｜ワイドギャップ半導体｜強誘電体｜量子光学｜非線形光学｜集積エレクトロニクス｜深紫外レーザ｜量子コンピュータ｜量子トモグラフィ｜
研究成果
| 学会発表 | |||||
| 1 | Development of photonic integrated circuit platforms made of nitride semiconductors | Ryuji Katayama, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai and Tomoyuki Tanikawa | The 8th IMS-INSD Joint Workshop on Frontier Nanomaterials (online) “Semiconductor, Catalysis, and Energy" | 招待 | 2026/03/27～ 2026/03/27 |
| 2 | 有機金属気相成長を用いたGa極性からN極性へのGaNエピタキシャル極性反転プロセスの最適化 | 上田 佳奈子1、池田 和久2、谷口 貫太1、市川 聡3、山崎 順1,3、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 | 第73回応用物理学会春季学術講演会 | 2026/03/15～ 2026/03/18 | |
| 3 | 薄膜LiNbO3マッハツェンダ干渉計に向けた垂直電界印加型位相シフタの作製と評価 | 永長 武留1、小松 京輔1、森田 昌未1、片桐 佳来2、梅田 颯志2、野中 健太朗2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 | 第73回応用物理学会春季学術講演会 | 2026/03/15～ 2026/03/18 | |
| 4 | 電界印加型pin構造GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の作製プロセスの検討 | 香月 翔伍1、本田 一誠1、菅野 竜輝2、久保 直輝2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 | 第73回応用物理学会春季学術講演会 | 2026/03/15～ 2026/03/18 | |
| 5 | Far-UV Second-Harmonic Generation in AlN Waveguides via Piezoelectric-Field-Induced Nonlinearity and Transverse Quasi-Phase Matching | Tomoyuki Tanikawa, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai and Ryuji Katayama | SPIE Photonics West 2026 | 招待 | 2026/01/17～ 2026/01/22 |
| 6 | Development of photonic integrated circuit platforms made of nitride semiconductors | Ryuji Katayama, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai and Tomoyuki Tanikawa | SPIE Photonics West 2026 | 招待 | 2026/01/17～ 2026/01/22 |
| 7 | GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励振グレーティング結合器 | 青木 豪志1、竹中 真生1、上田 佳奈子1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二 | レーザー学会学術講演会 第46回年次大会 | ポスタ | 2026/01/13～ 2026/01/15 |
| 8 | 励起光閉じ込め構造を有するInGaN光励起垂直外部共振器型面発光レーザーの構造検討 | 伊藤 雅晃1、南部 誠明2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二 | レーザー学会学術講演会 第46回年次大会 | ポスタ | 2026/01/13～ 2026/01/15 |
| 9 | 薄膜LiNbO3マッハツェンダ干渉計に向けたリブ型導波路形成プロセス探索 | 永長 武留1、小松 京輔1、香月 翔伍1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二 | レーザー学会学術講演会 第46回年次大会 | 2026/01/13～ 2026/01/15 | |
| 10 | 4層極性反転AlNチャネル導波路によるCW励起遠紫外第二高調波発生の実証 | 佐藤 栄希1、玉野 智大2、本田 啓人1、正直 花奈子3、三宅 秀人2、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二 | レーザー学会学術講演会 第46回年次大会 | 2026/01/13～ 2026/01/15 | |
| 11 | InGaNレーザー用導波路を用いた線形/非線形擬似位相整合デバイスにおける波長変換特性の解析 | 和田 拓巳1、小川 浩輝1、伊藤 滉基1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二 | レーザー学会学術講演会 第46回年次大会 | 2026/01/13～ 2026/01/15 | |
| 12 | 横型擬似位相整合を用いた光パラメトリック下方変換用GaN極性反転構造の設計 | 谷口 貫太，上田 佳奈子，上向井 正裕，谷川 智之, 片山 竜二 | 第4回結晶工学講演会 | ポスタ | 2025/12/03～ 2025/12/03 |
| 13 | 分極制御窒化物半導体による遠紫外光発生デバイス | 片山竜二、上向井正裕、谷川智之 | 応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 | 招待 | 2025/11/19～ 2025/11/19 |
| 14 | Surface Stoichiometry Control in GaN Pulsed Sputtering Epitaxy Using Sintered Target | Kohei Nomura1,2, Koo Bando3, Yoshihiro Ueoka3, Yoshiro Kususe3, Masami Mesuda3, Masahiro Uemukai1,2, Tomoyuki Tanikawa1,2, Ryuji Katayama1 | The 8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8) | ポスタ | 2025/11/09～ 2025/11/12 |
| 15 | Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation in Four-Layer Polarity Inverted AlN Channel Waveguide | Eiki Sato1, Hiroto Honda1, Tomohiro Tamano2, Kanako Shojiki3, Hideto Miyake2, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tanikawa1, and Ryuji Katayama | The 8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8) | 2025/11/09～ 2025/11/12 | |
| 16 | Far-UV SHG in a vertical non-inverted AlN/AlGaN Strained-layer superlattice structure channel waveguide pumped by CW laser | Shahzeb Malik, Hiroto Honda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | PIERS2025 in Chiba | 2025/11/05～ 2025/11/09 | |
| 17 | Rib Waveguide Formation Process Using Neutral Loop Discharge Reactive Ion Etching for Thin Film LiNbO3 Mach-Zehnder Interferometer | Takeru Einaga12, Kyosuke Komatsu12, Shogo Katsuki12, Masahiro Uemukai12, Tomoyuki Tanikawa12, Ryuji Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 18 | Design of a Vertical Electric Field Driven Mach-Zehnder Interferometers Using Z-cut Thin Film LiNbO3 Waveguide | Kyosuke Komatsu*,**, Takeru Einaga*,**, Shogo Katsuki*,**, Masahiro Uemukai*,**, Tomoyuki Tanikawa*,**, Ryuji Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 19 | High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler in a Single-Layer GaN Waveguide | Goshi Aoki1,2, Mao Takenaka1,2, Rei Momosaki1,2, Masahiro Uemukai1,2, Tomoyuki Tanikawa1,2, and Ryuji Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 20 | Reducing Wavelength Dependence of Input Coupling Efficiency via Tapered Waveguide into GC-Integrated GaN Channel Waveguide Device | M.Takenaka, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 21 | Design of Triple-Layer GaN Polarity Inverted Structure for Transverse Quasi Phase Matched Optical Parametric Down-Conversion | K. Taniguchi, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 22 | Characterization of Ga-polar/N-polar GaN Polarity Inversion Interface Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | K. Ueda, S. Ichikawa, J. Yamasaki, K. Ikeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 23 | Design of Linear/Nonlinear Quasi Phase Matched Photon-pair Generation Device Using InGaN Laser Epitaxial Wafer | T. Wada*,**, H. Ogawa*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,**, and R. Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 24 | Far Ultraviolet Second Harmonic Generation in Four-Layer Polarity Inverted AlN Channel Waveguide | E.Sato*,**,H.Honda*,**,T.Tamano***,K.Shojiki****,H.Miyake***,M.Uemukai*,**,T.Tanikawa*, **and R.Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 25 | Study on Mechanical Exfoliation Process for Transfer of Semipolar (1-101) InGaN Micro-LEDs on Si | Y. Sano*,**, K. Uchihara*,**, M. Uemukai*,**, T. Tanikawa*,** and R. Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 26 | Surface Stoichiometry Control in GaN Pulsed Sputtering Epitaxy Using Sintered Target | Kohei Nomura, Koo Bando, Yoshihiro Ueoka,Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 第44回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2025/10/15～ 2025/10/17 |
| 27 | GaNスパッタリングターゲットを用いた薄膜作製と物性評価 | 上岡 義弘1、常盤 美怜1、板東 廣朗1、三崎 日出彦1、上向井 正裕2、谷川 智之2、片山 竜二2、召田 雅実 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | ポスタ | 2025/09/07～ 2025/09/10 |
| 28 | AlN/SiNx水平積層導波路による第二高調波発生 | 本田 啓人, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | 2025/09/07～ 2025/09/10 | |
| 29 | InGaNレーザエピタキシャルウエハを用いた線形/非線形擬似位相整合光子対発生デバイスの設計 | 和田 拓巳，小川 浩輝，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | 2025/09/07～ 2025/09/10 | |
| 30 | 薄膜LiNbO3マッハツェンダ干渉計に向けたエッチング条件探索 | 永長 武留，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | 2025/09/07～ 2025/09/10 | |
| 31 | In偏析を考慮した半極性(1-101)InGaN赤色量子井戸の設計 | 内原 康佑, 佐野 友軌，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第86回応用物理学会秋季学術講演会 | ポスタ | 2025/09/07～ 2025/09/10 |
| 32 | 薄膜 LiNbO3マッハツェンダ干渉計の設計とドライエッチング条件探索 | 永長 武留，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2025/08/25～ 2025/08/26 | |
| 33 | 励起光閉じ込め構造を有する InGaN 垂直外部共振器型面発光レーザの設計 | 伊藤 雅晃 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2025/08/25～ 2025/08/26 | |
| 34 | 焼結体ターゲットを用いた GaN パルススパッタリングにおける表面ストイキオメトリ制御 | 野村 航平 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2025/08/25～ 2025/08/26 | |
| 35 | InGaN レーザ用導波路構造を用いた線形/非線形擬似位相整合光子対発生デバイスの設計 | 和田 拓巳 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2025/08/25～ 2025/08/26 | |
| 36 | 3 層 GaN 極性反転積層構造を用いた光子対発生デバイスの設計 | 谷口 貫太 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2025/08/25～ 2025/08/26 |
| 37 | 機械的剥離プロセスを用いた Si 基板上半極性(1-101)InGaN マイクロ LED の転写に関する検討 | 佐野 友軌 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2025/08/25～ 2025/08/26 |
| 38 | InGaN レーザ用導波路構造を用いた電界印加型マッハツェンダ干渉計の設計 | 小川 浩輝 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2025/08/25～ 2025/08/26 |
| 39 | 強誘電体非線形光学結晶を用いた擬似位相整合波長変換デバイスの温度依存性低減 | 辛島 実 | 第15回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2025/08/25～ 2025/08/26 |
| 40 | Development of Optical Quantum Computing Platforms Made of Nitride Semiconductors | Ryuji Katayama, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai and Tomoyuki Tanikawa | 69th KVS Summer National Conference, 12th International Joint Symposium: Photonics for quantum and display technology | 招待 | 2025/08/22～ 2025/08/22 |
| 41 | Fabrication of Horizontally Stacked AlN/SiNx Transverse Quasi-Phase Matching Waveguide for Integrated Wavelength Converter | Hiroto Honda, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tanikawa1, Ryuji Katayama1 | the 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) | ポスタ | 2025/07/06～ 2025/07/11 |
| 42 | Defect characterization of monolithically stacked green/blue InGaN light-emitting diode structure using multiphoton-excitation photoluminescence | Tomoyuki Tanikawa1, Motoaki Iwaya2, Masahiro Uemukai1, and Ryuji Katayama | the 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) | 2025/07/06～ 2025/07/11 | |
| 43 | Enhancement of the non-linear optical coefficient in the strained-layer superlattice structure via piezoelectric polarization in far-UV SHG | Shahzeb Malik1, HIroto Honda1, Kanako Shojiki2, Hideto Miyake3, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tanikawa1, Ryuji Katayama1 | the 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) | 2025/07/06～ 2025/07/11 | |
| 44 | Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation from AlGaN-based Waveguides | Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa | the 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15) | 招待 | 2025/07/06～ 2025/07/11 |
| 45 | Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation from AlGaN-based Waveguides | Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa | The International Workshop on novel InAlGaN Laser Diodes (iWILD 2025) | 招待 | 2025/07/03～ 2025/07/04 |
| 46 | スパッタ法によるN極性GaN上へのScAlN薄膜のエピタキシャル成長 | 池田和久1，上向井正裕2,谷川智之2，片山竜二2, 小林篤 | 第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 | 2025/07/17～ 2025/07/19 | |
| 47 | 199 nm vacuum-ultraviolet coherent light emission from microcavity wavelength conversion device | Tomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | The 13th Asia-Pacific Laser Symposium 2025 | 2025/05/13～ 2025/05/17 | |
| 48 | AlGaN/AlN歪超格子を有する分極電界誘起第二高調波発生デバイス | 谷川 智之，Shahzeb Malik，正直 花奈子，伊藤 雅晃，百崎 怜，本田 啓人，三宅 秀人，上向井 正裕，片山 竜二 | 第72回応用物理学会春季学術講演会 | 2025/03/14～ 2025/03/17 | |
| 49 | ワイドギャップ半導体光集積プラットフォーム開発と 光コンピューティング応用 | 片山竜二 | 光産業技術振興協会マンスリーセミナー | 招待 | 2025/03/11 |
| 50 | AlGaN-Based Wavelength Converters with Structural Singularities: Multiple Polarity Inversion and Strained-Layer Superlattices | Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa | SPIE Photonics West 2025 | 招待 | 2025/01/25～ 2025/01/30 |
| 51 | Novel Wavelength Conversion Device Structures based on GaN and AlN | Ryuji Katayama | UK Nitrides Consortium Winter Meeting 2025, UKNC2025 | 招待 | 2025/01/08～ 2025/01/09 |
| 52 | Demonstration of 230nm far-UV second harmonic generation in a vertical non-inverted AlN/AlGaN superlattice strained multilayers channel waveguide | Shahzeb Malik, Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) | 2024/11/03～ 2024/11/08 | |
| 53 | Far Ultraviolet Second Harmonic Generation in Polarity Inverted AlN Bilayer Channel Waveguide Pumped by CW Laser | Hiroto Honda, Akinori Asai, Kento Tome, Keiji Morishita, Shin Kato, Hiroyasu Fujiwara, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2024) | 2024/11/03～ 2024/11/08 | |
| 54 | 赤色 LED 効率向上のための半極性(1-101)InGaN 量子井戶構造の設計 | 内原 康佑 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2024/10/31～ 2024/11/01 |
| 55 | MOVPE 法による加工 Si 基板上への半極性(1-101)GaN の大面積エピタキシャル横方向成⻑ | 佐野 友軌 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2024/10/31～ 2024/11/01 |
| 56 | 励起光閉じ込め構造を有する InGaN 垂直外部共振器型面発光レーザの設計 | 伊藤 雅晃 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2024/10/31～ 2024/11/01 |
| 57 | SrB4O7垂直微小共振器構造を用いた 199 nm 第二高調波発生 | 松本 知季 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2024/10/31～ 2024/11/01 |
| 58 | 遠紫外光及びスクイーズド光源応用にむけた AlN 光導波路型波⻑変換デバイス | 本田 啓人 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2024/10/31～ 2024/11/01 |
| 59 | 横型擬似位相整合 4 層極性反転 AlN 導波路による第二高調波発生の実証 | 佐藤 栄希 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2024/10/31～ 2024/11/01 | |
| 60 | 有機金属気相成⻑法によるサファイア基板上 N 極性 GaN 薄膜の平坦性向上に向けた検討 | 上田 佳奈子 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2024/10/31～ 2024/11/01 | |
| 61 | 多光子励起フォトルミネッセンス法による GaN 結晶の欠陥評価 | 石井 由也 | 第14回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 2024/10/31～ 2024/11/01 | |
| 62 | 199 nm VUV coherent light emission from ultracompact SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser | Tomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | Advanced Solid State Lasers Conference | ポスタ | 2024/10/20～ 2024/10/24 |
| 63 | Study on AlN Surface Oxidation for Polarity-Inverted Stacking Structures | Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Ryota Akaike, Hiroki Yasunaga, Takao Nakamura, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake | The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, APWS2024 | 2024/10/13～ 2024/10/17 | |
| 64 | Pulsed Sputtering Growth of GaN film using Sintered Target | Kohei Nomura, Koo Bando, Yoshihiro Ueoka, Yoshiro Kususe, Masami Mesuda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa andRyuji Katayama | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 65 | 199 nm Second Harmonic Generation from SrB4O7 Vertical Microcavity Device | Haruki Matsumoto, Tomoaki Nambu, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 66 | Fabrication of LiNbO3/GaN Transverse Quasi-Phase-Matched SPDC Device for Integrated Photonic Quantum Devices | T.Einaga, R.Sugano,M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 67 | Demonstration of Second Harmonic Generation using 4-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide | E.Sato, H.Honda, R.Momosaki, T.Tamano, K.Shojiki, H.Miyake, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 68 | Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation from AlN Polarity Inverted Rib Waveguide by Patterned Wafer Bonding | Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 69 | GaN p-i-n Structure Electric-Field Driven Mach-Zehnder Interferometer for High-Speed Modulation | R.Sugano,M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 70 | Linear/Nonlinear Quasi-Phase Matched Photon Pair Generation Device Using InGaN Laser Epitaxial Wafer | T. Wada, H. Ogawa, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 71 | Design of GaN-based Vertical External Cavity Surface Emitting Laser for Far-Ultraviolet Second Harmonic Generation | M. Ito, H. Matsumoto, T. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 72 | Design Semi-polar (1-101) InGaN Quantum Well Structure for High-Efficiency Red Light-Emitting Diodes | K. Uchihara, Y.Sano, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama, | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 73 | Large-Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | Y. Sano, K.Uchihara, M.Uemukai, T.Tanikawa, and R.Katayama | 第43回電子材料シンポジウム | ポスタ | 2024/10/02～ 2024/10/04 |
