Hiroto Honda, Yuya Furukawa, Takehiro Asahi, Yoshio Okayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
55Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semipolar (1-101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates for MicroLED ApplicationNaofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
56Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/–c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Photon Pair Generation Device ApplicationKazuhisa Ikeda, Yuya Furukawa, Tomotaka Murata, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
57Fabrication of Multiple Polarity Inverted AlN Structures by Multiple Sputtering and High-Temperature AnnealingTomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hiroto Honda, Eiki Sato, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14口頭2023/11/12～
　2023/11/17
58Nitride-semiconductor-based wavelength convertersRyuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14招待2023/11/12～
　2023/11/17
59等方性常誘電体による遠紫外波長変換と量子光源応用：極性反転AlN導波路とSrB4O7微小共振器片山竜二，吉村政志，上向井正裕，谷川智之光材料応用技術研究会招待2023/11/10
60Horizontally Stacked Transverse QPM Channel Waveguide for Squeezed Light GenerationH. Honda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
61Fabrication of InGaN Tunable Single-Mode Laser Using Periodically Slotted StructureT. Kusui, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
62High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler for GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Photon Pair Generation DeviceY. Furukawa, H. Honda, K. Ikeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
63Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using 4-Layer Polarity Inverted AlN Structure for Second Harmonic GenerationE. Sato, H. Honda, R. Momosaki, T. Tamano, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
64Fabrication Process for Large Area Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semi-polar (1-101) GaN on Patterned Si SubstrateN. Takeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
65InGaN Tapered Semiconductor Optical Amplifier for Laser Isotope SeparationT. Wada, T. Kusui, M Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
66AlN polarity inverted transverse QPM rib waveguide for second harmonic generation fabricated by patterned wafer bondingR. Momosaki, H. Honda, Y. Furukawa, T. Asahi, Y. Okayama, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2023/10/11～
　2023/10/13
67Remote charge modulation effect of monolayer MoS2 using periodically polarization-inverted structure and hBN spacer layerRong Kaippeng, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, MIngda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro Mouri第84回応用物理学会秋季学術講演会口頭2023/09/19～
　2023/09/23
68GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器古川 裕也，本田 啓人，池田 和久，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第84回応用物理学会秋季学術講演会口頭2023/09/19～
　2023/09/23
69超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生南部 誠明，中原 智裕，安田 悠馬，藤原 康文，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第84回応用物理学会秋季学術講演会口頭2023/09/19～
　2023/09/23
70Remote charge density modulation of monolayer MoS2 using periodically polarization-inversed ferroelectric substrateKaipeng Rong, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro MouriThe 65-th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposiumポスタ2023/09/04～
　2023/09/06
71電界印加型GaN 導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討菅野 竜輝第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップポスタ2023/09/04～
　2023/09/05
72横型擬似位相整合光子対発生デバイス応用に向けたZnO の 極性制御成長」畠中 祐喜第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップポスタ2023/09/04～
　2023/09/05
73深溝周期構造を用いたInGaN 波長可変単一モードレーザに関する研究楠井 大晴第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップポスタ2023/09/04～
　2023/09/05
74「水平方向積層横型擬似位相整合導波路の設計」本田 啓人第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップポスタ2023/09/04～
　2023/09/05
75光AI アクセラレータ応用へ向けた電界印加型GaN マッハツェンダ干渉計に 関する研究亀井 拓哉第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ口頭2023/09/04～
　2023/09/05
76パターンウエハ接合を用いたAlN 極性反転導波路型波長変換デバイスに関する研究百崎 怜第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ口頭2023/09/04～
　2023/09/05
77大口径化に向けた加工Si 基板上への半極性GaN のMOVPE MOVPE MOVPE MOVPE 選択成長プロセス竹田 尚史第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ口頭2023/09/04～
　2023/09/05
78「GaN 横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起 グレーティング結合器」古川 裕也第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ口頭2023/09/04～
　2023/09/05
79微小共振器型波長変換デバイスを用いた固体真空紫外光源の開発​南部 誠明国際光デー公開シンポジウム 光がもたらす未来社会～ICOの新たな発展に向けて～ポスタ2023/07/10
80大口径化に向けた加工Si基板上への半極性GaNのMOVPE選択成長プロセス竹田尚史，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第15回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2023/06/15～
　2023/06/17
81Far UV light generation by nitride-based wavelength conversion devicesRyuji KatayamaThe 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices IWUMD2023招待2023/06/05～
　2023/06/08
82Doping Effect of MOS2 using Periodically Polarization-Inversed SubstrateK. Rong, R. Noro, H. Nishigaki, M. Ding, Y. Yao, T. Inoue, R. Katayama, Y. Kobayashi, S. MouriThe 23rd International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-Dimensional Materials NT23ポスタ2023/06/04～
　2023/06/09
83ワイドギャップ半導体を用いた集積型スクイーズド光源の開発片山 竜二応用物理学会 結晶工学分科会 第158回研究会：量子技術と結晶工学招待2023/04/21
84光ニードル顕微鏡法を用いたGaN結晶内転位の3次元可視化における球面収差補正と空間分解能の評価三浦 祐樹, 小澤 祐市, 谷川 智之, 上杉 祐貴, 佐藤 俊一第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
85GaN光導波路電界印加型マッハツェンダ干渉計の構造検討と作製亀井 拓哉，菅野 竜輝，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
86DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長長谷川 大輔，本田 達也，上山 智，高橋 伸明，三浦 仁嗣，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
87多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計本田 啓人，百崎 怜，玉野 智大，正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
88マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転AlN構造の作製玉野 智大，正直 花奈子，本田 啓人，上杉 謙次郎，肖 世玉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
89多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光西河 巴賀，谷川 智之，本田 啓人，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二第70回応用物理学会春季学術講演会口頭2023/03/15～
　2023/03/18
90Doping effect of MoS2 using periodically polarization-inversed structureKaipeng Rong, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Shinichiro Mouri第64回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウムポスタ2023/03/01～
　2023/03/03
91グレーティング結合器集積化GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの設計と作製古川 裕也，池田 和久，本田 啓人，村田 知駿，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二レーザー学会学術講演会第43回年次大会口頭2023/01/18～
　2023/01/20
92電界印加位相シフタを有するGaN導波路型マッハツェンダ干渉計の設計と作製菅野 竜輝，亀井 拓哉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二レーザー学会学術講演会第43回年次大会口頭2023/01/18～
　2023/01/20
93高効率スクイーズド光発生に向けたMgO:CLN/GaN横型擬似位相整合導波路波長変換デバイスの作製野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二レーザー学会学術講演会第43回年次大会口頭2023/01/18～
　2023/01/20
94SrB4O7微小共振器型 深紫外第二高調波発生デバイス南部 誠明，森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 レーザー学会学術講演会第43回年次大会口頭2023/01/18～
　2023/01/20
95電界印加型GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討亀井拓哉，菅野竜輝，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第14回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2022/11/24～
　2022/11/26
96a面GaN/c面GaNの表面活性化接合に向けた表面平坦化プロセス安田悠馬，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第14回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2022/11/24～
　2022/11/26
97SiC基板上へのクラックフリーGaN/AlN DBRの有機金属気相成長村田 知駿, 谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二第51回 結晶成長国内会議 JCCG-51口頭2022/10/31～
　2022/11/02
98Three-Dimensional Feature of Nanopipes in EFG-Grown (010) β-Ga2O3 CrystalT. Nishikawa , M. Tsukakoshi , K. Goto , H. Murakami , Y. Kumagai , M. Uemukai , T. Tanikawa , and R. KatayamaThe 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials IWGO-4ポスタ2022/10/23～
　2022/10/27
99Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-Phase-Matched Channel WaveguideY. Furukawa, H. Honda, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2022/10/19～
　2022/10/21
100Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technologyK. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2022/10/19～
　2022/10/21
101Deep-Ultraviolet Second-Harmonic Generation from Microcavity Structure with SrB4O7 Nonlinear Optical CrystalT. Nakahara, T. Nambu, Y. Mori, M. Yoshimura, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, R. Ishii, Y. Kawakami, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第41回電子材料シンポジウム EMS41ポスタ2022/10/19～
　2022/10/21
102Wavelength Conversion Device Application of Widegap Semiconductors: Far-UV Light Sources and Quantum ComputersR. Katayama, and T. Tanikawa第41回電子材料シンポジウム EMS41招待2022/10/19～
　2022/10/21
103Evaluation of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN WaveguideNaoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama28th International Semiconductor Laser Conference ISLC2022口頭2022/10/16～
　2022/10/19
104Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase EpitaxyT. Murata, K. Ikeda, J. Yamasaki, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama,International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022ポスタ2022/10/09～
　2022/10/14
105Second Harmonic Generation of 230 nm DUV Light from Transverse Quasi-Phase-Matched −c-AlN/+c-AlN Channel WaveguideH. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, , H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaInternational Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022口頭2022/10/09～
　2022/10/14
106Blue Second Harmonic Generation from GaN Monolithic MicrocavityT. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaInternational Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022口頭2022/10/09～
　2022/10/14
107Identification of Burgers Vectors of Threading Dislocations in HVPE- Grown GaN using Multiphoton-Excitation PhotoluminescenceT. Tanikawa, Y. Ishii, M. Tsukakoshi, R. Terada, M. Adachi, M. Uemukai, R. KatayamaInternational Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022口頭2022/10/09～
　2022/10/14
108234 nm deep ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 microcavityTomoaki NambuThe 12th International Conference of Photonics and Applications ICPA-12口頭2022/09/28～
　2022/10/01
