片 山 竜 二

大阪大学大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
エレクトロニクスデバイス講座 量子フォトニクス領域
教 授
博士（科学）東京大学

経 歴

　1998. 3
　東京大学 工学部 物理工学科　卒業
　2000. 3
　東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 修士課程　修了
　2001. 9
　東京大学 工学系研究科 物理工学専攻 博士課程　中途退学
　2001.10 ~ 2007. 3 　東京大学 新領域創成科学研究科 物質系専攻　助手
　2007. 4 ~ 2009. 3 　東京大学 新領域創成科学研究科 物質系専攻　助教
　2008.10 ~ 2012. 3 　科学技術振興機構（JST）さきがけ研究員（兼務）
　2009. 4 ~ 2016. 3 　東北大学 金属材料研究所 電子材料物性学研究部門　准教授
　2015. 4 ~ 2016. 3 　東北大学 金属材料研究所 先端エネルギー材料理工共創研究センター 光エネルギー材料研究部　准教授（兼務）
　2015.11
 　マサチューセッツ工科大学 エレクトロニクス研究所 光量子通信グループ 客員研究員（兼務）
　2016.04 ~ 　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 電子工学部門 エレクトロニクスデバイス講座 量子光電子デバイス領域 教授
　2018.04 ~ 　大阪大学 レーザー科学研究所 光量子ビーム科学研究部　教授（兼務）
　2018.08 ~ 　大阪大学 先導的学際研究機構 量子情報・量子生命研究部門　教授（兼務）
　2019.04 ~ 　大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 電子工学部門 エレクトロニクスデバイス講座 量子電子機能材料デバイス領域 教授（兼務）

受 賞（本 人）

応用物理学会 講演奨励賞（2003年3月）, 第63回 応用物理学会秋季学術講演会（授与機関：応用物理学会）,
著者：　片山 竜二, 黒田 正行, 尾鍋 研太郎, 白木 靖寛,
題目：　立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の電場変調分光測定(2)：光バイアスエレクトロリフレクタンス測定
内容：　GaAs基板上立方晶GaNヘテロ構造において、系統的な研究が皆無であった電気伝導特性を評価した。本構造に共通して見られる高移動度p型伝導が基板界面の正孔寄生伝導に起因することを、光学的・電気的バイアスを印加した新規な変調分光法を用いて初めてつきとめた。また併せて、レーザ照射を併用した位相検波測定より、寄生伝導の寄与を抑制し立方晶GaNのみの情報の抽出に成功し、あらゆる半導体ヘテロ構造に用いることができる非接触な内蔵電場評価技術を確立した。
応用物理学会 ポスターアワード（2013年9月）, 第74回 応用物理学会秋季学術講演会（授与機関：応用物理学会）,
著者：　正直 花奈子, 花田 貴, 崔 正焄, 島田 貴章, 今井 康彦, 木村 滋, 谷川 智之, 片山 竜二, 松岡 隆志,
題目：　ヒロック形成にともなうm面InGaN薄膜のIn組成分布観察
内容：　c面サファイア基板上の+c極性InGaN発光デバイスの発光効率を低下させる一つの原因である分極電場の効果を解決するために、これと直交する結晶配向で電場が発生しない非極性m面GaN基板上のInGaNを作製し、その微視的構造特性や光学特性を評価した。軌道放射光を用いた高空間分解能X線回折測定により、成長表面の荒れに起因した相分離傾向と平坦化によるその抑制効果を初めて検出し、均質な組成を実現するために成長表面を平坦に保つ重要性を明らかにした。

研究プロジェクト（研究代表者）

　科研費 基盤研究（Ａ）「強誘電体・常誘電体積層光導波路を用いた量子計算システムの開発」 平成29～令和3年度　片山 竜二
　科研費 新学術領域研究（研究領域提案型）公募研究「窒化物半導体極性制御特異構造の形成技術の深化と物性・機能の制御」 令和1～2年度片山 竜二
　科研費 挑戦的研究（萌芽）「結晶面方位変調テンプレートを用いた高スループットμLED製造プロセスの開発」 令和1～2年度片山 竜二
　科研費 新学術領域研究（研究領域提案型）公募研究「窒化物半導体極性制御特異構造の非線形光学素子応用」 平成29～30年度片山 竜二
　科研費 挑戦的研究（萌芽）「モノリシック共振器型ワイドギャップ半導体波長変換素子の開発」 平成29～30年度片山 竜二
　住友財団 基礎科学研究助成「窒化物半導体微小共振器を用いた量子相関光子対光源の開発」 平成27～28年度片山 竜二
　科研費 挑戦的萌芽研究「光源集積型波長変換による深紫外レーザの超小型化に関する研究」 平成26～28年度片山 竜二
　科研費 若手研究（Ａ）「極性ワイドギャップ半導体の量子光学応用に関する研究」 平成23～平成25年度　片山 竜二
　総務省SCOPE 若手ICT研究者育成「極性窒化物半導体ナノ構造による量子もつれ光子対発生と量子暗号通信応用」 平成23～24年度　片山 竜二
　JST さきがけ（革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス）「極性ワイドギャップ半導体フォトニックナノ構造の新規光機能」 平成20～23年度　片山 竜二
　丸文研究交流財団助成金「変調分光法による窒化物半導体の格子極性の決定」 平成19年度　片山 竜二
　双葉電子記念財団研究助成金「窒化物半導体格子極性反転へテロ構造の作製と微視的評価技術の開発」 平成18年度　片山 竜二
　科研費 若手研究（Ｂ）「窒化物半導体格子極性反転ヘテロ構造の作製と非線形光学素子応用」 平成16～17年度　片山 竜二
　日本証券奨学財団研究助成金「立方晶窒化物半導体ヘテロ構造における寄生伝導の移動度スペクトル解析」 平成15年度　片山 竜二

研究員受入

  • 日本学術振興会 特別研究員奨励費（ＤＣ１），本田啓人（大阪大学）（令和5～7年度）
    「新規窒化物半導体積層構造による非線形光学デバイスに関する研究」
  • 日本学術振興会 特別研究員奨励費（ＤＣ２），南部誠明（大阪大学）（令和4～5年度）
    「低複屈折性常誘電体結晶を用いた微小共振器型遠UV-C第二高調波発生デバイスの開発」
  • 日本学術振興会 特別研究員奨励費（ＤＣ１），正直花奈子（東北大学）（平成25～27年度）
    「新規窒化物半導体共振器構造による光制御に関する研究」
  • 日本学術振興会 特別研究員奨励費（外国人特別研究員），Zhang Yuantao（東北大学）（平成22～23年度）
    「光ファイバ通信用光機能素子を目指した窒化インジウム系半導体のMOVPE成長」

趣 味