| 74 | ワイドギャップ半導体多層構造のマルチスケール評価 | 谷川 智之, 石井 由也. 山﨑 順, 田中 敦之, 本田 善央, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 招待 | 2024/09/16～ 2024/09/20 |
| 75 | 多層極性反転積層構造の作製に向けたN極性GaN/Ga極性GaNエピタキシャル極性反転プロセス | 池田 和久，上田 佳奈子，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 2024/09/16～ 2024/09/20 | |
| 76 | 強誘電リモートドーピングによる単層MoS2のキャリア変調およびh-BN中間層による遮蔽効果 | 栄 凱蓬, 野呂 諒介, 西垣 颯人, 丁 明达, 姚 瑶, 井ノ上 泰輝, 片山 竜二, 小林 慶裕, 松田 一成, 毛利 真一郎 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 2024/09/16～ 2024/09/20 | |
| 77 | AlN積層構造における極性反転への酸化プロセスの影響 | 玉野 智大，正直 花奈子，赤池 良太，中村 孝夫，佐藤 栄希，本田 啓人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 2024/09/16～ 2024/09/20 | |
| 78 | 焼結体ターゲットを用いたGaN薄膜のパルススパッタ成長 | 野村 航平, 板東 廣朗, 上岡 義弘, 楠瀬 好郎, 召田 雅実, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 2024/09/16～ 2024/09/20 | |
| 79 | 2層極性反転AlN導波路を用いたCW半導体レーザ励起による230 nm帯遠紫外第二高調波発生 | 本田 啓人，浅井 昭典，當銘 賢人，森下 桂嗣，加藤 伸藤，藤原 弘康, 正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二 | 第85回応用物理学会秋季学術講演会 | 2024/09/16～ 2024/09/20 | |
| 80 | 強誘電体を用いた遷移金属ダイカルコゲナイドへのキャリアドーピングにおけるh-BN中間層の効果 | 栄 凱蓬, 于 沛杉, 野呂 諒介, 西垣 颯人, 丁 明達, 姚 瑶, 井ノ上 泰輝,片山 竜二, 小林 慶裕, 松田 一成, 毛利 真一郎 | 日本物理学会 秋季大会 | 2024/09/16～ 2024/09/19 | |
| 81 | AlN系光導波路型波長変換デバイスの開発：遠紫外第二高調波発生とスクイーズド光源応用 | 本田 啓人 | 国際光デーシンポジウム | ポスタ | 2024/07/25 |
| 82 | 新規波長変換デバイスによる遠紫外光発生と量子情報処理・機械学習応用 | 片山 竜二，三宅 秀人，吉村 政志，上向井 正裕，谷川 智之 | 多元技術融合光プロセス研究会 | 招待 | 2024/07/24 |
| 83 | 高速変調に向けたGaN p-i-n構造電界印加型マッハツェンダ干渉計に関する研究 | 菅野竜輝，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会 | 口頭 | 2024/07/20 |
| 84 | SrB4O7垂直微小共振器からの199nm第二高調波発生 | 松本知季，南部誠明，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会 | 口頭 | 2024/07/20 |
| 85 | パターンウエハ接合を用いたAlN極性反転リブ導波路による遠紫外第二高調波発生 | 百崎怜，本田啓人，古川裕也，旭雄大，岡山芳央，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 日本材料学会 2024年度 半導体エレクトロニクス部門委員会 第１回研究会 | 口頭 | 2024/07/20 |
| 86 | Remote Ferroelectric Doping for Monolayer MoS2: Unveiling the Impact of h-BN Spacer Thickness | KAIPENG RONG | International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D materials Research | 2024/07/17～ 2024/07/20 | |
| 87 | N極性GaN薄膜の有機金属気相成長におけるInサーファクタント効果 | 池田和久，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2024/05/30～ 2024/06/01 |
| 88 | −c-ZnO/+c-GaN横型擬似位相整合チャネル導波路の設計と作製 | 谷川智之，畠中祐喜，本田啓人，阿部友紀，上向井正裕，片山竜二 | 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2024/05/30～ 2024/06/01 |
| 89 | 周期スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ | 上向井 正裕, 楠井 大晴, 和田 拓巳, 谷川 智之, 片山 竜二 | 第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 | 招待 | 2024/05/30～ 2024/06/01 |
| 90 | Interlayer-Free GaN Epitaxial Polarity Inversion by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) | 口頭 | 2024/05/12～ 2024/05/17 |
| 91 | Epitaxial Growth of AlGaN/AlN Multiple Quantum Wells (MQWs) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation | Shahzeb Malik, Masaaki Ito , Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) | 口頭 | 2024/05/12～ 2024/05/17 |
| 92 | 横型擬似位相整合4層極性反転AlN導波路による第二高調波発生の実証 | 佐藤栄希，本田啓人，百崎怜，玉野智大，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 2024/03/22～ 2024/03/25 | |
| 93 | AlN/SiNx水平積層横型擬似位相整合導波路の設計と作製 | 本田 啓人，上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 2024/03/22～ 2024/03/25 | |
| 94 | 有機金属気相成長法による中間層フリーGaN極性反転積層構造の作製 | 池田和久，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 2024/03/22～ 2024/03/25 | |
| 95 | 超短パルスレーザ励起微小共振器型第二高調波発生デバイス | 南部 誠明，中原 智裕，安田 悠馬，藤原 康文，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 招待 | 2024/03/22～ 2024/03/25 |
| 96 | 波長変換を用いた波長220 nm帯遠紫外光源の開発 | 片山 竜二，三宅 秀人，吉村 政志，上向井 正裕，谷川 智之 | 第71回応用物理学会春季学術講演会 | 招待 | 2024/03/22～ 2024/03/25 |
| 97 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるワイドギャップ半導体の結晶欠陥の３次元評価 | 谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 応用物理学会 半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 第 5 回研究会 | 招待 | 2024/03/14 |
| 98 | 超短パルスレーザー励起におけるGaN垂直微小共振器からの青色第二高調波発生 | 南部 誠明，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 電子情報通信学会総合大会 レーザ・量子エレクトロニクス（LQE） | 招待 | 2024/03/04～ 2024/03/08 |
| 99 | 遠紫外波長変換光源開発の進展：モノリシック微小共振器 | 片山竜二，南部誠明，吉村政志，上向井正裕，谷川智之 | ワイドギャップ半導体学会 第15回研究会 ～次世代紫外光源の新展開～ | 招待 | 2024/03/01 |
| 100 | 多光子吸収顕微鏡による転位の3次元計測 | 谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 日本学術振興会・産学協力委員会 R025 先進薄膜界面機能創成委員会 第18回委員会・第17回研究会「薄膜・界面の最先端実験室系評価技術」 | 招待 | 2024/02/20～ 2024/02/21 |
| 101 | Far UV light generation by AlN-based wavelength conversion devices | Ryuji Katayama | SPIE Photonics West 2024 | 招待 | 2024/01/27～ 2024/02/01 |
| 102 | InGaN 周期スロットレーザーのCW 波長可変単一モード動作実証 | 楠井 大晴，和田 拓巳，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | レーザー学会学術講演会第44回年次大会 | 2024/01/16～ 2024/01/19 | |
| 103 | パターンウエハ接合によるAlNAlN 極性反転横型擬似位相整合リブ導波路を用いた遠紫外第二高調波発生 | 百崎 怜 ，本田 啓人 , 古川 裕也, 旭 雄大, 岡山 芳央, 上向井 正裕, 谷川 智之, 片山 竜二 | レーザー学会学術講演会第44回年次大会 | 2024/01/16～ 2024/01/19 | |
| 104 | 横型擬似位相整合導波路およびモノリシック微小共振器からの遠紫外第二高調波発生 | 片山竜二，吉村政志，上向井正裕，谷川智之 | レーザー学会学術講演会第44回年次大会 | 招待 | 2024/01/16～ 2024/01/19 |
| 105 | 4層極性反転AlN薄膜のスパッタ‧アニール法による作製と界面評価 | 玉野 智大，正直 花奈子，秋山 亨，本田 啓人，佐藤 栄希，上杉 謙次郎，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人 | 第52回 結晶成長国内会議 JCCG-52 | 2023/12/04～ 2023/12/06 | |
| 106 | Spatial and remote charge density modulation method for MoS2 using periodically polarization inversed MgO: LiNbO3 | Kaipeng Rong , Ryosuke Noro , Hayato Nishigaki , Mingda Ding , Yao Yao , Taiki Inoue , Ryuji Katayama , Yoshihiro Kobayashi , Kazunari Matsuda and Shinichiro Mouri | 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) | 2023/11/14～ 2023/11/17 | |
| 107 | Design of AlN/Ta2O5 Horizontally Stacked Transverse-QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation | Hiroto Honda, Masahiro Uemukai, Tanikawa Tomoyuki, Ryuji Katayama | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 108 | Fabrication of transverse quasi-phase-matched channel waveguide using 4-layer polarity inverted AlN structure for second harmonic generation | Eiki Sato, Hiroto Honda, Ryo Momosaki, Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 109 | Fabrication of AlN Polarity Inverted Transverse QPM Rib WaveGuide for Second Harmonic Generation Fabricated by Patterned Wafer Bonding | Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Yuya Furukawa, Takehiro Asahi, Yoshio Okayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 110 | Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semipolar (1-101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates for MicroLED Application | Naofumi Takeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 111 | Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/–c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Photon Pair Generation Device Application | Kazuhisa Ikeda, Yuya Furukawa, Tomotaka Murata, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 112 | Fabrication of Multiple Polarity Inverted AlN Structures by Multiple Sputtering and High-Temperature Annealing | Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Hiroto Honda, Eiki Sato, Kenjiro Uesugi, Shiyu Xiao, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Hideto Miyake | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 口頭 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 113 | Nitride-semiconductor-based wavelength converters | Ryuji Katayama, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa | 14th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-14 | 招待 | 2023/11/12～ 2023/11/17 |
| 114 | 等方性常誘電体による遠紫外波長変換と量子光源応用：極性反転AlN導波路とSrB4O7微小共振器 | 片山竜二，吉村政志，上向井正裕，谷川智之 | 光材料応用技術研究会 | 招待 | 2023/11/10 |
| 115 | Horizontally Stacked Transverse QPM Channel Waveguide for Squeezed Light Generation | H. Honda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 116 | Fabrication of InGaN Tunable Single-Mode Laser Using Periodically Slotted Structure | T. Kusui, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 117 | High-Order Guided Mode Excitation Grating Coupler for GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Photon Pair Generation Device | Y. Furukawa, H. Honda, K. Ikeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 118 | Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide using 4-Layer Polarity Inverted AlN Structure for Second Harmonic Generation | E. Sato, H. Honda, R. Momosaki, T. Tamano, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 119 | Fabrication Process for Large Area Selective-Area Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Semi-polar (1-101) GaN on Patterned Si Substrate | N. Takeda, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 120 | InGaN Tapered Semiconductor Optical Amplifier for Laser Isotope Separation | T. Wada, T. Kusui, M Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 121 | AlN polarity inverted transverse QPM rib waveguide for second harmonic generation fabricated by patterned wafer bonding | R. Momosaki, H. Honda, Y. Furukawa, T. Asahi, Y. Okayama, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2023/10/11～ 2023/10/13 |
| 122 | Remote charge modulation effect of monolayer MoS2 using periodically polarization-inverted structure and hBN spacer layer | Rong Kaippeng, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, MIngda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro Mouri | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2023/09/19～ 2023/09/23 |
| 123 | GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起グレーティング結合器 | 古川 裕也，本田 啓人，池田 和久，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2023/09/19～ 2023/09/23 |
| 124 | 超短パルスレーザ励起におけるa面GaN垂直微小共振器デバイスからの428 nm第二高調波発生 | 南部 誠明，中原 智裕，安田 悠馬，藤原 康文，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第84回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2023/09/19～ 2023/09/23 |
| 125 | Remote charge density modulation of monolayer MoS2 using periodically polarization-inversed ferroelectric substrate | Kaipeng Rong, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro Mouri | The 65-th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium | ポスタ | 2023/09/04～ 2023/09/06 |
| 126 | 電界印加型GaN 導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討 | 菅野 竜輝 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 127 | 横型擬似位相整合光子対発生デバイス応用に向けたZnO の 極性制御成長」 | 畠中 祐喜 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 128 | 深溝周期構造を用いたInGaN 波長可変単一モードレーザに関する研究 | 楠井 大晴 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 129 | 水平方向積層横型擬似位相整合導波路の設計 | 本田 啓人 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | ポスタ | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 130 | 光AI アクセラレータ応用へ向けた電界印加型GaN マッハツェンダ干渉計に 関する研究 | 亀井 拓哉 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 口頭 | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 131 | パターンウエハ接合を用いたAlN 極性反転導波路型波長変換デバイスに関する研究 | 百崎 怜 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 口頭 | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 132 | 大口径化に向けた加工Si 基板上への半極性GaN のMOVPE MOVPE MOVPE MOVPE 選択成長プロセス | 竹田 尚史 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 口頭 | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 133 | 「GaN 横型擬似位相整合光子対発生デバイスに向けた高次導波モード励起 グレーティング結合器」 | 古川 裕也 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏季ワークショップ | 口頭 | 2023/09/04～ 2023/09/05 |
| 134 | 微小共振器型波長変換デバイスを用いた固体真空紫外光源の開発 | 南部 誠明 | 国際光デー公開シンポジウム 光がもたらす未来社会～ICOの新たな発展に向けて～ | ポスタ | 2023/07/10 |
| 135 | 大口径化に向けた加工Si基板上への半極性GaNのMOVPE選択成長プロセス | 竹田尚史，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第15回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2023/06/15～ 2023/06/17 |
| 136 | Far UV light generation by nitride-based wavelength conversion devices | Ryuji Katayama | The 6th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices IWUMD2023 | 招待 | 2023/06/05～ 2023/06/08 |
| 137 | Doping Effect of MOS2 using Periodically Polarization-Inversed Substrate | K. Rong, R. Noro, H. Nishigaki, M. Ding, Y. Yao, T. Inoue, R. Katayama, Y. Kobayashi, S. Mouri | The 23rd International Conference on the Science and Applications of Nanotubes and Low-Dimensional Materials NT23 | ポスタ | 2023/06/04～ 2023/06/09 |
| 138 | ワイドギャップ半導体を用いた集積型スクイーズド光源の開発 | 片山 竜二 | 応用物理学会 結晶工学分科会 第158回研究会：量子技術と結晶工学 | 招待 | 2023/04/21 |
| 139 | 光ニードル顕微鏡法を用いたGaN結晶内転位の3次元可視化における球面収差補正と空間分解能の評価 | 三浦 祐樹, 小澤 祐市, 谷川 智之, 上杉 祐貴, 佐藤 俊一 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 140 | GaN光導波路電界印加型マッハツェンダ干渉計の構造検討と作製 | 亀井 拓哉，菅野 竜輝，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 141 | DCパルススパッタリング法によるGaNの選択成長 | 長谷川 大輔，本田 達也，上山 智，高橋 伸明，三浦 仁嗣，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 142 | 多層極性反転 AlN 構造を用いた横型 QPM 導波路の設計 | 本田 啓人，百崎 怜，玉野 智大，正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 143 | マルチ・スパッタアニール法による多層極性反転AlN構造の作製 | 玉野 智大，正直 花奈子，本田 啓人，上杉 謙次郎，肖 世玉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 144 | 多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光 | 西河 巴賀，谷川 智之，本田 啓人，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二 | 第70回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2023/03/15～ 2023/03/18 |
| 145 | Doping effect of MoS2 using periodically polarization-inversed structure | Kaipeng Rong, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda Ding, Yao Yao, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Shinichiro Mouri | 第64回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム | ポスタ | 2023/03/01～ 2023/03/03 |
| 146 | グレーティング結合器集積化GaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの設計と作製 | 古川 裕也，池田 和久，本田 啓人，村田 知駿，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | レーザー学会学術講演会第43回年次大会 | 口頭 | 2023/01/18～ 2023/01/20 |
| 147 | 電界印加位相シフタを有するGaN導波路型マッハツェンダ干渉計の設計と作製 | 菅野 竜輝，亀井 拓哉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | レーザー学会学術講演会第43回年次大会 | 口頭 | 2023/01/18～ 2023/01/20 |
| 148 | 高効率スクイーズド光発生に向けたMgO:CLN/GaN横型擬似位相整合導波路波長変換デバイスの作製 | 野呂諒介, 上向井正裕, 谷川智之, 片山竜二 | レーザー学会学術講演会第43回年次大会 | 口頭 | 2023/01/18～ 2023/01/20 |
| 149 | SrB4O7微小共振器型 深紫外第二高調波発生デバイス | 南部 誠明，森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | レーザー学会学術講演会第43回年次大会 | 口頭 | 2023/01/18～ 2023/01/20 |
| 150 | 電界印加型GaN光導波路マッハツェンダ干渉計の構造検討 | 亀井拓哉，菅野竜輝，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第14回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2022/11/24～ 2022/11/26 |
| 151 | a面GaN/c面GaNの表面活性化接合に向けた表面平坦化プロセス | 安田悠馬，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第14回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2022/11/24～ 2022/11/26 |