109微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバイスの設計中原 智裕，南部 誠明，安田 悠馬，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第83回応用物理学会秋季学術講演会口頭2022/09/20～
　2022/09/23
110MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製田 和久，村田 知駿，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第83回応用物理学会秋季学術講演会口頭2022/09/20～
　2022/09/23
1112層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生本田 啓人，正直 花奈子，上杉 謙次郎，三宅 秀人，芹田 和則，村上 博成，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第83回応用物理学会秋季学術講演会口頭2022/09/20～
　2022/09/23
112HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生本田 啓人，正直 花奈子，上杉 謙次郎，三宅 秀人，芹田 和則，村上 博成，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第83回応用物理学会秋季学術講演会招待2022/09/20～
　2022/09/23
113窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発正直 花奈子，本田 啓人，上杉 謙次郎，肖 世玉，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人第83回応用物理学会秋季学術講演会招待2022/09/20～
　2022/09/23
114波長343 nm紫外光発生に向けたMgO:SLT2 μm周期分極反転和周波発生デバイスの作製西垣 颯人第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップポスタ2022/09/08～
　2022/09/09
115多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3 結晶中の欠陥の非破壊評価西河 巴賀第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップポスタ2022/09/08～
　2022/09/09
116SiC基板上へのクラックフリーGaN/AlN DBRの有機金属気相成長村田 知駿第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップポスタ2022/09/08～
　2022/09/09
117モノリシック集積マイクロLEDに向けたGaN面方位変調テンプレートの作製安田 悠馬第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップポスタ2022/09/08～
　2022/09/09
118ガラス基板上へのパルススパッタ法を用いたInGaN成長長谷川 大輔第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ口頭2022/09/08～
　2022/09/09
119AlN極性反転積層構造を用いた遠紫外第二高調波発生デバイス本田 啓人第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ口頭2022/09/08～
　2022/09/09
120ScAlMgO4基板上へのZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計矢野 岳人第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ口頭2022/09/08～
　2022/09/09
121Three-dimensional characterization of threading dislocations in heteroepitaxial diamond substrate using multiphoton-excitation photoluminescenceTomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Shinya OhmagariThe 32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials ICDCM2022口頭2022/09/04～
　2022/09/08
122SrB4O7微小共振器を用いた深紫外第二高調波発生南部 誠明, 田中 康教, 森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二レーザー学会第564回研究会：高機能個体レーザーとその応用口頭2022/07/15
123波長変換を用いた230 nm帯遠紫外全固体光源開発片山 竜二，上向井 正弘，谷川 智之応用物理学会 応用電子物性分科会 研究会：窒化物半導体光デバイスの最前線～最先端レーザと物性応用デバイス～招待2022/06/02
1243D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation PhotoluminescenceT. Nishikawa, M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama, K. Goto, H. Murakami, Y. KumagaiMRS Spring Meeting 2022口頭2022/05/23～
　2022/05/25
125Design of Transverse Quasi-Phase-Matched Non-Polar/AlN Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic GenerationHiroto Honda,Soshi Umeda,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Maki Kushimoto, Yasufumi Fujiwara,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji KatayamaMRS Spring Meeting 2022口頭2022/05/23～
　2022/05/25
127230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた​横型擬似位相整合AlNチャネル導波路本田 啓人極性制御研究会口頭2022/05/19
128波長変換を用いた遠紫外全固体光源開発片山 竜二極性制御研究会招待2022/05/19
129GaN Directional Coupler for application to Mach-Zehnder Interferometer based GaN optical AI chipT. Kamei, Y. Hisada, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第10回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2022口頭2022/04/21～
　2022/04/22
130Design and Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched HfO2/AlN Channel Waveguide for 230-nm Far-UV Second Harmonic GenerationH. Honda, K. Shojiki, , H. Miyake, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第10回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2022口頭2022/04/21～
　2022/04/22
131Design of LiNbO3/GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device for High Efficiency Squeezed Light GenerationRyosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama第11回 先進的レーザと光源技術に関する国際会議 ALPS2022口頭2022/04/18～
　2022/04/21
132ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板中の貫通転位の伝搬挙動谷川 智之，大曲 新矢，上向井 正裕，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
133電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価亀井 拓哉，久田 雄太，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
134高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計野呂 諒介，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
135EFG成長 (010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状西河 巴賀，塚越 真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
136SrB4O7微小共振器を用いた234 nm深紫外第二高調波発生南部 誠明，田中 康教，森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
137230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製本田 啓人，俵 悠弥，藤原 康文，正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
138GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価嶋田 慶也，石原 弘基，梅田 颯志，横山 尚生，本田 啓人，井上 翼，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，中野 貴之第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
139GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光谷川 智之，塚越 真悠子，宇佐美 茂佳，今西 正幸，森 勇介，川崎 晟也，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二第69回応用物理学会春季学術講演会口頭2022/03/22～
　2022/03/26
140Deep UV Emission from Nitride-Based Wavelength ConvertorRyuji KATAYAMAThe 14 th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022)招待2022/03/06～
　2022/03/10
141集積連続量光量子コンピュータに向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合スクイーザの設計野呂 諒介大阪大学フェローシップ 量子リーダー人材(QLEAR) 令和３年度研究者交流会ポスタ2022/03/08
142波長変換を用いた遠紫外全固体光源開発片山 竜二ワイドギャップ半導体学会 第四回研究会 ～深紫外発光素子の新展開と応用展望～招待2021/12/09
143フルカラーInGaN多重量子井戸の作製に向けた接合可能な非極性GaN平坦膜の成長安田悠馬，谷川智之，上向井正裕，片山竜二第13回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2021/12/02～
　2021/12/04
144多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察西河 巴賀，塚越 真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第13回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2021/12/02～
　2021/12/04
145拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戶の有機金属気相選択成⻑吉田新，正直花奈子，三宅秀人，谷川智之，上向井正裕，片山⻯二第50回 結晶成長国内会議 JCCG-50ポスタ2021/10/27～
　2021/10/29
146ファイア基板上N極性GaN薄膜の有機金属気相成⻑における平坦化条件の探索池田和久, 村田知駿, 上向井正裕,谷川智之,片山⻯二第50回 結晶成長国内会議 JCCG-50口頭2021/10/27～
　2021/10/29
147Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading DislocationsM. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
148Fabrication of Orientation Modulated GaN Template for Monolithic Integrated Full-Color InGaN Light-Emitting DiodesY. Yasuda, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
149Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser ExcitationN. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
150Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase EpitaxyT. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
151Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic GenerationH. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
152Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic GenerationS. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
153Fabrication of 3.3 um Periodically-Poled MgO:SLT Structure for Quantum Light Sources at 810 nmH. Nishigaki, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第40回電子材料シンポジウム EMS40ポスタ2021/10/11～
　2021/10/13
154有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発村田知駿，谷川智之，上向井正裕，片山竜二第82回応用物理学会秋季学術講演会ポスタ2021/09/10～
　2021/09/13
155電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製久田雄太，亀井拓哉，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第82回応用物理学会秋季学術講演会口頭2021/09/10～
　2021/09/13
156多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング西河巴賀，塚越真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷義直，谷川智之，上向井正裕，片山竜二第82回応用物理学会秋季学術講演会口頭2021/09/10～
　2021/09/13
157230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計本田啓人，梅田颯志，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第82回応用物理学会秋季学術講演会口頭2021/09/10～
　2021/09/13
158230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製梅田颯志，本田啓人，南部誠明，市川修平，藤原康文，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第82回応用物理学会秋季学術講演会口頭2021/09/10～
　2021/09/13
159Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond LaserN. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)口頭2021/09/07～
　2021/09/09
160Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation PhotoluminescenceT. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, and R. KatayamaSemiconNano2021招待2021/08/30～
　2021/09/03
161窒化物半導体の波長変換デバイス応用谷川智之応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会招待2021/08/23
162多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術谷川智之日本学術振興会第R032委員会 第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」招待2021/08/06
163MgO:SLTを用いた3.3 μm周期分極反転構造の作製野呂諒介，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
164InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ樋口晃大，松下就哉，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
165広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製永田拓実，梅田颯志，隈部岳瑠，安藤悠人，出来真斗，本田善央，天野 浩，トーマスポージン，山田和輝，岩谷素顕，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
166230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製本田啓人，永田拓実，市川修平，藤原康文，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
167AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討南部誠明，矢野岳人，永田拓実，田辺 凌，梅田颯志，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
168GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価横山尚生，村田知駿，本田啓人，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
169表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長田辺 凌，吉田 新，安田悠馬，上向井正裕，谷川智之，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
170GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析谷川智之，足立真理子，寺田陸斗，塚越真悠子，上向井正裕，片山竜二第68回応用物理学会春季学術講演会口頭2021/03/16～
　2021/03/19
171 Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mappingT. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. KatayamaSPIE Photonics West 2021招待2021/03/03～
　2021/03/06
172Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavitiesR. Katayama, M. Uemukai, and T. TanikawaSPIE Photonics West 2021招待2021/03/03～
　2021/03/06
173Core structure of threading dislocations in GaNT. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8)口頭2021/03/01～
　2021/03/03
174Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imagingM. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8)口頭2021/03/01～
　2021/03/03
175Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor WaveguidesR. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8)口頭2021/03/01～
　2021/03/03
176多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察谷川智之新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会口頭2021/02/24
177窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御片山 竜二新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会口頭2021/01/13
178ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生片山 竜二応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 紫外材料 ・デバイス開発の最前線 ～物性の理解 とデバイス開発～招待2020/11/18
179Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated BondingNaoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
180Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imagingM. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
181Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG DeviceSoshi Umeda, Takumi Nagata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
182Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High Power Second Harmonic GenerationRyosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
183First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted StructureAkihiro Higuchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
184Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating CouplerTomotaka Murata, Naoki Yokoyama, Tenta Komatsu, Yoshiki Morioka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
185Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase ShifterA. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
186Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder InterferometerY. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
187Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC SputteringYuna Onishi, Hitoshi Miura, Nobuaki Takahashi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
188Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair GenerationTakumi Nagata, Soshi Umeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
189Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4Shin Yoshida, Naoya Ryoki, Kentaro Miyano, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
190Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic GenerationHiroto Honda, Naoki Yokoyama, Asahi Yamauchi,Tenta Komatsu, Kanako Shojiki, Hideto Miyake,Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama第39回 電子材料シンポジウム EMS39ポスタ2020/10/07～
　2020/10/09
191ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用：遠UVC全固体光源片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之第81回 応用物理学会秋季学術講演会招待2020/09/08～
　2020/09/11
192量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計矢野 岳人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
193高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路野呂 諒介，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
194広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの設計永田 拓実，梅田 颯志，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
195周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ樋口 晃大，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
196多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE -GaN 結晶の貫通転位の観察と分類 (2)塚越 真悠子，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
197グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス横山 尚生，森岡 佳紀，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第81回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2020/09/08～
　2020/09/11
198多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別谷川 智之，塚越 真悠子，上向井 正裕，片山 竜二第12回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2020/07/03
199Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bondingN. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20ポスタ2020/04/21～
　2020/04/23
200Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG deviceS. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20口頭2020/04/21～
　2020/04/23
201Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescenceM. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20口頭2020/04/21～
　2020/04/23
202Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laserA. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20口頭2020/04/21～
　2020/04/23
203Fabrication of Annealed Proton-Exchanged Waveguide in Periodically-Poled MgO:s-LiTaO3 for High Power Second Harmonic GenerationR. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama第9回 先進的レーザと光源技術に関する国際会議 ALPS2020口頭2020/04/20～
　2020/04/22
204AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計梅田 颯志，永田 拓実，彦坂 年輝，布上 真也，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第67回 応用物理学会春季学術講演会口頭2020/03/12～
　2020/03/15
205高出力第二高調波発生に向けた周期分極反転MgO:s-LiTaO3アニールプロトン交換導波路の作製野呂 諒介，岡﨑 雅英，溝端 一国雄，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第67回 応用物理学会春季学術講演会口頭2020/03/12～
　2020/03/15
206表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング横山 尚生，田辺 凌，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第67回 応用物理学会春季学術講演会口頭2020/03/12～
　2020/03/15
207横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発小松 天太，彦坂 年輝，布上 真也，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第67回 応用物理学会春季学術講演会口頭2020/03/12～
　2020/03/15
208多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類塚越 真悠子，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二第67回 応用物理学会春季学術講演会口頭2020/03/12～
　2020/03/15
209Second harmonic generation devices with transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguideA. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaSPIE Photonics West 2020口頭2020/02/01～
　2020/02/06
210Fabrication of +c/-c AlN Structure toward IR Wavelength ConversionY. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, R. Katayama, A. Sakai and H. MiyakeInternational Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)口頭2019/11/27～
　2019/11/30
211Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphoton-excitation photoluminescenceT. TanikawaAPWS2019招待2019/11/10～
　2019/11/15
212Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN WaveguideA. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaAPWS2019ポスタ2019/11/10～
　2019/11/15
213Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical ApplicationT. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaAPWS2019ポスタ2019/11/10～
　2019/11/15
214Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated BondingR. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. KatayamaAPWS2019ポスタ2019/11/10～
　2019/11/15
215Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG DeviceT. Nagata, M. Uemukai, , T. Hikosaka, S. Nunoue , T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. KatayamaAPWS2019口頭2019/11/10～
　2019/11/15
216近赤外波長変換に向けた+c/-c AlN構造の作製林 侑介，上杉 謙次郎，正直 花奈子，片山 竜二，藤平 哲也，酒井 朗，三宅 秀人応用物理学会関西支部 2019年度第2回 支部講演会ポスタ2019/11/08
217Quantum Optical Application of Nitride SemiconductorR. Katayama, M. Uemukai and T. TanikawaInternational Workshop on Creation of Singularity Structures招待2019/10/18
218Design of InGaN Single-Mode Laser with Periodically Slotted StructureD. Tazuke, A. Higuchi, T. Hikosaka, T. Oka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
219Optimization of annealing temperature to reduce contact resistance on p-GaN toward fabrication of InGaN single-mode laserA. Higuchi, D. Tazuke, T. Hikosaka, T. Oka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
220Fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG deviceT. Nagata, S. Umeda, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
221Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG DeviceS. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nuoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
222Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN WaveguideA. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
223GaN waveguide directional coupler and wavelength filter for optical quantum applicationM. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
224Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated BondingN. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
225Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si SubstrateR. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
226Design and Evaluation of Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electric-Field Driven Optical Waveguide DevicesA. Tomibayashi, M. Kihira, T. Komatsu, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
227Fabrication of Periodically-Poled Structure in MgO:s-LiTaO3 by Voltage Application with SiO2 Insulation LayerR. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
228Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG DeviceY. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
229Heteroepitaxial Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates by Pulsed DC SputteringS. Imai, Y. Onishi, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
230Pulsed DC sputtering growth of Mg-doped GaN thin filmY. Onishi, S, Imai, H, Miura, N, Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
231Design of ZnO/ZnMgO MQW Microcavity with SiO2/ZrO2 DBR for Quantum Entangled Photon Pair GenerationY. Matsui, T. Yano, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
232Benchmark of Nonlinear Optical Crystals for Single-Path Waveguide Optical Parametric AmplifierT. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama第38回 電子材料シンポジウム EMS38ポスタ2019/10/09～
　2019/10/11
233InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation DevicesM. Uemukai , S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara and R. Katayama第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019招待2019/09/24～
　2019/09/27
234Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG DeviceY. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara and R. Katayama第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019ポスタ2019/09/24～
　2019/09/27
235ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之第80回 応用物理学会秋季学術講演会招待2019/09/18～
　2019/09/21
236量子光学応用のためのGaN 光導波路型波長フィルタの開発小松 天太，紀平 将史，上向井 正裕，谷川 智之，彦坂 年輝，布上 真也，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
237AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器森岡 佳紀，上向井 正裕，上杉 謙次郎，正直 花奈子，三宅 秀人，森川 隆哉，藤原 康文，谷川 智之，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
238横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証山内 あさひ，山口 修平，小野寺 卓也，林 侑介， 三宅 秀人，彦坂 年輝，布上 真也，塩見 圭史，藤原 康文，芹田 和則，川山 巌，斗内 政吉，上向井 正裕，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