| 152 | SiC基板上へのクラックフリーGaN/AlN DBRの有機金属気相成長 | 村田 知駿, 谷川 智之, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 第51回 結晶成長国内会議 JCCG-51 | 口頭 | 2022/10/31～ 2022/11/02 |
| 153 | Three-Dimensional Feature of Nanopipes in EFG-Grown (010) β-Ga2O3 Crystal | T. Nishikawa , M. Tsukakoshi , K. Goto , H. Murakami , Y. Kumagai , M. Uemukai , T. Tanikawa , and R. Katayama | The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials IWGO-4 | ポスタ | 2022/10/23～ 2022/10/27 |
| 154 | Demonstration of 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation from HfO2/AlN Transverse Quasi-Phase-Matched Channel Waveguide | Y. Furukawa, H. Honda, K. Shojiki, K. Uesugi, H. Miyake, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2022/10/19～ 2022/10/21 |
| 155 | Fabrication of GaN transverse quasi phase matching photon pair generation device using MOVPE-based epitaxial polarity inversion technology | K. Ikeda, T. Murata, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2022/10/19～ 2022/10/21 |
| 156 | Deep-Ultraviolet Second-Harmonic Generation from Microcavity Structure with SrB4O7 Nonlinear Optical Crystal | T. Nakahara, T. Nambu, Y. Mori, M. Yoshimura, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, R. Ishii, Y. Kawakami, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | ポスタ | 2022/10/19～ 2022/10/21 |
| 157 | Wavelength Conversion Device Application of Widegap Semiconductors: Far-UV Light Sources and Quantum Computers | R. Katayama, and T. Tanikawa | 第41回電子材料シンポジウム EMS41 | 招待 | 2022/10/19～ 2022/10/21 |
| 158 | Evaluation of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN Waveguide | Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 28th International Semiconductor Laser Conference ISLC2022 | 2022/10/16～ 2022/10/19 | |
| 159 | Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | T. Murata, K. Ikeda, J. Yamasaki, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama, | International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022 | ポスタ | 2022/10/09～ 2022/10/14 |
| 160 | Second Harmonic Generation of 230 nm DUV Light from Transverse Quasi-Phase-Matched −c-AlN/+c-AlN Channel Waveguide | H. Honda, S. Umeda, K. Shojiki, , H. Miyake, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022 | 口頭 | 2022/10/09～ 2022/10/14 |
| 161 | Blue Second Harmonic Generation from GaN Monolithic Microcavity | T. Nambu, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022 | 口頭 | 2022/10/09～ 2022/10/14 |
| 162 | Identification of Burgers Vectors of Threading Dislocations in HVPE- Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence | T. Tanikawa, Y. Ishii, M. Tsukakoshi, R. Terada, M. Adachi, M. Uemukai, R. Katayama | International Workshop on Nitride Semiconductors IWN2022 | 口頭 | 2022/10/09～ 2022/10/14 |
| 163 | 234 nm deep ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 microcavity | Tomoaki Nambu | The 12th International Conference of Photonics and Applications ICPA-12 | 口頭 | 2022/09/28～ 2022/10/01 |
| 164 | 微小共振器構造を用いた面発光型広帯域光子対発生デバイスの設計 | 中原 智裕，南部 誠明，安田 悠馬，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2022/09/20～ 2022/09/23 |
| 165 | MOVPEエピタキシャル極性反転技術を用いたGaN横型擬似位相整合光子対発生デバイスの作製 | 田 和久，村田 知駿，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2022/09/20～ 2022/09/23 |
| 166 | 2層極性反転AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生 | 本田 啓人，正直 花奈子，上杉 謙次郎，三宅 秀人，芹田 和則，村上 博成，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2022/09/20～ 2022/09/23 |
| 167 | HfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路を用いた230 nm遠紫外第二高調波発生 | 本田 啓人，正直 花奈子，上杉 謙次郎，三宅 秀人，芹田 和則，村上 博成，斗内 政吉，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | 招待 | 2022/09/20～ 2022/09/23 |
| 168 | 窒化物半導体結晶成長技術を駆使した量子光源の開発 | 正直 花奈子，本田 啓人，上杉 謙次郎，肖 世玉，谷川 智之，片山 竜二，三宅 秀人 | 第83回応用物理学会秋季学術講演会 | 招待 | 2022/09/20～ 2022/09/23 |
| 169 | 波長343 nm紫外光発生に向けたMgO:SLT2 μm周期分極反転和周波発生デバイスの作製 | 西垣 颯人 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | ポスタ | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 170 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3 結晶中の欠陥の非破壊評価 | 西河 巴賀 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | ポスタ | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 171 | SiC基板上へのクラックフリーGaN/AlN DBRの有機金属気相成長 | 村田 知駿 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | ポスタ | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 172 | モノリシック集積マイクロLEDに向けたGaN面方位変調テンプレートの作製 | 安田 悠馬 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | ポスタ | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 173 | ガラス基板上へのパルススパッタ法を用いたInGaN成長 | 長谷川 大輔 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | 口頭 | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 174 | AlN極性反転積層構造を用いた遠紫外第二高調波発生デバイス | 本田 啓人 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | 口頭 | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 175 | ScAlMgO4基板上へのZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計 | 矢野 岳人 | 第13回 窒化物半導体の成長・評価に関する合同ワークショップ | 口頭 | 2022/09/08～ 2022/09/09 |
| 176 | Three-dimensional characterization of threading dislocations in heteroepitaxial diamond substrate using multiphoton-excitation photoluminescence | Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Shinya Ohmagari | The 32nd International Conference on Diamond and Carbon Materials ICDCM2022 | 口頭 | 2022/09/04～ 2022/09/08 |
| 177 | SrB4O7微小共振器を用いた深紫外第二高調波発生 | 南部 誠明, 田中 康教, 森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | レーザー学会第564回研究会：高機能個体レーザーとその応用 | 口頭 | 2022/07/15 |
| 178 | 波長変換を用いた230 nm帯遠紫外全固体光源開発 | 片山 竜二，上向井 正弘，谷川 智之 | 応用物理学会 応用電子物性分科会 研究会：窒化物半導体光デバイスの最前線～最先端レーザと物性応用デバイス～ | 招待 | 2022/06/02 |
| 179 | 3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence | T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai | MRS Spring Meeting 2022 | 口頭 | 2022/05/23～ 2022/05/25 |
| 180 | Design of Transverse Quasi-Phase-Matched Non-Polar/AlN Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation | Hiroto Honda,Soshi Umeda,Kanako Shojiki,Hideto Miyake,Maki Kushimoto, Yasufumi Fujiwara,Masahiro Uemukai,Tomoyuki Tanikawa,Ryuji Katayama | MRS Spring Meeting 2022 | 口頭 | 2022/05/23～ 2022/05/25 |
| 181 | 池田 和久 | 極性制御研究会 | 口頭 | 2022/05/19 | |
| 182 | 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合AlNチャネル導波路 | 本田 啓人 | 極性制御研究会 | 口頭 | 2022/05/19 |
| 183 | 波長変換を用いた遠紫外全固体光源開発 | 片山 竜二 | 極性制御研究会 | 招待 | 2022/05/19 |
| 184 | GaN Directional Coupler for application to Mach-Zehnder Interferometer based GaN optical AI chip | T. Kamei, Y. Hisada, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第10回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2022 | 口頭 | 2022/04/21～ 2022/04/22 |
| 185 | Design and Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched HfO2/AlN Channel Waveguide for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation | H. Honda, K. Shojiki, , H. Miyake, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第10回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA2022 | 口頭 | 2022/04/21～ 2022/04/22 |
| 186 | Design of LiNbO3/GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device for High Efficiency Squeezed Light Generation | Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | 第11回 先進的レーザと光源技術に関する国際会議 ALPS2022 | 口頭 | 2022/04/18～ 2022/04/21 |
| 187 | ヘテロエピタキシャル成長ダイヤモンド基板中の貫通転位の伝搬挙動 | 谷川 智之，大曲 新矢，上向井 正裕，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 188 | 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN方向性結合器の作製と評価 | 亀井 拓哉，久田 雄太，市川 修平，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 189 | 高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計 | 野呂 諒介，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 190 | EFG成長 (010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状 | 西河 巴賀，塚越 真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 191 | SrB4O7微小共振器を用いた234 nm深紫外第二高調波発生 | 南部 誠明，田中 康教，森 勇介，吉村 政志，市川 修平，藤原 康文，石井 良太，川上 養一，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 192 | 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けたHfO2/AlN横型擬似位相整合チャネル導波路の作製 | 本田 啓人，俵 悠弥，藤原 康文，正直 花奈子，三宅 秀人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 193 | GaN-QPM結晶を用いたリブ導波路型波長変換デバイスの作製と評価 | 嶋田 慶也，石原 弘基，梅田 颯志，横山 尚生，本田 啓人，井上 翼，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二，中野 貴之 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 194 | GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光 | 谷川 智之，塚越 真悠子，宇佐美 茂佳，今西 正幸，森 勇介，川崎 晟也，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二 | 第69回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2022/03/22～ 2022/03/26 |
| 195 | Deep UV Emission from Nitride-Based Wavelength Convertor | Ryuji KATAYAMA | The 14 th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2022) | 招待 | 2022/03/06～ 2022/03/10 |
| 196 | 集積連続量光量子コンピュータに向けたLiNbO3/GaN横型擬似位相整合スクイーザの設計 | 野呂 諒介 | 大阪大学フェローシップ 量子リーダー人材(QLEAR) 令和３年度研究者交流会 | ポスタ | 2022/03/08 |
| 197 | 波長変換を用いた遠紫外全固体光源開発 | 片山 竜二 | ワイドギャップ半導体学会 第四回研究会 ～深紫外発光素子の新展開と応用展望～ | 招待 | 2021/12/09 |
| 198 | フルカラーInGaN多重量子井戸の作製に向けた接合可能な非極性GaN平坦膜の成長 | 安田悠馬，谷川智之，上向井正裕，片山竜二 | 第13回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2021/12/02～ 2021/12/04 |
| 199 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察 | 西河 巴賀，塚越 真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷 義直，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第13回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2021/12/02～ 2021/12/04 |
| 200 | 拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戶の有機金属気相選択成⻑ | 吉田新，正直花奈子，三宅秀人，谷川智之，上向井正裕，片山⻯二 | 第50回 結晶成長国内会議 JCCG-50 | ポスタ | 2021/10/27～ 2021/10/29 |
| 201 | ファイア基板上N極性GaN薄膜の有機金属気相成⻑における平坦化条件の探索 | 池田和久, 村田知駿, 上向井正裕,谷川智之,片山⻯二 | 第50回 結晶成長国内会議 JCCG-50 | 口頭 | 2021/10/27～ 2021/10/29 |
| 202 | Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of GaN for Nondestructive Identification of Threading Dislocations | M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 203 | Fabrication of Orientation Modulated GaN Template for Monolithic Integrated Full-Color InGaN Light-Emitting Diodes | Y. Yasuda, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 204 | Efficiency Evaluation of GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Wavelength Conversion Device under Femtosecond Laser Excitation | N. Yokoyama, H. Honda, T. Murata, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Tokita, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 205 | Fabrication of GaN Polarity Inverted Structure via Ultrathin AlN Oxidation Interlayer using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | T. Murata, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 206 | Design of Non-Polar/AlN Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguides for 230-nm Far-UV Second Harmonic Generation | H. Honda, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 207 | Improved Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer Polarity Inverted AlN Waveguide for 230-nm Second Harmonic Generation | S. Umeda, H. Honda, T. Nambu, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, K. Shojiki, H. Miyake, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 208 | Fabrication of 3.3 um Periodically-Poled MgO:SLT Structure for Quantum Light Sources at 810 nm | H. Nishigaki, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第40回電子材料シンポジウム EMS40 | ポスタ | 2021/10/11～ 2021/10/13 |
| 209 | 有機金属気相成長法を用いたGaNエピタキシャル極性反転技術の開発 | 村田知駿，谷川智之，上向井正裕，片山竜二 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | ポスタ | 2021/09/10～ 2021/09/13 |
| 210 | 電界印加型光導波路マッハツェンダ干渉計へ向けたGaN導波路型方向性結合器の作製 | 久田雄太，亀井拓哉，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2021/09/10～ 2021/09/13 |
| 211 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング | 西河巴賀，塚越真悠子，後藤 健，村上 尚，熊谷義直，谷川智之，上向井正裕，片山竜二 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2021/09/10～ 2021/09/13 |
| 212 | 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合HfO2/AlN導波路の設計 | 本田啓人，梅田颯志，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2021/09/10～ 2021/09/13 |
| 213 | 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製 | 梅田颯志，本田啓人，南部誠明，市川修平，藤原康文，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第82回応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2021/09/10～ 2021/09/13 |
| 214 | Experimental Determination of Wavelength Conversion Efficiency in Transverse Quasi-Phase-Matched GaN SHG Waveguide Excited with Femtosecond Laser | N. Yokoyama, Y. Morioka, T. Murata, H. Honda, F. R. G. Bagsican, K. Serita, H. Murakami, M. Tonouchi, S. Ichikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama | 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) | 口頭 | 2021/09/07～ 2021/09/09 |
| 215 | Nondestructive Characterization of Dislocations Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence | T. Tanikawa, A. Ogura, M. Uemukai, and R. Katayama | SemiconNano2021 | 招待 | 2021/08/30～ 2021/09/03 |
| 216 | 窒化物半導体の波長変換デバイス応用 | 谷川智之 | 応用物理学会中国四国支部・若手半導体研究会 | 招待 | 2021/08/23 |
| 217 | 多光子励起過程を利用した次世代半導体材料の欠陥評価技術 | 谷川智之 | 日本学術振興会第R032委員会 第2回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製Ⅱ」 | 招待 | 2021/08/06 |
| 218 | MgO:SLTを用いた3.3 μm周期分極反転構造の作製 | 野呂諒介，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 219 | InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザ | 樋口晃大，松下就哉，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 220 | 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製 | 永田拓実，梅田颯志，隈部岳瑠，安藤悠人，出来真斗，本田善央，天野 浩，トーマスポージン，山田和輝，岩谷素顕，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 221 | 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製 | 本田啓人，永田拓実，市川修平，藤原康文，正直花奈子，三宅秀人，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 222 | AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスの検討 | 南部誠明，矢野岳人，永田拓実，田辺 凌，梅田颯志，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 223 | GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイスの効率評価 | 横山尚生，村田知駿，本田啓人，市川修平，藤原康文，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 224 | 表面活性化接合を用いた面方位変調GaNテンプレートの作製と組成変調InGaN量子井戸の有機金属気相成長 | 田辺 凌，吉田 新，安田悠馬，上向井正裕，谷川智之，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 225 | GaN結晶中の貫通転位の非破壊分類に向けた多光子励起PLマッピング像とラマンマッピング像の相関解析 | 谷川智之，足立真理子，寺田陸斗，塚越真悠子，上向井正裕，片山竜二 | 第68回応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2021/03/16～ 2021/03/19 |
| 226 | Nondestructive characterization of GaN by multiphoton-excitation photoluminescence mapping | T. Tanikawa, M. Tsukakoshi, M. Uemukai, R. Katayama | SPIE Photonics West 2021 | 招待 | 2021/03/03～ 2021/03/06 |
| 227 | Novel wavelength converters made of nitride semiconductors: transverse QPM waveguides and monolithic microcavities | R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa | SPIE Photonics West 2021 | 招待 | 2021/03/03～ 2021/03/06 |
| 228 | Core structure of threading dislocations in GaN | T. Kiguchi , Y. Kodama, Y. Hayasaka, T. Tanikawa, and T. J. Konno | 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) | 口頭 | 2021/03/01～ 2021/03/03 |
| 229 | Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging | M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama | 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) | 口頭 | 2021/03/01～ 2021/03/03 |
| 230 | Novel Method of Short-Wavelength Emission from Polarity-Inverted Nitride Semiconductor Waveguides | R. Katayama, M. Uemukai, and T. Tanikawa | 第8回結晶成長と結晶技術に関するアジア会議 (CGCT-8) | 口頭 | 2021/03/01～ 2021/03/03 |
| 231 | 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 | 谷川智之 | 新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会 | 口頭 | 2021/02/24 |
| 232 | 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 | 片山 竜二 | 新学術領域研究 特異構造の結晶科学 オンライン成果報告・連絡会 | 口頭 | 2021/01/13 |
| 233 | ワイドギャップ窒化物半導体波長変換デバイスによる紫外光発生 | 片山 竜二 | 応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 紫外材料 ・デバイス開発の最前線 ～物性の理解 とデバイス開発～ | 招待 | 2020/11/18 |
| 234 | Fabrication of GaN Polarity-Inverted Structure by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching and Surface Activated Bonding | Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 235 | Comparative study of dislocation classification in HVPE-grown GaN by etch pit method and multiphoton-excitation photoluminescence imaging | M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai and R. Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 236 | Design and Fabrication of AlN Waveguide Microcavity SHG Device | Soshi Umeda, Takumi Nagata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 237 | Annealed Proton-Exchanged Waveguide with Large Mode Size in Quasi-Phase-Matched MgO:SLT for High Power Second Harmonic Generation | Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 238 | First Demonstration of Tunable Single-Mode InGaN Laser with Periodically Slotted Structure | Akihiro Higuchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 239 | Transverse Quasi-Phase-Matched Second Harmonic Generation using Polarity-Inverted GaN Channel Waveguide with Input Grating Coupler | Tomotaka Murata, Naoki Yokoyama, Tenta Komatsu, Yoshiki Morioka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 240 | Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electrically-Tunable Waveguide Phase Shifter | A. Tomibayashi, Y. Hisada, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 241 | Design of Waveguide Directional Coupler for Electric-Field Driven GaN Mach-Zehnder Interferometer | Y. Hisada, A. Tomibayashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 242 | Epitaxial Growth of InGaN Thin Film with High InN Molar Fraction by Pulsed DC Sputtering | Yuna Onishi, Hitoshi Miura, Nobuaki Takahashi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 243 | Design of GaN Waveguide Microcavity Device for Broadband Photon Pair Generation | Takumi Nagata, Soshi Umeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 244 | Role of Low-Temperature Buffer Layer and GaN Flattening Layer on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Lattice-Matched InGaN on ScAlMgO4 | Shin Yoshida, Naoya Ryoki, Kentaro Miyano, Tomoyuki Tanikawa, Masahiro Uemukai, and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 245 | Design of Ttransverse Quasi-Phase-Matched Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Second Harmonic Generation | Hiroto Honda, Naoki Yokoyama, Asahi Yamauchi,Tenta Komatsu, Kanako Shojiki, Hideto Miyake,Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | 第39回 電子材料シンポジウム EMS39 | ポスタ | 2020/10/07～ 2020/10/09 |
| 246 | ワイドギャップ半導体の分極制御と量子光学応用：遠UVC全固体光源 | 片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 招待 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 247 | 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計 | 矢野 岳人，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 248 | 高出力第二高調波発生に向けたMgO:SLT擬似位相整合アニールプロトン交換導波路 | 野呂 諒介，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 249 | 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの設計 | 永田 拓実，梅田 颯志，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 250 | 周期的スロット構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザ | 樋口 晃大，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 251 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE -GaN 結晶の貫通転位の観察と分類 (2) | 塚越 真悠子，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 252 | グレーティング結合器集積GaN横型擬似位相整合第二高調波発生デバイス | 横山 尚生，森岡 佳紀，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第81回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2020/09/08～ 2020/09/11 |
| 253 | 多光子励起PL三次元測定によるGaN基板中の転位の判別 | 谷川 智之，塚越 真悠子，上向井 正裕，片山 竜二 | 第12回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2020/07/03 |
| 254 | Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN films maintaining surface flatness for surface activated bonding | N. Yokoyama, R. Tanabe, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama | 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20 | ポスタ | 2020/04/21～ 2020/04/23 |
| 255 | Design of AlN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device | S. Umeda, T. Nagata, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama | 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20 | 口頭 | 2020/04/21～ 2020/04/23 |
| 256 | Correlation between etch pit size and threading dislocation propagation habit in GaN substrate observed by multiphoton-excitation photoluminescence | M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama | 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20 | 口頭 | 2020/04/21～ 2020/04/23 |
| 257 | Fabrication process of InGaN high-order deeply etched DBR laser | A. Higuchi, D. Tazuke, M. Uemukai, T. Tanikawa, R. Katayama | 第8回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'20 | 口頭 | 2020/04/21～ 2020/04/23 |
| 258 | Fabrication of Annealed Proton-Exchanged Waveguide in Periodically-Poled MgO:s-LiTaO3 for High Power Second Harmonic Generation | R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama | 第9回 先進的レーザと光源技術に関する国際会議 ALPS2020 | 口頭 | 2020/04/20～ 2020/04/22 |
| 259 | AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計 | 梅田 颯志，永田 拓実，彦坂 年輝，布上 真也，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第67回 応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2020/03/12～ 2020/03/15 |
| 260 | 高出力第二高調波発生に向けた周期分極反転MgO:s-LiTaO3アニールプロトン交換導波路の作製 | 野呂 諒介，岡﨑 雅英，溝端 一国雄，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第67回 応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2020/03/12～ 2020/03/15 |
| 261 | 表面活性化接合に必要な表面平坦性を維持するGaNのエッチング | 横山 尚生，田辺 凌，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第67回 応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2020/03/12～ 2020/03/15 |
| 262 | 横型擬似位相整合 GaN 導波路型波長変換デバイスの開発 | 小松 天太，彦坂 年輝，布上 真也，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第67回 応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2020/03/12～ 2020/03/15 |
| 263 | 多光子励起フォトルミネッセンス法によるHVPE-GaN結晶中貫通転位の観察と分類 | 塚越 真悠子，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二 | 第67回 応用物理学会春季学術講演会 | 口頭 | 2020/03/12～ 2020/03/15 |
| 264 | Second harmonic generation devices with transverse quasi-phase-matched polarity-inverted stacked AlN waveguide | A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | SPIE Photonics West 2020 | 口頭 | 2020/02/01～ 2020/02/06 |
| 265 | Fabrication of +c/-c AlN Structure toward IR Wavelength Conversion | Y. Hayashi, K. Uesugi, K. Shojiki, R. Katayama, A. Sakai and H. Miyake | International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) | 口頭 | 2019/11/27～ 2019/11/30 |
| 266 | Nondestructive defect characterization of widegap semiconductors using multiphoton-excitation photoluminescence | T. Tanikawa | APWS2019 | 招待 | 2019/11/10～ 2019/11/15 |
| 267 | Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN Waveguide | A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | APWS2019 | ポスタ | 2019/11/10～ 2019/11/15 |
| 268 | Development of GaN Waveguide Wavelength Filter for Quantum Optical Application | T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | APWS2019 | ポスタ | 2019/11/10～ 2019/11/15 |
| 269 | Bonding Strength of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding | R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | APWS2019 | ポスタ | 2019/11/10～ 2019/11/15 |
| 270 | Design and Fabrication of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device | T. Nagata, M. Uemukai, , T. Hikosaka, S. Nunoue , T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama | APWS2019 | 口頭 | 2019/11/10～ 2019/11/15 |
| 271 | 近赤外波長変換に向けた+c/-c AlN構造の作製 | 林 侑介，上杉 謙次郎，正直 花奈子，片山 竜二，藤平 哲也，酒井 朗，三宅 秀人 | 応用物理学会関西支部 2019年度第2回 支部講演会 | ポスタ | 2019/11/08 |
| 272 | Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor | R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa | International Workshop on Creation of Singularity Structures | 招待 | 2019/10/18 |
| 273 | Design of InGaN Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure | D. Tazuke, A. Higuchi, T. Hikosaka, T. Oka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 274 | Optimization of annealing temperature to reduce contact resistance on p-GaN toward fabrication of InGaN single-mode laser | A. Higuchi, D. Tazuke, T. Hikosaka, T. Oka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 275 | Fabrication of GaN doubly-resonant waveguide microcavity SHG device | T. Nagata, S. Umeda, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 276 | Design of GaN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device | S. Umeda, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nuoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 277 | Design of Deep Ultraviolet Second Harmonic Generation Device with Double-Layer Polarity-Inverted AlN Waveguide | A. Yamauchi, T. Komatsu, K. Ikeda, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, T. Morikawa, Y. Fujiwara, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 278 | GaN waveguide directional coupler and wavelength filter for optical quantum application | M. Maeda, T. Komatsu, M. Kihira, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 279 | Bonding Strength Optimization of Polarity-Inverted GaN/GaN Structure Fabricated by Surface-Activated Bonding | N. Yokoyama, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 280 | Raman Scattering Evaluation of Strain Evolution During Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate | R. Tanabe, N. Yokoyama, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 281 | Design and Evaluation of Electrical and Optical Characteristics of ITO Electrode for Electric-Field Driven Optical Waveguide Devices | A. Tomibayashi, M. Kihira, T. Komatsu, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 282 | Fabrication of Periodically-Poled Structure in MgO:s-LiTaO3 by Voltage Application with SiO2 Insulation Layer | R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 283 | Input Focusing Grating Coupler for Deep UV AlN Waveguide SHG Device | Y. Morioka, M. Uemukai, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 284 | Heteroepitaxial Growth of GaN Thin Films on Sapphire Substrates by Pulsed DC Sputtering | S. Imai, Y. Onishi, H. Miura, N. Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 285 | Pulsed DC sputtering growth of Mg-doped GaN thin film | Y. Onishi, S, Imai, H, Miura, N, Takahashi, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 286 | Design of ZnO/ZnMgO MQW Microcavity with SiO2/ZrO2 DBR for Quantum Entangled Photon Pair Generation | Y. Matsui, T. Yano, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 287 | Benchmark of Nonlinear Optical Crystals for Single-Path Waveguide Optical Parametric Amplifier | T. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai, T. Tanikawa and R. Katayama | 第38回 電子材料シンポジウム EMS38 | ポスタ | 2019/10/09～ 2019/10/11 |
| 288 | InGaN Laser Pumped Nitride Semiconductor Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Second Harmonic Generation Devices | M. Uemukai , S. Yamaguchi, A. Yamauchi, D. Tazuke, A. Higuchi, R. Tanabe, T. Tanikawa, T. Hikosaka, S. Nunoue, Y. Hayashi, H. Miyake, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019 | 招待 | 2019/09/24～ 2019/09/27 |
| 289 | Input Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device | Y. Morioka, M. Uemukai, T. Tanikawa, K. Uesugi, K. Shojiki, H. Miyake, T. Morikawa, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第7回 半導体ナノ構造のエピタキシャル成長と基礎物性に関する国際ワークショップ SEMICONNANO2019 | ポスタ | 2019/09/24～ 2019/09/27 |
| 290 | ワイドギャップ半導体を用いた新規波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー | 片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 招待 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 291 | 量子光学応用のためのGaN 光導波路型波長フィルタの開発 | 小松 天太，紀平 将史，上向井 正裕，谷川 智之，彦坂 年輝，布上 真也，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 292 | AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器 | 森岡 佳紀，上向井 正裕，上杉 謙次郎，正直 花奈子，三宅 秀人，森川 隆哉，藤原 康文，谷川 智之，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 293 | 横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証 | 山内 あさひ，山口 修平，小野寺 卓也，林 侑介， 三宅 秀人，彦坂 年輝，布上 真也，塩見 圭史，藤原 康文，芹田 和則，川山 巌，斗内 政吉，上向井 正裕，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 294 | 2層極性反転積層AlN光導波路を用いた深紫外域波長変換デバイスの設計 | 山内 あさひ，小松 天太，上杉 謙次郎，正直 花奈子，三宅 秀人，彦坂 年輝，布上 真也，森川 隆哉，藤原 康文，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 295 | GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作 | 永田 拓実，森川 隆哉，藤原 康文 ，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 296 | 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価 | 田辺 凌，横山 尚生，上向井 正裕，谷川 智之，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 297 | 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（１） | 谷川 智之，小島 一信，粕谷 拓生，秩父 重英，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，上向井 正裕，片山 竜二 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 298 | 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光（２） | 小島 一信，谷川 智之，粕谷 拓生，上向井 正裕，片山 竜二，田中 敦之，本田 善央，天野 浩，秩父 重英 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 299 | 近赤外波長変換に向けた+c AlN/-c AlN構造の作製 | 林 侑介，上杉 謙次郎，正直 花奈子，片山 竜二，酒井 朗，三宅 秀人 | 第80回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2019/09/18～ 2019/09/21 |
| 300 | Quantum Optical Application of Nitride Semiconductor: DUV Laser and Quantum Computer | R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa | 紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2019 | 招待 | 2019/09/08～ 2019/09/13 |
| 301 | Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities | R. Katayama, M. Uemukai and T. Tanikawa | 固体素子と材料に関する国際会議 SSDM2019 | 招待 | 2019/09/02～ 2019/09/05 |