2392層極性反転積層AlN光導波路を用いた深紫外域波長変換デバイスの設計山内 あさひ，小松 天太，上杉 謙次郎，正直 花奈子，三宅 秀人，彦坂 年輝，布上 真也，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
240GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作永田 拓実，森川 隆哉，藤原 康文 ，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
241表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価田辺 凌，横山 尚生，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
242多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（１）谷川 智之，小島 一信，粕谷 拓生，秩父 重英，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
243多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（２）小島 一信，谷川 智之，粕谷 拓生，上向井 正裕，片山 竜二，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，秩父 重英第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
244近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製林 侑介，上杉 謙次郎，正直 花奈子，片山 竜二，酒井 朗，三宅 秀人第80回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2019/09/18～
　2019/09/21
245Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor: DUV Laser and Quantum ComputerR. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2019招待2019/09/08～
　2019/09/13
246Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and MicrocavitiesR. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa固体素子と材料に関する国際会議 SSDM2019招待2019/09/02～
　2019/09/05
247Mg 添加定比組成LiTaO3 を用いた擬似位相整合第二高調波発生デバイス野呂 諒介第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップポスタ2019/08/23～
　2019/08/24
248量子光学応用のためのGaN 光導波路型方向性結合器の開発紀平 将史第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップポスタ2019/08/23～
　2019/08/24
249AlN 導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器森岡 佳紀第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップポスタ2019/08/23～
　2019/08/24
250量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO MQW 微小共振器の設計と作製松井 裕輝第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップポスタ2019/08/23～
　2019/08/24
251量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO MQW 微小共振器の設計矢野 岳人第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップポスタ2019/08/23～
　2019/08/24
252電界印加型位相シフタを用いたGaN 光導波路型マハツェンダ干渉計冨林 滉第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2019/08/23～
　2019/08/24
253深紫外用極性反転積層AlN 導波路SHG デバイスの設計小松 天太第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2019/08/23～
　2019/08/24
254単結晶ターゲットによるGaN 薄膜のDC パルススパッタリング成長今井 翔吾第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2019/08/23～
　2019/08/24
255多光子励起フォトルミネッセンス法による三次元測定技谷川 智之第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ招待2019/08/23～
　2019/08/24
256Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization TechnologyT. Tanikawa and T. Matsuoka第19回 結晶成長とエピタキシに関する国際会議 ICCGE19・第19回 米国有機金属気相成長ワークショップ OMVPE-19招待2019/07/28～
　2019/08/02
257Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG DeviceM. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama窒化物半導体国際会議 ICNS2019口頭2019/07/07～
　2019/07/12
258Demonstration of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide SHG Device Fabricated by Surface-Activated Bonding and Silicon RemovalS. Yamaguchi, A. Yamauchi, T. Onodera, M. Uemukai, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama窒化物半導体国際会議 ICNS2019口頭2019/07/07～
　2019/07/12
259Optically Pumped GaN-based Laterally-coupled Distributed-feedback GaN Lasers with 3rd-order Surface Grating Grown on Pendeo-epitaxy GaNT. Ando, K. Takagi, Y. Morioka, M. Uemukai, R. Katayama, D. Imai and T. Miyajima窒化物半導体国際会議 ICNS2019口頭2019/07/07～
　2019/07/12
260スクイーズド光発生のための光導波路型非線形デバイス野呂 諒介，小松 天太量子情報関西Student Chapterポスタ2019/07/01
261Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation PhotoluminescenceA. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi and T. Sugaya第46回 IEEE 太陽光発電専門会議 PVSC 46ポスタ2019/06/16～
　2019/06/21
262窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之第11回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会招待2019/06/13～
　2019/06/14
263多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価谷川智之，松岡隆志第145委員会，第161委員会　合同研究会 「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」招待2019/05/08
264Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and MicrocavitiesR. KatayamaWorkshop on Nitride Semiconductor Lasers招待2019/05/06～
　2019/05/07
265First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal StructureM. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19招待2019/04/23～
　2019/04/25
266Design of ZnO/ZnMgO Multiple Quantum Well Microcavity for Quantum Entangled Photons GenerationT. Yano, Y. Matsui, M. Uemukai and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19口頭2019/04/23～
　2019/04/25
267Design of GaN-waveguide-based Mach-Zehnder Interferometer Compatible to the Optical Waveguide-based Quantum ComputerT. Komatsu, M. Kihira, A. Tomibayashi, M. Uemukai and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19口頭2019/04/23～
　2019/04/25
268Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon RemovalA. Yamauchi, S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19口頭2019/04/23～
　2019/04/25
269Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG DeviceY. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19口頭2019/04/23～
　2019/04/25
270Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si SubstrateR. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19口頭2019/04/23～
　2019/04/25
271Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity ConcentrationS. Imai, Y. Onishi, T. Onodera, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, N. Takahashi, Y. Honda, H.J. Cheong, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19ポスタ2019/04/23～
　2019/04/25
272窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御片山 竜二科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2019/04/19～
　2019/04/20
273多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察谷川 智之科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2019/04/19～
　2019/04/20
274ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価田辺 凌, 小野寺 卓也，上向井 正裕, 彦坂 年輝, 布上 真也，正直 花奈子，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
275AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器森岡 佳紀, 山口 修平, 正直 花奈子, 林 侑介, 三宅 秀人, 塩見 圭史, 藤原 康文, 上向井 正裕, 片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
276周期的スロット構造を用いたInGaN単一モードレザの作製プロセス の検討田附 大貴, 楠本 壮, 樋口 晃大, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 上向井 正裕, 片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
277量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：電界印加型位相変調器の設計小松 天太, 紀平 将史，上向井 正裕，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
278量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaN/n-AlGaN方向性結合器の設計紀平 将史，三輪 純也，小松 天太，上向井 正裕，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
279量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の作製三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，彦坂 年輝，布上 真也，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
280Si台座構造上 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製南部 誠明，永田 拓実，塩見 圭史，藤原 康文，大西 一生，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
281量子相関光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計矢野 岳人，松井 裕輝，上向井 正裕，片山 竜二第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
282Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製高木 健太，安藤 壮，森岡 佳紀，上向井 正裕，片山 竜二，今井 大地，宮嶋 孝夫第66回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2019/03/09～
　2019/03/12
283波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御林 侑介, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 片山 竜二, 三宅 秀人第66回 応用物理学会 春季学術講演会招待2019/03/09～
　2019/03/12
284GaN waveguide directional coupler for optical quantum information processing systemsJ. Miwa, M. Kihira, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. KatayamaSPIE Photonics West 2019口頭2019/02/02～
　2019/02/07
285Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si trapezoidal structureT. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. KatayamaSPIE Photonics West 2019口頭2019/02/02～
　2019/02/07
286量子コンピュータ開発と結晶技術片山 竜二日本学術振興会 第161委員会 第109回研究会招待2019/01/25～
　2019/01/26
287深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討上向井 正裕, 楠本 壮, 田附 大貴, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 片山 竜二電子情報通信学会 電磁界理論研究会口頭2019/01/17～
　2019/01/18
288Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si SubstrateT. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018口頭2018/11/11～
　2018/11/16
289Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR LaserS. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, M. Uemukai, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018口頭2018/11/11～
　2018/11/16
290Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced CurvatureT. Onodera, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018口頭2018/11/11～
　2018/11/16
291Design of ZnO-Based Microcavities with SiO2/ZrO2 Distributed Bragg Reflectors for Entangled Photon Pair GenerationY. Matsui, T. Yano, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
292Implementation of GaN Monolithically Integrated Optical Circuit for Scalable Quantum Computation in Loop-Based ArchitectureT. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
293Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance BandwidthA. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
294GaN Strip Waveguide Directional Coupler for Optical Quantum Information Processing SystemsM. Kihira, J. Miwa, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
295Input Grating Coupler for AlN Channel Waveguide Wavelength Conversion DeviceY. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
296Fabrication Process of InGaN Single-Mode Laser with Periodically Slotted StructureD. Tazuke, S. Kusumoto, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
297Temperature Dependence of Structural and Optical Properties of GaN Film Grown by Pulsed Sputtering DepositionS. Imai, T. Onodera, M. Uemukai, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, Y. Takahashi, Y. Honda, H. Cheong, H. Amano and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
298Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG DeviceT. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
299Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon RemovalS. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
300Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR LaserS. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
301Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced CurvatureT. Onodera, R. Tanabe, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama第37回 電子材料シンポジウム EMS37ポスタ2018/10/10～
　2018/10/12
302Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance BandwidthA. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. KatayamaIEEE Photonics Society Kansai Chapter 第4回フォトニクス英語発表会口頭2018/09/29
303波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計山口 修平，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人，塩見 圭史，藤原 康文，片山 竜二第79回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2018/09/18～
　2018/09/21
304表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢 ，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介， 三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二第79回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2018/09/18～
　2018/09/21
305InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討楠本 壮，田附 大貴 , 池田 和久 , 上向井 正裕 ，片山 竜二第79回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2018/09/18～
　2018/09/21
306窒化物半導体光導波路デバイスのためのグレーティング結合器森岡 佳紀第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2018/09/13～
　2018/09/14
307電界印加型位相シフタを用いたGaN 光導波路型マッハツェンダ干渉計三輪 純也第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2018/09/13～
　2018/09/14
308表面活性化接合とSi 基板除去によるGaN 極性反転積層チャネル導波路の作製田辺 凌第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2018/09/13～
　2018/09/14
309定比組成LiTaO3 導波路型光パラメトリック下方変換デバイスの開発野呂 諒介第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2018/09/13～
　2018/09/14
310GaN 光集積回路型ユニバーサル量子計算システムの開発小松 天太第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2018/09/13～
　2018/09/14
311横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源片山 竜二，山口 修平，小野寺 卓也，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人電子情報通信学会 2018年ソサイエティ大会招待2018/09/11～
　2018/09/14
312窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用片山竜二科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2018/09/07
313深紫外SHGに向けたウェハ接合型AlN極性反転構造林 侑介, 片山 竜二, 三宅 秀人第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会招待2018/07/12～
　2018/07/13
314ZnO系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計矢野 岳人，上向井 正裕，片山 竜二第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2018/07/12～
　2018/07/13
315表面活性化接合とSi基板除去によるGaN極性反転構造の作製小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田　善央，天野 浩，片山 竜二第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会ポスタ2018/07/12～
　2018/07/13
316Design and Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG DeviceT. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX口頭2018/06/03～
　2018/06/08
317GaN Rib Waveguide Directional Coupler for Waveguide Mach-Zehnder InterferometerJ. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX口頭2018/06/03～
　2018/06/08
318Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide for Deep UV Second Harmonic GenerationS. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18口頭2018/04/25～
　2018/04/27
319Fabrication of Polarity-Inverted GaN Heterostructure by Surface-Activated Wafer Bonding and Silicon RemovalT. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18口頭2018/04/25～
　2018/04/27
320GaAsP Tunable Single-Mode Semiconductor Laser using Periodically Slotted Structure with Simplified Fabrication ProcessS. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18口頭2018/04/25～
　2018/04/27
321窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用片山竜二科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2018/04/23～
　2018/04/24
322周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ楠本 壮，上向井 正裕，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
323GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
324量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計紀平 将史，三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
325量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
326表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
327ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二第65回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2018/03/17～
　2018/03/20
328Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguideR. KatayamaSPIE Photonics West 2018招待2018/01/31～
　2018/02/02
329深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー上向井 正裕，片山 竜二第38回 レーザー学会 学術講演会招待2018/01/24～
　2018/01/26
330窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用片山 竜二科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2018/01/05
331ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発片山 竜二日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会招待2017/12/15～
　2017/12/16
332Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用林 侑介, 三宅 秀人, 平松 和政, 秋山 亨, 伊藤 智徳, 片山 竜二電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 LQE口頭2017/11/30～
　2017/12/01
333Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017ポスタ2017/11/14～
　2017/11/18
334Abrupt Polarity Inversion of AlN for Second Harmonic Generation in DUV RegionY. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017口頭2017/11/14～
　2017/11/18
335GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systemsJ. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
336Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG deviceT. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
337Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generationS. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
338Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement modelsY. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
339Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
340GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structureS. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama第36回 電子材料シンポジウム EMS36ポスタ2017/11/08～
　2017/11/10
341光導波路型マッハツェンダ干渉計のためのGaN方向性結合器三輪 純也第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2017/09/13～
　2017/09/15
342極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイス山口 修平第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2017/09/13～
　2017/09/15
343疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN極性反転構造の作製林 侑介第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ招待2017/09/13～
　2017/09/15
344量子井戸DBRレーザを用いたモノリシック光集積デバイス上向井 正裕第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ招待2017/09/13～
　2017/09/15
345疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二第78回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2017/09/05～
　2017/09/08
346極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二第78回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2017/09/05～
　2017/09/08
347AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，片山 竜二第78回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2017/09/05～
　2017/09/08
348GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二第78回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2017/09/05～
　2017/09/08
349量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二第78回 応用物理学会秋季学術講演会口頭2017/09/05～
　2017/09/08
350Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wellsK. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka第12回 窒化物半導体国際会議 ICNS12ポスタ2017/07/24～
　2017/07/28
351Face to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製と評価林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会口頭2017/07/13～
　2017/07/15
352窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用片山 竜二科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会口頭2017/07/01
353GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structuresM. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto and R. Katayama第5回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17口頭2017/04/19～
　2017/04/21
354極性ワイドギャップ半導体の量子光学応用片山 竜二電子情報通信学会合同研究会 IEEE Photonics Society Kansai Chapter 特別講演会招待2017/01/18～
　2017/01/19
355InGaN growth on AlN protection layer deposited ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxyJ. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Centerポスタ2017/03/21
356AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討髙橋 一矢, 篠田 涼二, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 服部 友一, 赤﨑 勇, 上向井 正裕, 片山 竜二第64回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2017/03/14～
　2017/03/17
357GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ山下 諒大，上向井 正裕，片山 竜二第64回 応用物理学会 春季学術講演会口頭2017/03/14～
　2017/03/17
358ワイドギャップ半導体の量子光学素子応用片山 竜二第64回 応用物理学会 春季学術講演会 シンポジウム 金属酸化物の結晶物性に迫る招待2017/03/14～
　2017/03/17
359窒化物半導体の量子光学応用片山 竜二マテリアルズサイエンス研究の最先端～柏キャンパス発全世界行の切符を片手に～招待2016/10/22
360Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyR. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka第9回 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2016口頭2016/10/02～
　2016/10/07
361窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用片山 竜二第77回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能の発現と理解～招待2016/09/13～
　2016/09/16
362GaAsP Quantum Well Tunable Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure"M. Uemukai and T. Furusawa第25回 半導体レーザ国際会議 ISLC2016口頭2016/09/12～
　2016/09/15
363ワイドギャップ半導体の量子光学応用片山 竜二第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ招待2016/08/29～
　2016/08/30
364イオンスライスLiNbO3結晶光導波路における微細周期分極反転構造の形成と波長変換デバイス応用に関する研究井口 稜太第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2016/08/29～
　2016/08/30
365GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザと2波長集積レーザへの応用に関する研究山下 諒大第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ口頭2016/08/29～
　2016/08/30
366ワイドギャップ半導体研究の新展開 量子光学デバイス・システム開発片山 竜二第1回 電子材料若手研究会（ISYSE）招待2016/08/26
367MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat InterfaceK. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu and T. MatsuokaCompound Semiconductor Week CSW2016口頭2016/06/29
368Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyT. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka第4回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'16口頭2016/05/18～
　2016/05/20
369N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性谷川 智之, 正直 花奈子, 野々田 亮平, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 高宮 健吾, 矢口 裕之, 秋山 英文第８回 窒化物半導体結晶成長講演会ポスタ2016/05/09～
　2016/05/10
370N 極性(000-1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志第８回 窒化物半導体結晶成長講演会ポスタ2016/05/09～
　2016/05/10
　　
原著論文
1Polarity inversion of GaN from +c to −c polarity by metalorganic vapor phase epitaxyKazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji KatayamaJpn. J. Appl. Phys. 64 020901 (2025).