| 302 | Mg 添加定比組成LiTaO3 を用いた擬似位相整合第二高調波発生デバイス | 野呂 諒介 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | ポスタ | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 303 | 量子光学応用のためのGaN 光導波路型方向性結合器の開発 | 紀平 将史 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | ポスタ | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 304 | AlN 導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器 | 森岡 佳紀 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | ポスタ | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 305 | 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO MQW 微小共振器の設計と作製 | 松井 裕輝 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | ポスタ | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 306 | 量子もつれ光子対発生に向けたZnO/ZnMgO MQW 微小共振器の設計 | 矢野 岳人 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | ポスタ | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 307 | 電界印加型位相シフタを用いたGaN 光導波路型マハツェンダ干渉計 | 冨林 滉 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 308 | 深紫外用極性反転積層AlN 導波路SHG デバイスの設計 | 小松 天太 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 309 | 単結晶ターゲットによるGaN 薄膜のDC パルススパッタリング成長 | 今井 翔吾 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 310 | 多光子励起フォトルミネッセンス法による三次元測定技 | 谷川 智之 | 第12 回窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 招待 | 2019/08/23～ 2019/08/24 |
| 311 | Multiphoton-Excitation Photoluminescence: Novel Nondestructive Deffect Characterization Technology | T. Tanikawa and T. Matsuoka | 第19回 結晶成長とエピタキシに関する国際会議 ICCGE19・第19回 米国有機金属気相成長ワークショップ OMVPE-19 | 招待 | 2019/07/28～ 2019/08/02 |
| 312 | Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device | M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama | 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 | 口頭 | 2019/07/07～ 2019/07/12 |
| 313 | Demonstration of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide SHG Device Fabricated by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal | S. Yamaguchi, A. Yamauchi, T. Onodera, M. Uemukai, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama | 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 | 口頭 | 2019/07/07～ 2019/07/12 |
| 314 | Optically Pumped GaN-based Laterally-coupled Distributed-feedback GaN Lasers with 3rd-order Surface Grating Grown on Pendeo-epitaxy GaN | T. Ando, K. Takagi, Y. Morioka, M. Uemukai, R. Katayama, D. Imai and T. Miyajima | 窒化物半導体国際会議 ICNS2019 | 口頭 | 2019/07/07～ 2019/07/12 |
| 315 | スクイーズド光発生のための光導波路型非線形デバイス | 野呂 諒介，小松 天太 | 量子情報関西Student Chapter | ポスタ | 2019/07/01 |
| 316 | Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence | A. Ogura, T. Tanikawa, T. Takamoto, R. Oshima, H. Suzuki, M. Imaizumi and T. Sugaya | 第46回 IEEE 太陽光発電専門会議 PVSC 46 | ポスタ | 2019/06/16～ 2019/06/21 |
| 317 | 窒化物半導体波長変換デバイスの開発ー極性反転導波路と微小共振器ー | 片山 竜二，上向井 正裕，谷川 智之 | 第11回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | 招待 | 2019/06/13～ 2019/06/14 |
| 318 | 多光子顕微鏡によるGaN結晶中の転位伝搬評価 | 谷川智之，松岡隆志 | 第145委員会，第161委員会 合同研究会 「窒化物半導体における欠陥低減技術の進展と評価技術の最前線」 | 招待 | 2019/05/08 |
| 319 | Nonlinear Optical Application of Nitride Semiconductors: Polarity-Inverted Waveguides and Microcavities | R. Katayama | Workshop on Nitride Semiconductor Lasers | 招待 | 2019/05/06～ 2019/05/07 |
| 320 | First Demonstration of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Pedestal Structure | M. Uemukai, T. Nambu, T. Nagata, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shiomi, Y. Fujiwara, K. Ohnishi, T. Tanikawa and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 招待 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 321 | Design of ZnO/ZnMgO Multiple Quantum Well Microcavity for Quantum Entangled Photons Generation | T. Yano, Y. Matsui, M. Uemukai and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 口頭 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 322 | Design of GaN-waveguide-based Mach-Zehnder Interferometer Compatible to the Optical Waveguide-based Quantum Computer | T. Komatsu, M. Kihira, A. Tomibayashi, M. Uemukai and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 口頭 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 323 | Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal | A. Yamauchi, S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 口頭 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 324 | Focusing Grating Coupler for AlN Deep UV Waveguide SHG Device | Y. Morioka, S. Yamaguchi, K. Shojiki, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 口頭 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 325 | Raman Scattering Investigation of Strain Evolution during Surface-Activated Bonding of GaN and Removal of Si Substrate | R. Tanabe, T. Onodera, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, K. Shojiki, H. Miyake, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | 口頭 | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 326 | Pulsed DC Sputtering Deposition of GaN Thin Films with Single Crystal Target for Low Impurity Concentration | S. Imai, Y. Onishi, T. Onodera, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, N. Takahashi, Y. Honda, H.J. Cheong, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama | 第7回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'19 | ポスタ | 2019/04/23～ 2019/04/25 |
| 327 | 窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御 | 片山 竜二 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2019/04/19～ 2019/04/20 |
| 328 | 多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非侵襲観察 | 谷川 智之 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2019/04/19～ 2019/04/20 |
| 329 | ラマン散乱による表面活性化接合前後のGaN薄膜中の歪変化の評価 | 田辺 凌, 小野寺 卓也，上向井 正裕, 彦坂 年輝, 布上 真也，正直 花奈子，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 330 | AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器 | 森岡 佳紀, 山口 修平, 正直 花奈子, 林 侑介, 三宅 秀人, 塩見 圭史, 藤原 康文, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 331 | 周期的スロット構造を用いたInGaN単一モードレザの作製プロセス の検討 | 田附 大貴, 楠本 壮, 樋口 晃大, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 332 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：電界印加型位相変調器の設計 | 小松 天太, 紀平 将史，上向井 正裕，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 333 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaN/n-AlGaN方向性結合器の設計 | 紀平 将史，三輪 純也，小松 天太，上向井 正裕，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 334 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の作製 | 三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，彦坂 年輝，布上 真也，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 335 | Si台座構造上 GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 | 南部 誠明，永田 拓実，塩見 圭史，藤原 康文，大西 一生，谷川 智之，上向井 正裕，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 336 | 量子相関光子対発生に向けたZnO/ZnMgO多重量子井戸微小共振器の設計 | 矢野 岳人，松井 裕輝，上向井 正裕，片山 竜二 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 337 | Pendeo成長GaNを下地とした3次表面グレーティングを有する横結合分布帰還型GaN系半導体レーザの設計と作製 | 高木 健太，安藤 壮，森岡 佳紀，上向井 正裕，片山 竜二，今井 大地，宮嶋 孝夫 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 338 | 波長変換デバイスに向けたスパッタ成膜AlNの極性制御 | 林 侑介, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 片山 竜二, 三宅 秀人 | 第66回 応用物理学会 春季学術講演会 | 招待 | 2019/03/09～ 2019/03/12 |
| 339 | GaN waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems | J. Miwa, M. Kihira, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | SPIE Photonics West 2019 | 口頭 | 2019/02/02～ 2019/02/07 |
| 340 | Fabrication of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device on Si trapezoidal structure | T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara and R. Katayama | SPIE Photonics West 2019 | 口頭 | 2019/02/02～ 2019/02/07 |
| 341 | 量子コンピュータ開発と結晶技術 | 片山 竜二 | 日本学術振興会 第161委員会 第109回研究会 | 招待 | 2019/01/25～ 2019/01/26 |
| 342 | 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 | 上向井 正裕, 楠本 壮, 田附 大貴, 田島 純平, 彦坂 年輝, 布上 真也, 片山 竜二 | 電子情報通信学会 電磁界理論研究会 | 口頭 | 2019/01/17～ 2019/01/18 |
| 343 | Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device on Si Substrate | T. Nambu, T. Komatsu, M. Uemukai, K. Shiomi, Y. Fujiwara, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama | 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 | 口頭 | 2018/11/11～ 2018/11/16 |
| 344 | Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser | S. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, M. Uemukai, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue and R. Katayama | 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 | 口頭 | 2018/11/11～ 2018/11/16 |
| 345 | Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature | T. Onodera, R. Tanabe, M. Uemukai, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama | 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2018 | 口頭 | 2018/11/11～ 2018/11/16 |
| 346 | Design of ZnO-Based Microcavities with SiO2/ZrO2 Distributed Bragg Reflectors for Entangled Photon Pair Generation | Y. Matsui, T. Yano, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 347 | Implementation of GaN Monolithically Integrated Optical Circuit for Scalable Quantum Computation in Loop-Based Architecture | T. Komatsu, R. Noro, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 348 | Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth | A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 349 | GaN Strip Waveguide Directional Coupler for Optical Quantum Information Processing Systems | M. Kihira, J. Miwa, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 350 | Input Grating Coupler for AlN Channel Waveguide Wavelength Conversion Device | Y. Morioka, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 351 | Fabrication Process of InGaN Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure | D. Tazuke, S. Kusumoto, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 352 | Temperature Dependence of Structural and Optical Properties of GaN Film Grown by Pulsed Sputtering Deposition | S. Imai, T. Onodera, M. Uemukai, M. Imanishi, Y. Mori, H. Miura, Y. Takahashi, Y. Honda, H. Cheong, H. Amano and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 353 | Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device | T. Nambu, T. Komatsu, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 354 | Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity-Inverted Stacked AlN Waveguide by Surface-Activated Bonding and Silicon Removal | S. Yamaguchi, T. Onodera, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 355 | Fabrication Process of InGaN High-Order Deeply Etched DBR Laser | S. Kusumoto, D. Tazuke, K. Ikeda, J. Tajima, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 356 | Area Expansion of Surface-Activated Wafer Bonding using GaN Samples with Improved Surface Smoothness and Reduced Curvature | T. Onodera, R. Tanabe, T. Hikosaka, S. Nunoue, M. Kushimoto, H.J. Cheong, Y. Honda, H. Amano, M. Uemukai and R. Katayama | 第37回 電子材料シンポジウム EMS37 | ポスタ | 2018/10/10～ 2018/10/12 |
| 357 | Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth | A. Yamauchi, S. Yamaguchi, Y. Hayashi, H. Miyake, K. Shiomi, Y. Fujiwara, M. Uemukai and R. Katayama | IEEE Photonics Society Kansai Chapter 第4回フォトニクス英語発表会 | 口頭 | 2018/09/29 |
| 358 | 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計 | 山口 修平，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人，塩見 圭史，藤原 康文，片山 竜二 | 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2018/09/18～ 2018/09/21 |
| 359 | 表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製 | 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢 ，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介， 三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 | 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2018/09/18～ 2018/09/21 |
| 360 | InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討 | 楠本 壮，田附 大貴 , 池田 和久 , 上向井 正裕 ，片山 竜二 | 第79回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2018/09/18～ 2018/09/21 |
| 361 | 窒化物半導体光導波路デバイスのためのグレーティング結合器 | 森岡 佳紀 | 第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2018/09/13～ 2018/09/14 |
| 362 | 電界印加型位相シフタを用いたGaN 光導波路型マッハツェンダ干渉計 | 三輪 純也 | 第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2018/09/13～ 2018/09/14 |
| 363 | 表面活性化接合とSi 基板除去によるGaN 極性反転積層チャネル導波路の作製 | 田辺 凌 | 第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2018/09/13～ 2018/09/14 |
| 364 | 定比組成LiTaO3 導波路型光パラメトリック下方変換デバイスの開発 | 野呂 諒介 | 第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2018/09/13～ 2018/09/14 |
| 365 | GaN 光集積回路型ユニバーサル量子計算システムの開発 | 小松 天太 | 第11回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2018/09/13～ 2018/09/14 |
| 366 | 横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源 | 片山 竜二，山口 修平，小野寺 卓也，山内 あさひ，上向井 正裕，林 侑介，三宅 秀人 | 電子情報通信学会 2018年ソサイエティ大会 | 招待 | 2018/09/11～ 2018/09/14 |
| 367 | 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 | 片山竜二 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2018/09/07 |
| 368 | 深紫外SHGに向けたウェハ接合型AlN極性反転構造 | 林 侑介, 片山 竜二, 三宅 秀人 | 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | 招待 | 2018/07/12～ 2018/07/13 |
| 369 | ZnO系ワイドギャップ半導体微小共振器を用いた量子相関光子対発生素子の設計 | 矢野 岳人，上向井 正裕，片山 竜二 | 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2018/07/12～ 2018/07/13 |
| 370 | 表面活性化接合とSi基板除去によるGaN極性反転構造の作製 | 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 | 第10回 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | ポスタ | 2018/07/12～ 2018/07/13 |
| 371 | Design and Fabrication of GaN Monolithic Doubly-Resonant Microcavity SHG Device | T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX | 口頭 | 2018/06/03～ 2018/06/08 |
| 372 | GaN Rib Waveguide Directional Coupler for Waveguide Mach-Zehnder Interferometer | J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第19回 有機金属気相成長法に関する国際会議 ICMOVPE-XIX | 口頭 | 2018/06/03～ 2018/06/08 |
| 373 | Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Waveguide for Deep UV Second Harmonic Generation | S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 | 口頭 | 2018/04/25～ 2018/04/27 |
| 374 | Fabrication of Polarity-Inverted GaN Heterostructure by Surface-Activated Wafer Bonding and Silicon Removal | T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, M. Kushimoto, H. Cheong, Y. Honda, H. Amano and R. Katayama | 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 | 口頭 | 2018/04/25～ 2018/04/27 |
| 375 | GaAsP Tunable Single-Mode Semiconductor Laser using Periodically Slotted Structure with Simplified Fabrication Process | S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama | 第6回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'18 | 口頭 | 2018/04/25～ 2018/04/27 |
| 376 | 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 | 片山竜二 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2018/04/23～ 2018/04/24 |
| 377 | 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ | 楠本 壮，上向井 正裕，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 378 | GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 | 南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 379 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の設計 | 紀平 将史，三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 380 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価 | 三輪 純也，紀平 将史，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 381 | 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製 | 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，久志本 真希，鄭 惠貞，本田 善央，天野 浩，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 382 | ZrO2 /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計 | 山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 | 第65回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2018/03/17～ 2018/03/20 |
| 383 | Second harmonic generation from polarity-inverted GaN waveguide | R. Katayama | SPIE Photonics West 2018 | 招待 | 2018/01/31～ 2018/02/02 |
| 384 | 深溝周期構造を用いたGaAsP量子井戸波長可変単一モードレーザー | 上向井 正裕，片山 竜二 | 第38回 レーザー学会 学術講演会 | 招待 | 2018/01/24～ 2018/01/26 |
| 385 | 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 | 片山 竜二 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2018/01/05 |
| 386 | ワイドギャップ窒化物半導体による量子情報処理システム開発 | 片山 竜二 | 日本学術振興会 第162委員会 第106回研究会 | 招待 | 2017/12/15～ 2017/12/16 |
| 387 | Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 | 林 侑介, 三宅 秀人, 平松 和政, 秋山 亨, 伊藤 智徳, 片山 竜二 | 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 LQE | 口頭 | 2017/11/30～ 2017/12/01 |
| 388 | Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3 | T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama | 紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017 | ポスタ | 2017/11/14～ 2017/11/18 |
| 389 | Abrupt Polarity Inversion of AlN for Second Harmonic Generation in DUV Region | Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama | 紫外発光材料及びデバイスに関する国際ワークショップ IWUMD2017 | 口頭 | 2017/11/14～ 2017/11/18 |
| 390 | GaN rib waveguide directional coupler for optical quantum information processing systems | J. Miwa, M. Kihira, M. Uemukai, R. Fuji, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 391 | Design of GaN monolithic doubly-resonant microcavity SHG device | T. Nambu, M. Uemukai, R. Fuji, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 392 | Design of polarity-inverted multilayer AlN waveguide for deep UV second harmonic generation | S. Yamaguchi, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake, T. Yamada, Y. Fujiwara and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 393 | Polarity inversion of AlN fabricated by wafer bonding and its atomic arrangement models | Y. Hayashi, H. Miyake,K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 394 | Development of Surface-Activated Wafer Bonding Method of AlN, GaN and LiNbO3 | T. Onodera, M. Uemukai, K. Takahashi, M. Iwaya, I. Akasaki, Y. Hayashi, H. Miyake and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 395 | GaAsP quantum well single-mode semiconductor laser with periodically slotted structure | S. Kusumoto, M. Uemukai and R. Katayama | 第36回 電子材料シンポジウム EMS36 | ポスタ | 2017/11/08～ 2017/11/10 |
| 396 | 光導波路型マッハツェンダ干渉計のためのGaN方向性結合器 | 三輪 純也 | 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2017/09/13～ 2017/09/15 |
| 397 | 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイス | 山口 修平 | 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2017/09/13～ 2017/09/15 |
| 398 | 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN極性反転構造の作製 | 林 侑介 | 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 招待 | 2017/09/13～ 2017/09/15 |
| 399 | 量子井戸DBRレーザを用いたモノリシック光集積デバイス | 上向井 正裕 | 第10回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 招待 | 2017/09/13～ 2017/09/15 |
| 400 | 疑似位相整合SHGに向けたFace to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製 | 林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二 | 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2017/09/05～ 2017/09/08 |
| 401 | 極性反転積層AlN光導波路を用いた波長変換デバイスの設計 | 山口 修平，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 | 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2017/09/05～ 2017/09/08 |
| 402 | AlN・GaN・LiNbO3の表面活性化ウエハ接合技術の開発 | 小野寺 卓也，上向井 正裕，髙橋 一矢，岩谷 素顕，赤﨑 勇，林 侑介，三宅 秀人，片山 竜二 | 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2017/09/05～ 2017/09/08 |
| 403 | GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの設計 | 南部 誠明，上向井 正裕，藤 諒健，山田 智也，藤原 康文，片山 竜二 | 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2017/09/05～ 2017/09/08 |
| 404 | 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の作製 | 三輪 純也，上向井 正裕，藤 諒健，藤原 康文，片山 竜二 | 第78回 応用物理学会秋季学術講演会 | 口頭 | 2017/09/05～ 2017/09/08 |
| 405 | Biexciton emission from single quantum-confined structures in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells | K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi, H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka | 第12回 窒化物半導体国際会議 ICNS12 | ポスタ | 2017/07/24～ 2017/07/28 |
| 406 | Face to FaceアニールによるAlN分極反転構造の作製と評価 | 林 侑介，三宅 秀人，平松 和政，片山 竜二 | 第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 | 口頭 | 2017/07/13～ 2017/07/15 |
| 407 | 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 | 片山 竜二 | 科学研究費補助金 新学術領域研究 領域報告会 | 口頭 | 2017/07/01 |
| 408 | GaAsP quantum well tunable single-mode semiconductor lasers with deeply etched periodic structures | M. Uemukai, A. Yamashita, S. Kusumoto and R. Katayama | 第5回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'17 | 口頭 | 2017/04/19～ 2017/04/21 |
| 409 | 極性ワイドギャップ半導体の量子光学応用 | 片山 竜二 | 電子情報通信学会合同研究会 IEEE Photonics Society Kansai Chapter 特別講演会 | 招待 | 2017/01/18～ 2017/01/19 |
| 410 | InGaN growth on AlN protection layer deposited ZnO substrates by metalorganic vapor phase epitaxy | J. Yoo, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama and T. Matsuoka | 2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center | ポスタ | 2017/03/21 |
| 411 | AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討 | 髙橋 一矢, 篠田 涼二, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 服部 友一, 赤﨑 勇, 上向井 正裕, 片山 竜二 | 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2017/03/14～ 2017/03/17 |
| 412 | GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザ | 山下 諒大，上向井 正裕，片山 竜二 | 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 | 口頭 | 2017/03/14～ 2017/03/17 |
| 413 | ワイドギャップ半導体の量子光学素子応用 | 片山 竜二 | 第64回 応用物理学会 春季学術講演会 シンポジウム 金属酸化物の結晶物性に迫る | 招待 | 2017/03/14～ 2017/03/17 |
| 414 | 窒化物半導体の量子光学応用 | 片山 竜二 | マテリアルズサイエンス研究の最先端～柏キャンパス発全世界行の切符を片手に～ | 招待 | 2016/10/22 |
| 415 | Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka | 第9回 窒化物半導体国際ワークショップ IWN2016 | 口頭 | 2016/10/02～ 2016/10/07 |
| 416 | 窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用 | 片山 竜二 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 シンポジウム 窒化物半導体特異構造の科学 ～新機能の発現と理解～ | 招待 | 2016/09/13～ 2016/09/16 |
| 417 | GaAsP Quantum Well Tunable Single-Mode Laser with Periodically Slotted Structure" | M. Uemukai and T. Furusawa | 第25回 半導体レーザ国際会議 ISLC2016 | 口頭 | 2016/09/12～ 2016/09/15 |
| 418 | ワイドギャップ半導体の量子光学応用 | 片山 竜二 | 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 招待 | 2016/08/29～ 2016/08/30 |
| 419 | イオンスライスLiNbO3結晶光導波路における微細周期分極反転構造の形成と波長変換デバイス応用に関する研究 | 井口 稜太 | 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2016/08/29～ 2016/08/30 |
| 420 | GaAsP歪量子井戸高次結合ディープエッチDBRレーザと2波長集積レーザへの応用に関する研究 | 山下 諒大 | 第9回 窒化物半導体の成長・評価に関する夏期ワークショップ | 口頭 | 2016/08/29～ 2016/08/30 |
| 421 | ワイドギャップ半導体研究の新展開 量子光学デバイス・システム開発 | 片山 竜二 | 第1回 電子材料若手研究会（ISYSE） | 招待 | 2016/08/26 |
| 422 | MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface | K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu and T. Matsuoka | Compound Semiconductor Week CSW2016 | 口頭 | 2016/06/29 |
| 423 | Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka | 第4回 発光素子とその産業応用に関する国際学会 LEDIA'16 | 口頭 | 2016/05/18～ 2016/05/20 |
| 424 | N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性 | 谷川 智之, 正直 花奈子, 野々田 亮平, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志, 高宮 健吾, 矢口 裕之, 秋山 英文 | 第８回 窒化物半導体結晶成長講演会 | ポスタ | 2016/05/09～ 2016/05/10 |
| 425 | N 極性(000-1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性 | 野々田 亮平, 谷川 智之, 正直 花奈子, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志 | 第８回 窒化物半導体結晶成長講演会 | ポスタ | 2016/05/09～ 2016/05/10 |
| 原著論文 | |||
| 1 | Piezoelectrically-enhanced 230nm far-UV second harmonic generation in a polarity-inversion-free AlN/AlGaN strained-layer superlattice channel waveguide | Shahzeb Malik, Ryo Momosaki, Hiroto Honda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Mater. Adv. (2026). |
| 2 | 窒化物半導体を用いた光導波路型遠紫外波長変換デバイス開発 | 片山竜二，上向井正裕，谷川智之 | レーザー研究 54(2) 66 (2026). |
| 3 | Second Harmonic Generation in Horizontally Aligned AlN/SiNx Hybrid Waveguide for Integrated Wavelength Converter | Hiroto Honda, Masanori Okada, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA and Ryuji KATAYAMA | Appl. Phys. Express 18 122001 (2025) |
| 4 | Investigation of Characteristics of GaN-Based Blue DFB Laser Diodes over a Wide Detuning Range | Toshihiko FUKAMACHI, Junichi NISHINAKA, Kohei MIYOSHI, Koichi NANIWAE, Shuichi USUDA, Haruki FUKAI, Akihiko SUGITANI, Masahiro UEMUKAI, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA | Jpn. J. of Appl. Phys. 64, 052001 (2025). |
| 5 | Epitaxial growth of AlGaN/AlN strained-layer superlattices by Metal-organic vapor phase epitaxy for Far-UV Second Harmonic Generation | Shahzeb Malik, Masaaki Ito, Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | ACS Crystal Growth & Design (2025). |
| 6 | Polarity inversion of N-polar GaN by metalorganic vapor phase epitaxy via thermal oxidation | Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 64, 020903 (2025). |
| 7 | Polarity inversion of GaN from +c to −c polarity by metalorganic vapor phase epitaxy | Kazuhisa Ikeda, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 64, 020901 (2025). |
| 8 | Detuning dependence in current-light-output characteristics of GaN-based DFB laser diodes | Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai2, Tomoyuki Tanikawa2, and Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 64, 022001 (2025). |
| 9 | Analysis of inversion-domain boundaries in four-layer polarity-inverted AlN structure | Tomohiro Tamano, Ryota Akaike, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hiroto Honda5, Eiki Sato5, Masahiro Uemukai5, Tomoyuki Tanikawa5, Ryuji Katayama5 and Hideto Miyake | Appl. Phys. Lett. 126, 032108 (2025) |
| 10 | Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of +c/−c GaN Polarity Inverted Bilayer for Transverse Quasi Phase Matched Wavelength Conversion Device | Kazuhisa Ikeda*, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa**, and Ryuji Katayama | phys. stat. sol. (b) 2400161 (2024). |
| 11 | 199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB4O7 vertical microcavity pumped with picosecond laser | Tomoaki Nambu, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori,2 Yasufumi Fujiwara,2 Ryota Ishii,3 Yoichi Kawakami,3 Masahiro Uemukai,2,4 Tomoyuki Tanikawa,2,4 and Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 17, 082004 (2024). |
| 12 | Continuous-wave operation of InGaN tunable single-mode laser with periodically slotted structure | Taisei Kusui, Takumi Wada, Naritoshi Matsushita, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA | Appl. Phys. Express 17, 082003 (2024). |
| 13 | Design of Horizontally-Stacked Aluminum Nitride and Dielectric Cores Transverse Quasi-Phase Matched Channel Waveguide for Squeezed Light Generation | Hiroto Honda, Ryosuke Noro, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa and Ryuji Katayama | phys. stat. sol. (a) 2400380 (2024). |
| 14 | Far-reaching Remote Doping for Monolayer MoS2 Using Ferroelectric Substrate: Unveiling the Impact of h-BN Spacer Thickness | KAIPENG RONG, Ryosuke Noro, Hayato Nishigaki, Mingda DING, YAO YAO, Taiki Inoue, Ryuji Katayama, Yoshihiro Kobayashi, Kazunari Matsuda, Shinichiro Mouri | ACS Appl. Electron. Mater. 6, 5914 (2024) |
| 15 | Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1101) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography | Naofumi Takeda*, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa**, and Ryuji Katayama | phys. stat. sol. (b) 2400071 (2024). |
| 16 | Buried annealed proton-exchanged waveguide in periodically-poled MgO:LiTaO3 fabricated by surface activated bonding for high-power wavelength conversion | Ryosuke NORO, Masahide Okazaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA | Jpn. J. of Appl. Phys. 63, 062002 (2024). |
| 17 | Demonstration of violet-DFB laser with fairly small temperature dependence in current-light characteristics | Toshihiko Fukamachi, Junichi Nishinaka, Koichi Naniwae, Shuichi Usuda, Haruki Fukai, Akihiko Sugitani, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 17, 052004 (2024). |
| 18 | Fabrication of polarity inverted LiNbO3/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion | Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 62, 102001 (2023). |
| 19 | Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser | Tomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 16, 072005 (2023). |
| 20 | 229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide | Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 16, 062006 (2023). |
| 21 | Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks | Tomoka Nishikawa, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 62, SF1015 (2023). |
| 22 | Polarity Inversion of GaN via AlN Oxidation Interlayer Using Metal–Organic Vapor Phase Epitaxy | Tomotaka Murata, Kazuhisa Ikeda, Jun Yamasaki, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | phys. stat. sol. (b) 260, 2200583 (2023). |
| 23 | Second Harmonic Generation in GaN Transverse Quasi-Phase-Matched Waveguide Pumped with Femtosecond Laser | Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 15, 112002 (2022). |
| 24 | Enlargement of mode size in annealed proton-exchanged periodically-poled MgO doped stoichiometric LiTaO3 waveguide for high power second harmonic generation | Ryosuke Noro, Masahide Okazaki, Ikuo Mizobata, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 61, 072006 (2022). |
| 25 | Fabrication and evaluation of rib-waveguide-type wavelength conversion devices using GaN-QPM crystals | Hiroki Ishihara, Keiya Shimada, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Kazuhiro Kurose, Yoshimasa Kawata, Atsushi Sugita, Yoku Inoue, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takayuki Nakano | Jpn. J. of Appl. Phys. 61 SK1020 (2022). |
| 26 | DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device | Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Ryota Ishii, Yoichi Kawakami, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, and Ryuji Katayama | Opt. Express 30, 18628 (2022). |
| 27 | GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion | Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 61, 050902 (2022). |
| 28 | Emission color modulation of InGaN/GaN multiple quantum wells by selective area metalorganic vapor phase epitaxy on hexagonal windows | Shin Yoshida, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Jpn. J. of Appl. Phys. 61, 030904 (2022). |