2Detuning dependence in current-light-output characteristics of GaN-based DFB laser diodesToshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai2, Tomoyuki Tanikawa2, and Ryuji KatayamaJ. Appl. Phys. 64, 022001 (2025).
3Analysis of inversion-domain boundaries in four-layer polarity-inverted AlN structureTomohiro Tamano, Ryota Akaike, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hiroto Honda5, Eiki Sato5, Masahiro Uemukai5, Tomoyuki Tanikawa5, Ryuji Katayama5 and Hideto MiyakeAppl. Phys. Lett. 126, 032108 (2025)
4Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Wavelength Conversion DeviceKazuhisa Ikeda*, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa**, and Ryuji Katayamaphys. stat. sol. (b) 2400161 (2024).
5199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laserTomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori,2 Yasufumi Fujiwara,2 Ryota Ishii,3 Yoichi Kawakami,3 Masahiro Uemukai,2,4 Tomoyuki Tanikawa,2,4 and Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 17, 082004 (2024).
6Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structureTaisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMAAppl. Phys. Express 17, 082003 (2024).
7Design of Horizontally-Stacked Aluminum Nitride and Dielectric Cores Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguide for Squeezed Light GenerationHiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayamaphys. stat. sol. (a) 2400380 (2024).
8Far-reaching Remote Doping for Monolayer MoS2 Using Ferroelectric Substrate: Unveiling the Impact of h-BN Spacer ThicknessKAIPENG RONG, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda DING, YAO YAO, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro MouriACS Appl. Electron. Mater. 6, 5914 (2024)
9Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless LithographyNaofumi Takeda*, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa**, and Ryuji Katayamaphys. stat. sol. (b) 2400071 (2024).
10Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO3 fabricated by surface activated bonding for high-power wavelength conversionRyosuke NORO, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMAJpn. J. of Appl. Phys. 63, 062002 (2024).
11Demonstration of violet-DFB laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristicsToshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 17, 052004 (2024).
12Fabrication of polarity inverted LiNbO3/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversionRyosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaJpn. J. of Appl. Phys. 62, 102001 (2023).
13Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laserTomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 16, 072005 (2023).
14229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguideHiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 16, 062006 (2023).
15Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocksTomoka Nishikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaJpn. J. of Appl. Phys. 62, SF1015 (2023).
16Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal–Organic Vapor Phase EpitaxyTomotaka Murata, Kazuhisa Ikeda, Jun Yamasaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayamaphys. stat. sol. (b) 260, 2200583 (2023).
17Second Harmonic Generation in GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Pumped with Femtosecond LaserNaoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 15, 112002 (2022).
18Enlargement of mode size in annealed proton-exchanged periodically-poled MgO doped stoichiometric LiTaO3 waveguide for high power second harmonic generationRyosuke Noro, Masahide Okazaki, Ikuo Mizobata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaJpn. J. of Appl. Phys. 61, 072006 (2022).
19Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystalsHiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takayuki NakanoJpn. J. of Appl. Phys. 61 SK1020 (2022).
20DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion deviceTomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji KatayamaOpt. Express 30, 18628 (2022).
21GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversionNaoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaJpn. J. of Appl. Phys. 61, 050902 (2022).
22Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windowsShin Yoshida, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaJpn. J. of Appl. Phys. 61, 030904 (2022).
23Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopyAkio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Takeyoshi Sugaya, Mitsuru ImaizumiAppl. Phys. Express 14, 111002 (2021).
24Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structureTomoaki Nambu, Takumi Nagata, Soshi Umeda, Keishi Shiomi, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Abdul Mannan, Filchito Renee G. Bagsican, Kazunori Serita, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 14, 061004 (2021).
25Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mappingMayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji KatayamaAppl. Phys. Express 14, 055504 (2021).
26Multiphoton Microscopy in Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power DevicesTomoyuki TanikawaCharacterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices, AIP Publishing Melville, New York, Chapter 7, 7 (2020).
27多光子励起フォトルミネッセンスによるGaN結晶の3次元非破壊解析谷川 智之応用物理 89, 524 (2020).
28Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase EpitaxyV. Suresh Kumar, Shiyang Ji, Yuantao Zhang, Kanako Shojiki, J. H. Choi, Takeshi Kimura, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJ. of Nanosci. and Nanotechnol. 20, 2979 (2020).
29Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation PhotoluminescenceAkio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Hidetoshi Suzuki, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 0273 (2019).
30Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growthSatoru Fujimoto, Hideyuki Itakura, Tomoyuki Tanikawa, Narihito Okada, Kazuyuki TadatomoJpn. J. of Appl. Phys. 58, SC1049 (2019).
31Reuse of ScAlMgO4 substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaNKazuki Ohnishi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takuya Iwabuchi, Kazuya Yamamura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Tsuguo Fukuda, Takashi MatsuokaJpn. J. of Appl. Phys. 58, SC1023 (2019).
32多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN 結晶中の転位の非破壊・三次元観察谷川 智之まてりあ 58, 144 (2019).
33Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bondingYusuke Hayashi, Ryuji Katayama, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hideto MiyakeAppl. Phys. Express 11, 031003 (2018).
34Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum WellsKengo Takamiya, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Hidefumi Akiyama, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayamaphys. stat. sol. (b) 255, 1700454 (2017).
35Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using a Cu-Zn-Sn-O amorphous precursor and supercritical fluid sulfurizationYuta Nakayasu, Takaaki Tomai, Nobuto Oka, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Liwen Sang, Masatomo Sumiya, Itaru HonmaThin Sol. Films 638, 244 (2017).
36Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terracesTakuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuokaphys. stat. sol. (a) 214, 1600754 (2017).
37Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientationsTomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi AmanoAppl. Phys. Express 10, 082101 (2017).
38Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disksLai Yi-Chun, Higo Akio, Kiba Takayuki, Thomas Cedric, Chen Shula, Lee Chang Yong, Tanikawa Tomoyuki, Kuboya Shigeyuki, Katayama Ryuji, Shojiki Kanako, Takayama Junichi, Yamashita Ichiro, Murayama Akihiro, Chi Gou-Chung, Yu Peichen, Samukawa SeijiNanotechnology 27, 425401 (2016).
39GaAsP tunable distributed Bragg reflector laser with indium tin oxide thin-film heaterMasahiro Uemukai, Toshiaki SuharaJpn. J. of Applied Phys., 55, 08RH01 (2016).
40Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodesTomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FJ03 (2016).
41Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxyJinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FA04 (2016).
42Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire planeKanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FA09 (2016).
43Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FE01 (2016)
44Electrical Characteristics of N-polar (000-1) p-type GaN Schottky ContactsToshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji ShiojimaJpn. J. of Appl. Phys. 55, 04EJ09 (2016)
45Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxyKanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaAppl. Phys. Express 8, 061005-1-4 (2015)
46Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxyKanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaAppl. Phys. Lett. 106 (22), 222102-1-4 (2015)
47Improvement of Surface Morphology of Nitrogen-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE GrowthTakashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. Appl. Phys. 53 (8), 085501-1-4 (2014)
48Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000-1) GaN/sapphireTomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL05-1-4 (2014)
49Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyJung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJ. Nanosci. and Nanotechnol. 14 (8), 6112-6115 (2014)
50Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaNKanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi MatsuokaJpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL07-1-5 (2014)
51RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layerMasahiro Kakuda, Sei Morikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro OnabeJ. Cryst. Growth 378, 307-309 (2013)
52Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substratesR.G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. YaguchiJ. Cryst. Growth 378, 85-87 (2013)
53AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacksK. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsuphys. stat. sol. (c) 10 (5), 790-793 (2013)
54Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPEJ.H. Choi, K. Shojiki,?T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuokaphys. stat. sol. (c) 10 (3), 417-420 (2013)
55Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vaporphase epitaxyY.T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertsuk, T. Iwabuchi, S. Kumar, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. MatsuokaThin Sol. Films 536, 152-155 (2013)
56Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN FilmsJ.H. Choi, S. Kumar, S.Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. MatsuokaKey Eng. Mater. 508, 193-198 (2012)
57Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyK. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. MatsuokaJpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH01-1-4 (2012)
58Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InNT. Iwabuchi, Y.H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanebe, N. Usami, R. Katayama, and T. MatsuokaJpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH02-1-4 (2012)
59Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen d-Doped GaAsK. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. YaguchiAppl. Phys. Express 5 (11), 111201-1-3 (2012)
60Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium ArsenideK. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. YaguchiMater. Sci. Forum 706–709, 2916-2921 (2012)
61Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructureK. Watanabe, M. Ichikawa, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabeJ. Vac. Sci. Technol. B 30 (2), 021802-1-6 (2012)
62Phase Diagram on Phase Purity of InN grown Pressurized-Reactor MOVPET. Kimura, K. Prasertsuk, Y.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuokaphys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 654-657 (2012)
63Relationship between Residual Carrier Density and Phase Purity in InN Grown by Pressurized-Reactor MOVPEK. Prasertsuk, M. Hirata, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, and T. Matsuokaphys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 681-684 (2012)
64Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence NanospectroscopiesK. Watanabe, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and M. IchikawaJpn. J. Appl. Phys. 50 (8S3), 08LB18-1-4 (2011)
65Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBES. Kuboya, M. Kuroda, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 323 (1), 26-29 (2011)
66Lateral patterning of GaN polarity using wet etching processY. Fukuhara, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 1922-1924 (2010)
67Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxyY.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuk, S.Y. Ji, R. Katayama, and T. Matsuokaphys. stat. sol. (c) 8 (2), 482-484 (2011)
68Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs SubstrateS. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami, and K. NakajimaJpn. J. Appl. Phys. 49 (4R), 040202-1-3 (2010)
69Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)AT. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabePhysica E 42 (10), 2529-2531 (2010)
70Band alignment of lattice-matched InGaPN/GaAs and GaAs/InGaPN quantum wells grown by MOVPED. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. OnabePhysica E 42 (4), 1176-1179 (2010)
71Photoluminescence Study of Type-II InGaPN/GaAs Quantum WellsD. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. OnabeJ. Nanosci. and Nanotechnol. 10 (11), 7154-7157 (2010)
72MOVPE growth of high optical quality InGaPN layers on GaAs (001) substratesD. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 2079-2081 (2010)
73MOVPE growth and optical characterization of InGaAsN T-shaped quantum wires lattice-matched to GaAsP. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (a) 207 (6), 1418-1420 (2010)
74MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursorQ.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 311 (19), 2801-2804 (2009)
75Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE: Growth condition and crystal structureS. Sanorpim, P. Jantawongrit, S. Kuntharin, C. Thanachayanont, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 6 (S2), S376-S380 (2009)
76Scanning tunneling microscope–cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructureK. Watanabe, Y. Nakamura, M. Ichikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabeJ. Vac. Sci. Technol. B 27 (4), 1874-1880 (2009)
77Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF-MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopyH. Komaki, T. Shimohara, K. Sakai, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikariphys. stat. sol. (c) 5 (2), 499-502 (2008)
78RF-MBE growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substratesT. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 5 (6), 1712-1714 (2008)
79Structural Investigation of Cubic-phase InN on GaAs (001) Grown by MBE Under In- and N-rich Growth ConditionsK. Kuntharin, S. Sanorpim, T. Nakamura, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 31, 215-217 (2008)
80Electrical conduction in cubic GaN films grown on GaAs(001) by RF-MBEM. Kohno, T. Kataoka, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 5 (6), 1805-1807 (2008)
81Effect of Substrate-surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPEP. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 55-57, 825-828 (2008)
82InGaPN/GaP Lattice-matched Single Quantum Wells on GaP (001) Grown by MOVPED. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 55-57, 821-824 (2008)
83MOVPE growth window for high-Nitrogen GaAsN alloy films for long wavelength emissionS. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 31, 218-220 (2008)
84A Comparison of the Structural Quality of High-In Content InGaAsN Films Grown on InGaAs Pseudosubstrate and on GaAs SubstrateS. Sanorpim, P. Kongjaeng, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 31, 221-223 (2008)
85Optical Transitions in InGaPN/GaP Single Quantum Wells on GaP(100) Substrates by MOVPES. Sanorpim, D. Kaewket, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. OnabeAdv. Mater. Res. 31, 224-226 (2008)
86MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDsS. Kuboya, S. Takahashi, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 5 (6), 1715-1718 (2008)
87Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scatteringS. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 5 (9), 2923-2925 (2008)
88Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAsY. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabePhysica E 40 (6), 2110-2112 (2008)
89Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitrideR. Katayama, K. Onabe, H. Yaguchi, T. Matsushita, and T. KondoAppl. Phys. Lett. 91 (6), 061917-1-3 (2007)
90Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructureR. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. KondoJ. Cryst. Growth 301-302, 447-451 (2007)
91Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RF-MBE growth of nitridesR. Katayama, H. Tsurusawa, T. Nakamura, H. Komaki, and K. Onabephys. stat. sol. (a) 204 (1), 277-281 (2007)
92Nitrogen supply rate dependence of InGaN growth properties by RF-MBEH. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. IkariJ. Cryst. Growth 305 (1), 12-18 (2007)
93RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substratesT. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 301-302, 508-512 (2007)
94Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBEH. Komaki, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. IkariJ. Cryst. Growth 301-302, 473-477 (2007)
95Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF-MBET. Nakamura, Y. Endo, R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 4 (7), 2437-2440 (2007)
96Structural Transition Control of Laterally Overgrown c-GaN and h-GaN on Stripe-patterned GaAs (001) Substrates by MOVPES. Sanorpim, E. Takuma, H. Ichinose, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (b) 244 (6), 1769-1774 (2007)
97Surface photovoltage spectroscopy characterization of InGaPN alloys grown on GaP substratesH.P. Hsu, P.Y. Wu, Y.S. Huang, S. Sanorpim, K.K. Tiong, R. Katayama, and K. OnabeJ. Phys.: Condens. Matter. 19 (9), 96009-1-8 (2007)
98MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy)F. Nakajima, W. Ono, S. Kuboya, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 103-106 (2007)
99MOVPE and characterization of InAsN/GaAs Multiple Quantum WellsS. Kuboya, Q.T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 544-547 (2007)
100Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAsW. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 135-139 (2007)
101Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxyS. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 150-153 (2007)
102Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPEP. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 107-110 (2007)
103Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxyP. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 111-115 (2007)
104Post-growth thermal annealing of high-N content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxationP. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 140-144 (2007)
105Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPED. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 531-535 (2007)
106Micro-photoluminescence study of nitrogen δ-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxyY. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 298, 73-75 (2007)
107InAsN Quantum Dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPES. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (c) 4 (7), 2387-2390 (2007)
108Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrateR. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. KondoAppl. Phys. Lett. 89 (23), 231910-1-3 (2006)
109Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etchingR. Katayama, and K. OnabePhysica E 32 (1-2), 245-248 (2006)
110RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on GaAsT. Nakamura, K. Iida, R. Katayama,T. Yamamoto, and K. Onabephys. stat. sol. (b) 243 (7), 1451-1455 (2006)
111Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectra of InxGa1-xN Grown by Radio-Frequency Molecular Beam EpitaxyE. Kawano, Y. Uchibori, T. Shimohara, H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. IkariJpn. J. Appl. Phys. 45 (5B), 4601-4603 (2006)
112MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrationsF. Nakajima, S. Sanorpim, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (a) 203 (7), 1641-1644 (2006)
113MOVPE growth of InAsN films on GaAs (001) substrates with an InAs buffer layerS. Kuboya, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (b) 243 (7), 1411-1415 (2006)
114Growth and optical characterization of InAsN quantum dotsH. Tsurusawa, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (b) 243 (7), 1657-1660 (2006)
115High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHyS. Sanorpim, F. Nakajima, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabephys. stat. sol. (a) 203 (7), 1612-1617 (2006)
116Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(001) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layerR. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 278 (1-4), 431-436 (2005)
117Growth mechanism and structural characterization of hexagonal GaN films grown on cubic GaN (111)/GaAs (111)B substrates by MOVPES. Sanorpim, R. Katayama, K. Yoodee, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 275 (1-2), e1023-e1027 (2005)
118MOVPE growth and optical investigations of InGaPN alloysS. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 275 (1-2), e1017-e1021 (2005)
119Excitation power dependent photoluminescence of In0.7Ga0.3As1-xNx quantum dots grown on GaAs (001)A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y.G. Hong, and C.W. TuJ. Cryst. Growth 278 (1-4), 244-248 (2005)
120Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wellsM. Kuroda, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. OnabeJ. Cryst. Growth 278 (1-4), 254-258 (2005)
121Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance ExcitationR. Katayama, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 241 (12), 2749-2753 (2004)
122Highly Luminescent Cubic GaN Microcrystals Grown on GaAs(001) Substrates by RF-MBER. Katayama, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 241 (12), 2739-2743 (2004)
123Optical characterization of InAsN single quantum wells grown by RF-MBEM. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 241 (12), 2791-2794 (2004)
124Electrically Biased Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) HeterointerfaceR. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (c) 0 (7), 2597-2601 (2003)
125Characterization of MOVPE-Grown GaN Layers on GaAs(111)B with a Cubic-GaN(111) Epitaxial Intermediate LayerS. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 240 (2), 305-309 (2003)
126MBE Growth and Photoreflectance Study of GaAsN Alloy Films Grown on GaAs(001)A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. ShirakiJ. Cryst. Growth 251 (1-4), 427-431 (2003)
127RF-MBE Growth of InAsN layers on GaAs(001) Substrates using a Thick InAs Buffer LayerS. Nishio, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. ShirakiJ. Cryst. Growth 251 (1-4), 422-426 (2003)
128MOVPE Growth and Characterization of High-In Content InGaPN Alloy Films Lattice-Matched to GaPS. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, N. Nakadan, T. Kimura, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (c) 0 (7), 2773-2777 (2003)
129Microstructures, Defects, and Localization Luminescence in InGaAsN Alloy FilmsF. Nakajima, S. Sanorpim, T. Yamamoto, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (c) 0 (7), 2778-2781 (2003)
130Hall Effect Measurement Study of InAsN Alloy Films Grown Directly on GaAs(001) Substrates by RF-MBEM. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (c) 0 (7), 2765-2768 (2003)
131Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing TechniqueR. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 234 (3), 877-881 (2002)
132Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) HeterostructuresR. Katayama, M. Kobayakawa, A. Nagayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. ShirakiCompound Semicond. 170, 725-730 (2002)
133Reduction of Planar Defect Density in Laterally Overgrown Cubic-GaN on Patterned GaAs(001) Substrates by MOVPES. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 234 (3), 840-844 (2002)
134Structural Study on Stacking Faults in GaN/GaAs (001) HeterostructuresA. Nagayama, H. Sawada, E. Takuma, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. ShirakiCompound Semicond. 170, 749-754 (2002)
135Physical Mechanisms of Photoluminescence of InGaAs(N) Alloy Films Grown by MOVPES. Sanorpim, F. Nakajima, S. Imura, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (b) 234 (3), 782-786 (2002)
136Cubic-GaN Films on GaAs(001) Substrates without Deep-Level Luminescence Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyK. Onabe, J. Wu, R. Katayama, F. H. Zhao, A. Nagayama, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (a) 180 (1), 15-19 (2000)
137Substrate Misorientation Dependence of the Hexagonal Phase Inclusion in Cubic GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase EpitaxyA. Nagayama, R. Katayama, N. Nakadan, K. Miwa, H. Yaguchi, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shirakiphys. stat. sol. (a) 176 (1), 513-517 (1999)

プロシーディング
1 Fabrication of InGaN/GaN Nanodisk Structure by using Bio-template and Neutral Beam Etching Process Y.C. Lai, A. Higo, C.Y. Lee, C. Thomas, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Kiba, P.Y. Yu, I. Yamashita, A. Murayama, and S. Samukawa Proc. 15th IEEE Int. Conf. Nanotechnol., 1278-1281 (2015)
2 Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, and T. Matsuoka Proc. SPIE 8268, 826814-1-10 (2012)
3 III-V-N alloys grown by MOVPE in H2 and N2 mixed carrier gases S. Kuboya, Q.T. Thieu, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. SPIE 8268, 826801-1-7 (2012)
4 Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi The Phys. Semicond.: Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS) 2012, 538-539 (2012)
5 Cubic III-nitrides: potential photonic materials K. Onabe, S. Sanorpim, H. Kato, M. Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S. Kuboya, and R. Katayama Proc. SPIE 7945, 794517-1-8 (2011)
6 Optical properties of narrow-bandgap dilute nitrides S. Kuboya, M. Kuroda, Q.T. Thieu, R. Katayama, and K. Onabe Proc. SPIE 7945, 794518-1-7 (2011)
7 Paving the way to high-quality indium nitride: The effects of pressurized reactor T. Matsuoka, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T.Zhang, K. Prasertsuk, and R. Katayama Proc. SPIE 7945, 794519-1-5 (2010)
8 Photoreflectance study of strained GaAsN/GaAs T-junction quantum wires grown by MOVPE P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. Int. Nanoelectron. Conf. (INEC) 2010, 402-403 (2010)
9 Visible photoluminescence from InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 695-700 (2007)
10 Characterization of MOVPE grown GaAs1-xNx/GaAs multiple quantum wells emitting around 1.3-μm-wavelength region P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 701-706 (2007)
11 Self-Assembled InAsN Quantum Dots grown on GaAs by MOVPE S. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe Proc. 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2007), 359-364 (2007)
12 High optical quality cubic GaN microcrystals grown on a GaAs substrate by RF-MBE R. Katayama, and K. Onabe Proc. 2nd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2005), 33-34 (2005)
13 The compositional and optical characterizations of InGaAsN alloy semiconductor grown by MOVPE S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 744, M10.9.1-6 (2003)
14 Electroreflectance and Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructure R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki Proc. 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2003), 170-174 (2003)
15 Surface Modification of Cubic GaN Buffer Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy A. Nagayama, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Sawada, E. Takuma, H. Ichinose, and Y. Shiraki Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G3.20.1-6 (2000)
16 Sublattice Inversion Epitaxy of Compound Semiconductor for Quadratic Nonlinear Optical Devices S. Koh, A. Ebihara, R. Katayama, T. Kondo, and R. Ito Proc. Nonlinear Opt. '98: Mater., Fund. and Appl. Topical Meeting, 230-232 (1998)