| 29 | Nondestructive characterization of threading dislocations in graded buffer layers of inverted metamorphic solar cells by two-photon excitation spectroscopy | Akio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Takeyoshi Sugaya, Mitsuru Imaizumi | Appl. Phys. Express 14, 111002 (2021). |
| 30 | Monolithic microcavity second harmonic generation device using low birefringence paraelectric material without polarity-inverted structure | Tomoaki Nambu, Takumi Nagata, Soshi Umeda, Keishi Shiomi, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Abdul Mannan, Filchito Renee G. Bagsican, Kazunori Serita, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 14, 061004 (2021). |
| 31 | Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping | Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama | Appl. Phys. Express 14, 055504 (2021). |
| 32 | Multiphoton Microscopy in Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices | Tomoyuki Tanikawa | Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices, AIP Publishing Melville, New York, Chapter 7, 7 (2020). |
| 33 | 多光子励起フォトルミネッセンスによるGaN結晶の3次元非破壊解析 | 谷川 智之 | 応用物理 89, 524 (2020). |
| 34 | Dependence of the V/III Ratio on Indium Incorporation in InGaN Films Grown by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy | V. Suresh Kumar, Shiyang Ji, Yuantao Zhang, Kanako Shojiki, J. H. Choi, Takeshi Kimura, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | J. of Nanosci. and Nanotechnol. 20, 2979 (2020). |
| 35 | Observation of Dislocations in Graded Buffer Layers of IMM Single Junction InGaAs Solar Cells by Two-Photon Excitation Photoluminescence | Akio Ogura, Tomoyuki Tanikawa, Tatsuya Takamoto, Ryuji Oshima, Hidetoshi Suzuki, Mitsuru Imaizumi, Takeyoshi Sugaya | 2019 IEEE 46th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), Chicago, IL, USA, 0273 (2019). |
| 36 | Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth | Satoru Fujimoto, Hideyuki Itakura, Tomoyuki Tanikawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo | Jpn. J. of Appl. Phys. 58, SC1049 (2019). |
| 37 | Reuse of ScAlMgO4 substrates utilized for halide vapor phase epitaxy of GaN | Kazuki Ohnishi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takuya Iwabuchi, Kazuya Yamamura, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka | Jpn. J. of Appl. Phys. 58, SC1023 (2019). |
| 38 | 多光子励起フォトルミネッセンスを用いたGaN 結晶中の転位の非破壊・三次元観察 | 谷川 智之 | まてりあ 58, 144 (2019). |
| 39 | Polarity inversion of aluminum nitride by direct wafer bonding | Yusuke Hayashi, Ryuji Katayama, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hideto Miyake | Appl. Phys. Express 11, 031003 (2018). |
| 40 | Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells | Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi, Hidefumi Akiyama, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama | phys. stat. sol. (b) 255, 1700454 (2017). |
| 41 | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using a Cu-Zn-Sn-O amorphous precursor and supercritical fluid sulfurization | Yuta Nakayasu, Takaaki Tomai, Nobuto Oka, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Liwen Sang, Masatomo Sumiya, Itaru Honma | Thin Sol. Films 638, 244 (2017). |
| 42 | Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces | Takuya Iwabuchi, Shigeyuki Kuboya, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Tsuguo Fukuda, Takashi Matsuoka | phys. stat. sol. (a) 214, 1600754 (2017). |
| 43 | Absolute technique for measuring internal electric fields in InGaN/GaN light-emitting diodes by electroreflectance applicable to all crystal orientations | Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Ryuji Katayama, Shigeyuki Kuboya, Takashi Matsuoka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano | Appl. Phys. Express 10, 082101 (2017). |
| 44 | Nanometer scale fabrication and optical response of InGaN/GaN quantum disks | Lai Yi-Chun, Higo Akio, Kiba Takayuki, Thomas Cedric, Chen Shula, Lee Chang Yong, Tanikawa Tomoyuki, Kuboya Shigeyuki, Katayama Ryuji, Shojiki Kanako, Takayama Junichi, Yamashita Ichiro, Murayama Akihiro, Chi Gou-Chung, Yu Peichen, Samukawa Seiji | Nanotechnology 27, 425401 (2016). |
| 45 | GaAsP tunable distributed Bragg reflector laser with indium tin oxide thin-film heater | Masahiro Uemukai, Toshiaki Suhara | Jpn. J. of Applied Phys., 55, 08RH01 (2016). |
| 46 | Large Stokes-like shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes | Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FJ03 (2016). |
| 47 | Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN templates by metalorganic vapor phase epitaxy | Jinyeop Yoo, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FA04 (2016). |
| 48 | Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by using c-plane sapphire substrate with off-cut-angle toward a-sapphire plane | Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FA09 (2016). |
| 49 | Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy | Ryohei Nonoda, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 05FE01 (2016) |
| 50 | Electrical Characteristics of N-polar (000-1) p-type GaN Schottky Contacts | Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, Kenji Shiojima | Jpn. J. of Appl. Phys. 55, 04EJ09 (2016) |
| 51 | Red to blue wavelength emission of N-polar (000-1) InGaN light-emitting diodes grown by metalorganic vapor phase epitaxy | Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Jung-Hun Choi, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Appl. Phys. Express 8, 061005-1-4 (2015) |
| 52 | Suppression of metastable-phase inclusion in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy | Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Tomoyuki Tanikawa, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Ryohei Nonoda, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Appl. Phys. Lett. 106 (22), 222102-1-4 (2015) |
| 53 | Improvement of Surface Morphology of Nitrogen-polar GaN by Introducing Indium Surfactant during MOVPE Growth | Takashi Aisaka, Tomoyuki Tanikawa, Takeshi Kimura, Kanako Shojiki, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. Appl. Phys. 53 (8), 085501-1-4 (2014) |
| 54 | Enhancement of surface migration by Mg doping in the metalorganic vapor phase epitaxy of N-polar (000-1) GaN/sapphire | Tomoyuki Tanikawa, Kanako Shojiki, Takashi Aisaka, Takeshi Kimura, Shigeyuki Kuboya, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL05-1-4 (2014) |
| 55 | Effect of Sapphire Nitridation and Group-III Source Flow Rate Ratio on In-Incorporation Into InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | Jung-Hun Choi, Kanako Shojiki, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | J. Nanosci. and Nanotechnol. 14 (8), 6112-6115 (2014) |
| 56 | Effect of c-plane Sapphire Substrate Miscut-angle on Indium Content of MOVPE-grown N-polar InGaN | Kanako Shojiki, Jung-Hun Choi, Hirofumi Shindo, Takeshi Kimura, Tomoyuki Tanikawa, Takashi Hanada, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka | Jpn. J. Appl. Phys. 53 (5S1), 05FL07-1-5 (2014) |
| 57 | RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer | Masahiro Kakuda, Sei Morikawa, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Hiroyuki Yaguchi, Kentaro Onabe | J. Cryst. Growth 378, 307-309 (2013) |
| 58 | Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates | R.G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi | J. Cryst. Growth 378, 85-87 (2013) |
| 59 | AlGaN/GaN MIS-gate HEMTs with SiCN gate stacks | K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu | phys. stat. sol. (c) 10 (5), 790-793 (2013) |
| 60 | Investigation of indium incorporation into InGaN by nitridation of sapphire substrate in MOVPE | J.H. Choi, K. Shojiki,?T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka | phys. stat. sol. (c) 10 (3), 417-420 (2013) |
| 61 | Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vaporphase epitaxy | Y.T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertsuk, T. Iwabuchi, S. Kumar, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka | Thin Sol. Films 536, 152-155 (2013) |
| 62 | Effect of Nitridation on Indium-composition of InGaN Films | J.H. Choi, S. Kumar, S.Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka | Key Eng. Mater. 508, 193-198 (2012) |
| 63 | Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y.H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka | Jpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH01-1-4 (2012) |
| 64 | Effect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Grown InN | T. Iwabuchi, Y.H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanebe, N. Usami, R. Katayama, and T. Matsuoka | Jpn. J. Appl. Phys. 51 (4S), 04DH02-1-4 (2012) |
| 65 | Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen d-Doped GaAs | K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi | Appl. Phys. Express 5 (11), 111201-1-3 (2012) |
| 66 | Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide | K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi | Mater. Sci. Forum 706–709, 2916-2921 (2012) |
| 67 | Scanning tunneling microscope-based local electroluminescence spectroscopy of p-AlGaAs/i-GaAs/n-AlGaAs double heterostructure | K. Watanabe, M. Ichikawa, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | J. Vac. Sci. Technol. B 30 (2), 021802-1-6 (2012) |
| 68 | Phase Diagram on Phase Purity of InN grown Pressurized-Reactor MOVPE | T. Kimura, K. Prasertsuk, Y.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka | phys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 654-657 (2012) |
| 69 | Relationship between Residual Carrier Density and Phase Purity in InN Grown by Pressurized-Reactor MOVPE | K. Prasertsuk, M. Hirata, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, and T. Matsuoka | phys. stat. sol. (c) 9 (3-4), 681-684 (2012) |
| 70 | Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies | K. Watanabe, Y. Nakamura, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and M. Ichikawa | Jpn. J. Appl. Phys. 50 (8S3), 08LB18-1-4 (2011) |
| 71 | Carrier-concentration dependent photoluminescence of InAsN films grown by RF-MBE | S. Kuboya, M. Kuroda, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 323 (1), 26-29 (2011) |
| 72 | Lateral patterning of GaN polarity using wet etching process | Y. Fukuhara, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 1922-1924 (2010) |
| 73 | Effect of growth temperature on structure properties of InN grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy | Y.T. Zhang, Y.H. Liu, T. Kimura, M. Hirata, K. Prasertsuk, S.Y. Ji, R. Katayama, and T. Matsuoka | phys. stat. sol. (c) 8 (2), 482-484 (2011) |
| 74 | Lattice-Latching Effect in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy Growth of InGaAsN Film Lattice-Matched to Bulk InGaAs Substrate | S. Sanorpim, R. Katayama, K. Onabe, N. Usami, and K. Nakajima | Jpn. J. Appl. Phys. 49 (4R), 040202-1-3 (2010) |
| 75 | Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A | T. Fukushima, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Okano, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | Physica E 42 (10), 2529-2531 (2010) |
| 76 | Band alignment of lattice-matched InGaPN/GaAs and GaAs/InGaPN quantum wells grown by MOVPE | D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe | Physica E 42 (4), 1176-1179 (2010) |
| 77 | Photoluminescence Study of Type-II InGaPN/GaAs Quantum Wells | D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe | J. Nanosci. and Nanotechnol. 10 (11), 7154-7157 (2010) |
| 78 | MOVPE growth of high optical quality InGaPN layers on GaAs (001) substrates | D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 7 (7-8), 2079-2081 (2010) |
| 79 | MOVPE growth and optical characterization of InGaAsN T-shaped quantum wires lattice-matched to GaAs | P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (a) 207 (6), 1418-1420 (2010) |
| 80 | MOVPE growth of InN films using 1,1-dimethylhydrazine as a nitrogen precursor | Q.T. Thieu, Y. Seki, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 311 (19), 2801-2804 (2009) |
| 81 | Metastable cubic InN layers on GaAs (001) substrates grown by MBE: Growth condition and crystal structure | S. Sanorpim, P. Jantawongrit, S. Kuntharin, C. Thanachayanont, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 6 (S2), S376-S380 (2009) |
| 82 | Scanning tunneling microscope–cathodoluminescence measurement of the GaAs/AlGaAs heterostructure | K. Watanabe, Y. Nakamura, M. Ichikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | J. Vac. Sci. Technol. B 27 (4), 1874-1880 (2009) |
| 83 | Band gap energy fluctuations in InGaN films grown by RF-MBE with changing nitrogen supply rate investigated by a piezoelectric photothermal spectroscopy | H. Komaki, T. Shimohara, K. Sakai, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari | phys. stat. sol. (c) 5 (2), 499-502 (2008) |
| 84 | RF-MBE growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates | T. Nakamura, T. Kataoka, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1712-1714 (2008) |
| 85 | Structural Investigation of Cubic-phase InN on GaAs (001) Grown by MBE Under In- and N-rich Growth Conditions | K. Kuntharin, S. Sanorpim, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 31, 215-217 (2008) |
| 86 | Electrical conduction in cubic GaN films grown on GaAs(001) by RF-MBE | M. Kohno, T. Kataoka, T. Nakamura, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1805-1807 (2008) |
| 87 | Effect of Substrate-surface Orientation on the N Incorporation in GaAsN Films on GaAs Grown by MOVPE | P. Klangtakai, S. Sanorpim, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 55-57, 825-828 (2008) |
| 88 | InGaPN/GaP Lattice-matched Single Quantum Wells on GaP (001) Grown by MOVPE | D. Kaewket, S. Sanorpim, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 55-57, 821-824 (2008) |
| 89 | MOVPE growth window for high-Nitrogen GaAsN alloy films for long wavelength emission | S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 31, 218-220 (2008) |
| 90 | A Comparison of the Structural Quality of High-In Content InGaAsN Films Grown on InGaAs Pseudosubstrate and on GaAs Substrate | S. Sanorpim, P. Kongjaeng, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 31, 221-223 (2008) |
| 91 | Optical Transitions in InGaPN/GaP Single Quantum Wells on GaP(100) Substrates by MOVPE | S. Sanorpim, D. Kaewket, S. Tungasmita, R. Katayama, and K. Onabe | Adv. Mater. Res. 31, 224-226 (2008) |
| 92 | MOVPE growth and photoluminescence properties of InAsN QDs | S. Kuboya, S. Takahashi, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 5 (6), 1715-1718 (2008) |
| 93 | Incorporation of N in high N-content GaAsN films investigated by Raman scattering | S. Sanorpim, P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, F. Nakajima, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 5 (9), 2923-2925 (2008) |
| 94 | Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs | Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | Physica E 40 (6), 2110-2112 (2008) |
| 95 | Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride | R. Katayama, K. Onabe, H. Yaguchi, T. Matsushita, and T. Kondo | Appl. Phys. Lett. 91 (6), 061917-1-3 (2007) |
| 96 | Fabrication of lateral lattice-polarity-inverted GaN heterostructure | R. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. Kondo | J. Cryst. Growth 301-302, 447-451 (2007) |
| 97 | Shutterless nitrogen flux modulation using a dual-mode rf-plasma operation during RF-MBE growth of nitrides | R. Katayama, H. Tsurusawa, T. Nakamura, H. Komaki, and K. Onabe | phys. stat. sol. (a) 204 (1), 277-281 (2007) |
| 98 | Nitrogen supply rate dependence of InGaN growth properties by RF-MBE | H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. Ikari | J. Cryst. Growth 305 (1), 12-18 (2007) |
| 99 | RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates | T. Nakamura, Y. Tokumoto, R. Katayama, T. Yamamoto, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 301-302, 508-512 (2007) |
| 100 | Growth of In-rich InGaN films on sapphire via GaN layer by RF-MBE | H. Komaki, T. Nakamura, R. Katayama, K. Onabe, M. Ozeki, and T. Ikari | J. Cryst. Growth 301-302, 473-477 (2007) |
| 101 | Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF-MBE | T. Nakamura, Y. Endo, R. Katayama, H. Yaguchi, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 4 (7), 2437-2440 (2007) |
| 102 | Structural Transition Control of Laterally Overgrown c-GaN and h-GaN on Stripe-patterned GaAs (001) Substrates by MOVPE | S. Sanorpim, E. Takuma, H. Ichinose, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (b) 244 (6), 1769-1774 (2007) |
| 103 | Surface photovoltage spectroscopy characterization of InGaPN alloys grown on GaP substrates | H.P. Hsu, P.Y. Wu, Y.S. Huang, S. Sanorpim, K.K. Tiong, R. Katayama, and K. Onabe | J. Phys.: Condens. Matter. 19 (9), 96009-1-8 (2007) |
| 104 | MOVPE growth and optical characterization of GaPN films using tertiarybutylphosphine (TBP) and 1,1-dimethylhydrazine (DMHy) | F. Nakajima, W. Ono, S. Kuboya, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 103-106 (2007) |
| 105 | MOVPE and characterization of InAsN/GaAs Multiple Quantum Wells | S. Kuboya, Q.T. Thieu, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 544-547 (2007) |
| 106 | Substrate-surface orientation dependence of N content in MOVPE growth of GaAsN films on GaAs | W. Ono, F. Nakajima, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 135-139 (2007) |
| 107 | Growth and post-growth rapid thermal annealing of InGaPN on GaP grown by metalorganic vapor phase epitaxy | S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 150-153 (2007) |
| 108 | Correlation between Raman intensity of the N-related local vibrational mode and N content in GaAsN strained layers grown by MOVPE | P. Panpech, S. Vijarnwannaluk, S. Sanorpim, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 107-110 (2007) |
| 109 | Structural investigation of InGaAsN films grown on pseudo-lattice-matched InGaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy | P. Kongjaeng, S. Sanorpim, T. Yamamoto, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 111-115 (2007) |
| 110 | Post-growth thermal annealing of high-N content GaAsN by MOVPE and its effect on strain relaxation | P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 140-144 (2007) |
| 111 | Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE | D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 531-535 (2007) |
| 112 | Micro-photoluminescence study of nitrogen δ-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy | Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 298, 73-75 (2007) |
| 113 | InAsN Quantum Dots grown on GaAs(001) substrates by MOVPE | S. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (c) 4 (7), 2387-2390 (2007) |
| 114 | Complementary analyses on the local polarity in lateral polarity-inverted GaN heterostructure on sapphire (0001) substrate | R. Katayama, Y. Kuge, K. Onabe, T. Matsushita, and T. Kondo | Appl. Phys. Lett. 89 (23), 231910-1-3 (2006) |
| 115 | Buffer design for nitrogen polarity GaN on sapphire (0001) by RF-MBE and application to the nanostructure formation using KOH etching | R. Katayama, and K. Onabe | Physica E 32 (1-2), 245-248 (2006) |
| 116 | RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on GaAs | T. Nakamura, K. Iida, R. Katayama,T. Yamamoto, and K. Onabe | phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1451-1455 (2006) |
| 117 | Piezoelectric Photothermal and Photoreflectance Spectra of InxGa1-xN Grown by Radio-Frequency Molecular Beam Epitaxy | E. Kawano, Y. Uchibori, T. Shimohara, H. Komaki, R. Katayama, K. Onabe, A. Fukuyama, and T. Ikari | Jpn. J. Appl. Phys. 45 (5B), 4601-4603 (2006) |
| 118 | MOVPE growth and optical characterization of GaAsN films with higher nitrogen concentrations | F. Nakajima, S. Sanorpim, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (a) 203 (7), 1641-1644 (2006) |
| 119 | MOVPE growth of InAsN films on GaAs (001) substrates with an InAs buffer layer | S. Kuboya, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1411-1415 (2006) |
| 120 | Growth and optical characterization of InAsN quantum dots | H. Tsurusawa, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (b) 243 (7), 1657-1660 (2006) |
| 121 | High-nitrogen-content InGaAsN films on GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy with TBAs and DMHy | S. Sanorpim, F. Nakajima, W. Ono, R. Katayama, and K. Onabe | phys. stat. sol. (a) 203 (7), 1612-1617 (2006) |
| 122 | Fabrication of cubic and hexagonal GaN micro-crystals on GaAs(001) substrates with relatively thin low-temperature GaN buffer layer | R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 278 (1-4), 431-436 (2005) |
| 123 | Growth mechanism and structural characterization of hexagonal GaN films grown on cubic GaN (111)/GaAs (111)B substrates by MOVPE | S. Sanorpim, R. Katayama, K. Yoodee, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 275 (1-2), e1023-e1027 (2005) |
| 124 | MOVPE growth and optical investigations of InGaPN alloys | S. Sanorpim, F. Nakajima, N. Nakadan, T. Kimura, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 275 (1-2), e1017-e1021 (2005) |
| 125 | Excitation power dependent photoluminescence of In0.7Ga0.3As1-xNx quantum dots grown on GaAs (001) | A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, Y.G. Hong, and C.W. Tu | J. Cryst. Growth 278 (1-4), 244-248 (2005) |
| 126 | Growth and characterization of InAsN alloy films and quantum wells | M. Kuroda, A. Nishikawa, R. Katayama, and K. Onabe | J. Cryst. Growth 278 (1-4), 254-258 (2005) |
| 127 | Built-in Electric Field at Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerfaces Investigated by Phase- Selected Photoreflectance Excitation | R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2749-2753 (2004) |
| 128 | Highly Luminescent Cubic GaN Microcrystals Grown on GaAs(001) Substrates by RF-MBE | R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2739-2743 (2004) |
| 129 | Optical characterization of InAsN single quantum wells grown by RF-MBE | M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 241 (12), 2791-2794 (2004) |
| 130 | Electrically Biased Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterointerface | R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2597-2601 (2003) |
| 131 | Characterization of MOVPE-Grown GaN Layers on GaAs(111)B with a Cubic-GaN(111) Epitaxial Intermediate Layer | S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 240 (2), 305-309 (2003) |
| 132 | MBE Growth and Photoreflectance Study of GaAsN Alloy Films Grown on GaAs(001) | A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | J. Cryst. Growth 251 (1-4), 427-431 (2003) |
| 133 | RF-MBE Growth of InAsN layers on GaAs(001) Substrates using a Thick InAs Buffer Layer | S. Nishio, A. Nishikawa, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | J. Cryst. Growth 251 (1-4), 422-426 (2003) |
| 134 | MOVPE Growth and Characterization of High-In Content InGaPN Alloy Films Lattice-Matched to GaP | S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, N. Nakadan, T. Kimura, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2773-2777 (2003) |
| 135 | Microstructures, Defects, and Localization Luminescence in InGaAsN Alloy Films | F. Nakajima, S. Sanorpim, T. Yamamoto, E. Takuma, R. Katayama, H. Ichinose, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2778-2781 (2003) |
| 136 | Hall Effect Measurement Study of InAsN Alloy Films Grown Directly on GaAs(001) Substrates by RF-MBE | M. Kuroda, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (c) 0 (7), 2765-2768 (2003) |
| 137 | Photoconductivity and Electroreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures by Optical-Biasing Technique | R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 234 (3), 877-881 (2002) |
| 138 | Optically-Biased Photoconductivity Spectrum Measurements of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructures | R. Katayama, M. Kobayakawa, A. Nagayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki | Compound Semicond. 170, 725-730 (2002) |
| 139 | Reduction of Planar Defect Density in Laterally Overgrown Cubic-GaN on Patterned GaAs(001) Substrates by MOVPE | S. Sanorpim, E. Takuma, R. Katayama, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 234 (3), 840-844 (2002) |
| 140 | Structural Study on Stacking Faults in GaN/GaAs (001) Heterostructures | A. Nagayama, H. Sawada, E. Takuma, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Ichinose, and Y. Shiraki | Compound Semicond. 170, 749-754 (2002) |
| 141 | Physical Mechanisms of Photoluminescence of InGaAs(N) Alloy Films Grown by MOVPE | S. Sanorpim, F. Nakajima, S. Imura, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (b) 234 (3), 782-786 (2002) |
| 142 | Cubic-GaN Films on GaAs(001) Substrates without Deep-Level Luminescence Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | K. Onabe, J. Wu, R. Katayama, F. H. Zhao, A. Nagayama, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (a) 180 (1), 15-19 (2000) |
| 143 | Substrate Misorientation Dependence of the Hexagonal Phase Inclusion in Cubic GaN Films Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | A. Nagayama, R. Katayama, N. Nakadan, K. Miwa, H. Yaguchi, J. Wu, K. Onabe, and Y. Shiraki | phys. stat. sol. (a) 176 (1), 513-517 (1999) |
| 144 | Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation | E. Nishina, R. Katayama, T. Kondo, R. Ito, J.C. Kim, T. Watanabe, and S. Miyata | Nonlinear Opt. 22, 433-436 (1999) |
| プロシーディング | |||
| 1 | Fabrication of InGaN/GaN Nanodisk Structure by using Bio-template and Neutral Beam Etching Process | Y.C. Lai, A. Higo, C.Y. Lee, C. Thomas, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Kuboya, R. Katayama, T. Kiba, P.Y. Yu, I. Yamashita, A. Murayama, and S. Samukawa | Proc. 15th IEEE Int. Conf. Nanotechnol., 1278-1281 (2015) |
| 2 | Optical properties of the periodic polarity-inverted GaN waveguides | R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, and T. Matsuoka | Proc. SPIE 8268, 826814-1-10 (2012) |
| 3 | III-V-N alloys grown by MOVPE in H2 and N2 mixed carrier gases | S. Kuboya, Q.T. Thieu, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. SPIE 8268, 826801-1-7 (2012) |
| 4 | Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs | K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi | The Phys. Semicond.: Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. (ICPS) 2012, 538-539 (2012) |
| 5 | Cubic III-nitrides: potential photonic materials | K. Onabe, S. Sanorpim, H. Kato, M. Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S. Kuboya, and R. Katayama | Proc. SPIE 7945, 794517-1-8 (2011) |
| 6 | Optical properties of narrow-bandgap dilute nitrides | S. Kuboya, M. Kuroda, Q.T. Thieu, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. SPIE 7945, 794518-1-7 (2011) |
| 7 | Paving the way to high-quality indium nitride: The effects of pressurized reactor | T. Matsuoka, Y.H. Liu, T. Kimura, Y.T.Zhang, K. Prasertsuk, and R. Katayama | Proc. SPIE 7945, 794519-1-5 (2010) |
| 8 | Photoreflectance study of strained GaAsN/GaAs T-junction quantum wires grown by MOVPE | P. Klangtakai, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. Int. Nanoelectron. Conf. (INEC) 2010, 402-403 (2010) |
| 9 | Visible photoluminescence from InGaPN/GaP lattice-matched single quantum well structures grown by MOVPE | D. Kaewket, S. Tungasmita, S. Sanorpim, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 695-700 (2007) |
| 10 | Characterization of MOVPE grown GaAs1-xNx/GaAs multiple quantum wells emitting around 1.3-μm-wavelength region | P. Klangtakai, S. Sanorpim, K. Yoodee, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. 2nd IEEE Int. Conf. Nano/Micro Engineered and Molecular Sys., 701-706 (2007) |
| 11 | Self-Assembled InAsN Quantum Dots grown on GaAs by MOVPE | S. Kuboya, Q.T. Thieu, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe | Proc. 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2007), 359-364 (2007) |
| 12 | High optical quality cubic GaN microcrystals grown on a GaAs substrate by RF-MBE | R. Katayama, and K. Onabe | Proc. 2nd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2005), 33-34 (2005) |
| 13 | The compositional and optical characterizations of InGaAsN alloy semiconductor grown by MOVPE | S. Sanorpim, F. Nakajima, R. Katayama, K. Onabe, and Y. Shiraki | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 744, M10.9.1-6 (2003) |
| 14 | Electroreflectance and Photoreflectance Study of Cubic GaN/GaAs(001) Heterostructure | R. Katayama, M. Kuroda, K. Onabe, and Y. Shiraki | Proc. 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semicond. (APWS 2003), 170-174 (2003) |
| 15 | Surface Modification of Cubic GaN Buffer Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | A. Nagayama, R. Katayama, J. Wu, K. Onabe, H. Sawada, E. Takuma, H. Ichinose, and Y. Shiraki | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G3.20.1-6 (2000) |
| 16 | Sublattice Inversion Epitaxy of Compound Semiconductor for Quadratic Nonlinear Optical Devices | S. Koh, A. Ebihara, R. Katayama, T. Kondo, and R. Ito | Proc. Nonlinear Opt. '98: Mater., Fund. and Appl. Topical Meeting, 230-232 (1998) |